To minimize interfacial power losse

To minimize interfacial power losses, thin (5–80 nm) layers of NiO,
a p-type oxide semiconductor, are inserted between the active
organic layer, poly(3-hexylthiophene) (P3HT)
[6,6]-phenyl-C61
butyric acid methyl ester (PCBM), and the ITO (tin-doped indium
oxide) anode of bulk-heterojunction ITO/P3HT:PCBM/LiF/Al solar
cells. The interfacial NiO layer is deposited by pulsed laser deposition
directly onto cleaned ITO, and the active layer is subsequently
deposited by spin-coating. Insertion of the NiO layer
affords cell power conversion efficiencies as high as 5.2% and
enhances the fill factor to 69% and the open-circuit voltage (Voc)
to 638 mV versus an ITO/P3HT:PCBM/LiF/Al control device. The
value of such hole-transporting/electron-blocking interfacial layers
is clearly demonstrated and should be applicable to other organic
photovoltaics.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพื่อลดการสูญเสียพลังงาน interfacial บางชั้น (5 – 80 nm) NiOเป็นชนิด p ออกไซด์สารกึ่งตัวนำ แทรกระหว่างการใช้งานชั้นอินทรีย์ poly(3-hexylthiophene) (P3HT) [6,6] - phenyl - C61กรด butyric methyl เอส (PCBM), และอิโตะ (doped ดีบุกอินเดียมแอโนดออกไซด์) ของอิโตะจำนวนมาก-heterojunction / P3HT:PCBM/ปรัอากาศ/อัล พลังงานแสงอาทิตย์เซลล์ เป็นฝากชั้น NiO interfacial โดยเลเซอร์พัลสะสมเข้าอิโตะที่ทำความสะอาด และเป็นชั้นที่ใช้งานอยู่ในเวลาต่อมาฝากเงิน โดยหมุนเคลือบ แทรกเลเยอร์ NiOแล้วเซลล์พลังงานแปลงประสิทธิภาพการสูงถึง 5.2% และช่วยเพิ่มเติมปัจจัย 69% และแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด (Voc)การ 638 mV กับ ITO เป็น / P3HT:PCBM/ปรัอากาศ/อัล ควบคุมอุปกรณ์ ที่ค่าเช่นหลุมขนส่ง/อิเล็กตรอนบล็อก interfacial ชั้นคือแสดงอย่างชัดเจน และควรใช้กับเกษตรอินทรีย์อื่น ๆแผงเซลล์แสง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อลดการสูญเสียพลังงาน interfacial บาง (5-80 นาโนเมตร) ชั้นของ NiO,
พีประเภทเซมิคอนดักเตอร์ออกไซด์จะถูกแทรกระหว่างที่ใช้งานอยู่ชั้นอินทรีย์โพลี (3 hexylthiophene) (P3HT)?
[6,6] -phenyl-C61
butyric เมทิลเอสเตอร์ของกรด (PCBM) และ ITO
(อินเดียมดีบุกเจือออกไซด์) ขั้วบวกของเฮเทอโรเป็นกลุ่ม ITO / P3HT: PCBM / LiF /
อัลแสงอาทิตย์เซลล์ ชั้น NiO interfacial
เป็นเงินจากการทับถมเลเซอร์ชีพจรโดยตรงไปยังทำความสะอาดITO
และชั้นที่ใช้งานจะต่อมาฝากโดยการหมุนเคลือบ ใส่ของชั้น NiO
กำบังประสิทธิภาพการแปลงพลังงานเซลล์สูงถึง 5.2%
และช่วยเพิ่มปัจจัยการเติมถึง69% และแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด (Voc)
ไป 638 mV เมื่อเทียบกับ ITO / P3HT: PCBM / LiF / อุปกรณ์ควบคุมอัล
มูลค่าของเช่นหลุมขนส่ง / อิเล็กตรอนปิดกั้นชั้น interfacial
จะแสดงให้เห็นได้อย่างชัดเจนและควรจะใช้อินทรีย์อื่น ๆ
ระบบไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อลดการสูญเสียพลังงานระหว่างบาง ( 5 – 80 nm ) ชั้นของนีโอ : พี , ออกไซด์เซมิคอนดักเตอร์จะแทรกอยู่ระหว่างชั้นอินทรีย์ปราดเปรียว
โพลี ( 3-hexylthiophene ) ( p3ht )
[ 6 , 6 ] - phenyl-c61
butyric acid เมทิลเอสเทอร์ ( pcbm ) และ ITO ( ดีบุกออกไซด์เจืออินเดียม
) ขั้วบวกของกลุ่ม heterojunction ITO / p3ht : pcbm / ลิฟท์ / Al พลังงานแสงอาทิตย์
เซลล์ ชั้นนีโอระหว่างฝากโดยพัล
การเลเซอร์ตรงเข้าทำความสะอาด โตะ และชั้นที่ใช้งานในภายหลัง
ฝาก , ปั่น การแทรกของนีโอชั้น
แล้วประสิทธิภาพการแปลงเซลล์พลังงานสูงเป็น 5.2% และ
เพิ่มปัจจัยเติมถึง 69 % และค่าแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด ( VOC )
เพื่อคุณ MV กับ ITO / p3ht : pcbm / ลิฟท์ / อัล การควบคุมอุปกรณ์
ค่าเช่นการขนส่งอิเล็กตรอนหลุม / กั้นระหว่างชั้น
จะแสดงให้เห็นอย่างชัดเจน และควรใช้เซลล์สุริยะอินทรีย์อื่น ๆ

.