However, Ubara et al. (1984) clearl

However, Ubara et al. (1984) clearly showed that the removal of SiO2
in HF solutions resulted in the formation of SiH on the etched Si surface.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อย่างไรก็ตาม ออ et al. (1984) ได้อย่างชัดเจนแสดงให้เห็นว่าการกำจัด SiO2ใน HF โซลูชั่นส่งผลให้เกิดการก่อตัวของ SiH บนผิวศรีสลัก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อย่างไรก็ตาม Ubara et al, (1984) อย่างชัดเจนแสดงให้เห็นว่าการกำจัดของ SiO2
ในการแก้ปัญหา HF ผลในการก่อตัวของ SiH บนพื้นผิวศรีฝัง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อย่างไรก็ตาม ubara et al . ( 2527 ) พบว่า การกำจัดแร่ซิลิคอนไดออกไซด์โซลูชั่น HF ส่งผลให้เกิดการก่อตัวของฉีในจารึกศรีผิว