IntroductionOver the past several y

Introduction
Over the past several years, one dimensional (1D) II–VI semiconducting nanomaterials have attracted a tremendous amount of attention for their possible applications in electronics and photonics [1], [2], [3] and [4]. With direct band gaps ranging from lowest 1.475 eV for CdTe to highest 3.68 eV for ZnS, this group of materials seem ideal for optoelectronic applications since the optical absorption and emission process occur to first order in the direct band gap systems, which make these materials extremely useful as both photonic detectors and emitters [5] and [6]. They could also be used to detect radiation from the far infrared to the ultraviolet portion. Among II–VI semiconductors, ZnS has a high index of refraction [7] and a high transmittance in the visible range [8] and has important applications in photonics [9], [10] and [11]. Till now, many kinds of 1D ZnS nanostructures have been synthesized, such as nanowires [12], nanobelts [13] and [14], nanotubes [15] and so on. However, the reports on complex ZnS nanostructures through the assembly of simple structures are still scarce so far [16].

Complex nanostructures have unique optical and electronic properties owing to their morphologies and spatial organization [17] and [18]. Herein, we reported the successful synthesis of a novel fishbone-like ZnS nanostructure on ITO glass substrate. As-synthesized complex ZnS nanostructures may find applications in the fabrication of electronic and optoelectronic nanodevices

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แนะนำหลายปีผ่านมา หนึ่งมิติ (1d) II – VI ตัว nanomaterials ได้ดึงดูดยอดเงินมหาศาลของความสนใจในโปรแกรมประยุกต์ได้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และโฟตอนิกส์ [1], [2], [3] และ [4] มีช่องว่างตรงวงตั้งแต่ 1.475 eV ต่ำสำหรับ CdTe eV สูงสุด 3.68 สำหรับ ZnS วัสดุกลุ่มนี้ดูเหมือนเหมาะ optoelectronic งานตั้งแต่กระบวนการดูดซึมและมลพิษแสงเกิดสั่งแรกในวงตรงช่องว่างของระบบ ซึ่งทำให้วัสดุเหล่านี้มีประโยชน์อย่างมาก เป็นทั้งจับ photonic และ emitters [5] [6] นอกจากนี้ยังใช้ตรวจหาการแผ่รังสีจากไกลอินฟราเรดถึงรังสีอัลตราไวโอเลตส่วน อิเล็กทรอนิกส์ II – VI, ZnS มีสูงดัชนีความหักเห [7] และ transmittance สูงในช่วงมองเห็นได้ [8] และมีโปรแกรมประยุกต์ที่สำคัญโฟตอนิกส์ [9], [10] [11] และ ได้รับ 1D ZnS nanostructures หลายชนิดจนถึงปัจจุบัน สังเคราะห์ เช่น nanowires [12], nanobelts [13] [14], nanotubes [15] และ อย่างไรก็ตาม รายงานเกี่ยวกับ nanostructures ZnS ซับซ้อนผ่านการประกอบโครงสร้างอย่างง่ายได้ไกลดังนั้นยังขาดแคลน [16]Nanostructures ซับซ้อนมีแสง และอิเล็กทรอนิกส์คุณสมบัติเนื่องจาก morphologies ของพวกเขา และพื้นที่องค์กร [17] และ [18] นี้ เรารายงานสังเคราะห์ nanostructure ZnS เหมือนก้างเป็นนวนิยายประสบความสำเร็จบนพื้นผิวแก้ว ITO สังเคราะห์เป็น ZnS nanostructures ซับซ้อนอาจค้นหาโปรแกรมประยุกต์ในงานอิเล็กทรอนิกส์และ optoelectronic nanodevices

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทนำ
ในช่วงหลายปีที่ผ่านมาซึ่งเป็นหนึ่งมิติ (1 วัน) II-VI วัสดุนาโนสารกึ่งตัวนำมีความสนใจเป็นจำนวนมากให้ความสนใจสำหรับการใช้งานที่เป็นไปได้ของพวกเขาในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์และเล็คทรอนิคส์ [1], [2], [3] และ [4] มีช่องว่างวงโดยตรงตั้งแต่ต่ำสุด 1.475 eV สำหรับ CdTe ไปสูงสุด 3.68 eV ZnS สำหรับกลุ่มของวัสดุนี้ดูเหมือนเหมาะสำหรับการใช้งานตั้งแต่ optoelectronic ดูดกลืนแสงและขั้นตอนการปล่อยก๊าซเรือนกระจกที่เกิดขึ้นกับการสั่งซื้อครั้งแรกในระบบช่องว่างแถบตรงที่ทำให้วัสดุเหล่านี้อย่างมาก ประโยชน์เป็นเครื่องตรวจจับทั้งโทนิคและ emitters [5] และ [6] นอกจากนี้ยังสามารถนำมาใช้ในการตรวจสอบรังสีจากอินฟราเรดกับส่วนอัลตราไวโอเลต ในบรรดาเซมิคอนดักเตอร์ II-VI, ZnS มีดัชนีหักเหสูง [7] และการส่งผ่านสูงในช่วงที่มองเห็นได้ [8] และมีการใช้งานที่สำคัญในการเล็คทรอนิคส์ [9] [10] และ [11] จนถึงขณะนี้หลายชนิด 1D ZnS โครงสร้างนาโนได้รับการสังเคราะห์เช่น nanowires [12], nanobelts [13] และ [14], ท่อนาโน [15] และอื่น ๆ อย่างไรก็ตามรายงานในที่ซับซ้อน ZnS โครงสร้างนาโนผ่านการชุมนุมของโครงสร้างที่เรียบง่ายที่ยังคงหายากเพื่อให้ห่างไกล [16]. โครงสร้างนาโนคอมเพล็กซ์มีคุณสมบัติทางแสงและอิเล็กทรอนิกส์ที่ไม่ซ้ำกันเนื่องจากรูปร่างลักษณะของพวกเขาและองค์กรเชิงพื้นที่ [17] และ [18] ในที่นี้เรารายงานการสังเคราะห์ที่ประสบความสำเร็จของนวนิยายก้างปลาเหมือน ZnS โครงสร้างระดับนาโนบนพื้นผิวแก้ว ITO ในฐานะที่เป็นโครงสร้างนาโนที่สังเคราะห์ ZnS ซับซ้อนอาจพบการใช้งานในการผลิตของ nanodevices อิเล็กทรอนิกส์และ optoelectronic

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บทนำ
กว่าหลายปีที่ผ่านมา 1 มิติ ( 1D ) 2 – 6 กึ่งตัวนำ nanomaterials ดึงดูดมหาศาลสำหรับการใช้งานที่เป็นไปได้ของพวกเขาในความสนใจของอิเล็กทรอนิกส์และโฟโตนิกส์ [ 1 ] , [ 2 ] , [ 3 ] และ [ 4 ] กับวงตรงช่องว่างตั้งแต่ต่ำสุด 1.475 EV สำหรับ cdte สูงสุด 3.68 สำหรับ zns EV ,กลุ่มนี้วัสดุดูเหมือนเหมาะสำหรับการใช้งาน Optoelectronic ตั้งแต่การดูดกลืนกระบวนการเกิดขึ้นกับลำดับแรกในระบบวงตรงช่องว่างที่ให้วัสดุเหล่านี้มีประโยชน์มากทั้งโฟโตนิกส์เครื่องตรวจจับและ emitters [ 5 ] [ 6 ] พวกเขาสามารถถูกใช้เพื่อตรวจหารังสีจากไกลอินฟราเรดอัลตราไวโอเลตส่วน ระหว่าง 2 – 6 สารกึ่งตัวนำzns มีดัชนีการหักเหของแสงสูง [ 7 ] และการส่งผ่านสูงในการมองเห็นช่วง [ 8 ] และมีโปรแกรมสำคัญในโฟตอนิกส์ [ 9 ] [ 10 ] และ [ 11 ] จนถึงตอนนี้ หลาย ๆ ชนิดของ 1D zns นาโนได้สังเคราะห์ เช่น นาโน [ 12 ] nanobelts [ 13 ] และ [ 14 ] , นาโน [ 15 ] และ อย่างไรก็ตามรายงานที่ซับซ้อน zns นาโนผ่านการประกอบโครงสร้างยังคงขาดแคลนจน [ 16 ] .

ซับซ้อนนาโนมีเฉพาะแสงและอิเล็กทรอนิกส์ เนื่องจากคุณสมบัติของโครงสร้าง และองค์การอวกาศ [ 17 ] และ [ 18 ] ในที่นี้ เรารายงานการสังเคราะห์ที่ประสบความสำเร็จของก้างปลานวนิยายเช่นโครงสร้างนาโน zns บนแผ่นแก้ว อิโตะที่มีความซับซ้อน zns นาโนอาจพบการประยุกต์ใช้ในการ nanodevices อิเล็กทรอนิกส์และ Optoelectronic