2. Parameters for simulationsThe ex

2. Parameters for simulations
The expressions of InxGa1
xN and AlxGa1
xN alloys are listed in
Table 1 and the values of SnS, InxGa1
xN and AlxGa1
xN material
parameters used in the simulations are shown in Table 2. Absorption
coefficient a(k) of SnS thin film used in this paper is the
same as Ref. [34] and the minority electron lifetime is 0.8 ls
[37]. For n-InxGa1
xN/p-SnS and n-AlxGa1
xN/p-SnS heterojunction
solar cells, the minority electron lifetime strongly affects the
overall efficiency since most of the light absorption occurs in the
p-type layer. The electron and hole mobilities of SnS are 4.3 [37]
and 130 cm2 V
1 s

1 [1], respectively. The electron mobility, along with
the minority electron lifetime, will determine the minority
electron diffusion length which in turns affects the device effi-
ciency. The surface recombination velocities are 2 104 cm s
1 [37].
Constant bowing parameters 1.43 and 0.69 are used for the
band gaps of InxGa1
xN and AlxGa1
xN, respectively (see the
expressions of band gaps in Table 1). The formulae of the relative
permittivity and effective density of states in the conduction band
and valence band are obtained from the linear interpolation of the
corresponding parameters of InN and GaN. Absorption coefficient a
(k) of InxGa1
xN and AlxGa1
xN is the same as Ref. [38]. Hole lifetimes
as high as 6.5, 5.4 ns and 20 ns have been observed in GaN,
InN and AlN, respectively [39–41]. However, InxGa1
xN and
AlxGa1
xN alloys are likely to have lower lifetimes due to compositional
fluctuations, and therefore 1 ns minority hole lifetime was
assumed [25]. The electron and hole mobilities were calculated

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2. พารามิเตอร์สำหรับแบบจำลองนิพจน์ของ InxGa1 xN และอัลลอยด์ xN AlxGa1 อยู่ในตารางที่ 1 และค่าของ SnS, InxGa1 xN และ AlxGa1 xN วัสดุพารามิเตอร์ที่ใช้ในการจำลองแบบจะแสดงในตารางที่ 2 การดูดซึมa(k) สัมประสิทธิ์ของ SnS ฟิล์มใช้ในเอกสารนี้คือการเหมือนรหัส [34] และชนกลุ่มน้อยอิเล็กตรอนอายุการใช้งานคือ 0.8 ls[37] . สำหรับ heterojunction xN/p-SnS xN/p-SnS และ n AlxGa1 n-InxGa1เซลล์แสงอาทิตย์ อายุการใช้งานอิเล็กตรอนส่วนน้อยขอมีผลการประสิทธิภาพโดยรวมส่วนใหญ่ของการดูดซึมแสงที่เกิดขึ้นในการชนิด p ชั้น Mobilities อิเล็กตรอนและหลุมของ SnS จะ 4.3 [37]และ s V 1 cm2 1301 [1], ตามลำดับ การเคลื่อนของอิเล็กตรอน พร้อมกับชนกลุ่มน้อยอิเล็กตรอนอายุการใช้งาน กำหนดส่วนน้อยความยาวการกระจายอิเล็กตรอนซึ่งจะมีผลต่ออุปกรณ์ effi-อำนาจตัดสินใจ ความเร็วผิว recombination s 2 104 ซม. 1 [37]พารามิเตอร์การโค้งคำนับคงที่ 1.43 และ 0.69 จะใช้สำหรับการวงช่องว่างของ InxGa1 xN และ AlxGa1 xN ตามลำดับ (ดูนิพจน์ของวงช่องว่างในตารางที่ 1) สูตรความสัมพันธ์permittivity และความมีประสิทธิภาพของรัฐในการนำและวาเลนซ์แบนด์จะได้รับจากวิธีการประมาณค่าเชิงเส้นของการพารามิเตอร์ที่สอดคล้องกันของ InN และกัน สัมประสิทธิ์การดูดซับ(k) ของ InxGa1 xN และ AlxGa1 xN จะเหมือนกับรหัส [38] อายุการใช้งานของหลุมสูงถึง 6.5, 5.4 ns และ 20 ns ได้รับการปฏิบัติในไอแลนด์อินน์และ AlN ตามลำดับ [39 – 41] อย่างไรก็ตาม InxGa1 xN และโลหะผสม AlxGa1 xN มีมักจะมีอายุการใช้งานต่ำเนื่องจาก compositionalเปลี่ยนแปลง และดังนั้น 1 ns ส่วนน้อยหลุมตลอดสันนิษฐาน [25] คำนวณ mobilities อิเล็กตรอนและหลุม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

2. พารามิเตอร์สำหรับการจำลอง
นิพจน์ของ InxGa1? xN และโลหะผสม AlxGa1? xN มีการระบุไว้ใน
ตารางที่ 1 และค่านิยมของ SNS, InxGa1? xN และ AlxGa1? xN วัสดุ
พารามิเตอร์ที่ใช้ในการจำลองจะแสดงในตารางที่ 2 การดูดซึม
ค่าสัมประสิทธิ์ ( k) ของฟิล์มบาง SNS ใช้ในบทความนี้เป็น
เช่นเดียวกับ Ref [34] และอายุการใช้งานของอิเล็กตรอนชนกลุ่มน้อยคือ 0.8 LS
[37] สำหรับ N-InxGa1? xN / P-SNS และ N-AlxGa1? xN / P-SNS เฮเทอโร
เซลล์แสงอาทิตย์, อายุการใช้งานของอิเล็กตรอนชนกลุ่มน้อยอย่างรุนแรงส่งผลกระทบต่อ
ประสิทธิภาพโดยรวมเนื่องจากส่วนใหญ่ของการดูดกลืนแสงที่เกิดขึ้นใน
ชั้น P-ประเภท อิเล็กตรอนและหลุมเคลื่อนที่ของ SNS เป็น 4.3 [37]
และ 130 cm2 V? 1 วินาที
1 [1] ตามลำดับ การเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนพร้อมกับ
อายุการใช้งานของอิเล็กตรอนชนกลุ่มน้อยที่จะเป็นตัวกำหนดชนกลุ่มน้อย
ระยะเวลาในการแพร่กระจายของอิเล็กตรอนซึ่งมีผลต่อการเปลี่ยนอุปกรณ์ประสิทธิภาพการ
ciency ความเร็วพื้นผิวรวมตัวกันอีก 2 ซม. 104 S? 1 [37].
โค้งคงพารามิเตอร์ 1.43 และ 0.69 ใช้สำหรับ
ช่องว่างของวง InxGa1? xN และ AlxGa1? xN ตามลำดับ (ดู
การแสดงออกของช่องว่างวงในตารางที่ 1) สูตรของญาติ
permittivity และความหนาแน่นที่มีประสิทธิภาพของรัฐในการนำวงดนตรี
และวง Valence จะได้รับจากการแก้ไขเชิงเส้นของ
พารามิเตอร์ที่สอดคล้องกันของ Inn and กาน ค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึม
(k) ของ InxGa1? xN และ AlxGa1? xN เป็นเช่นเดียวกับ Ref [38] อายุการใช้งานหลุม
สูงที่สุดเท่าที่ 6.5, 5.4 และ 20 NS NS ได้รับการปฏิบัติในกาน
Inn and ALN ตามลำดับ [39-41] อย่างไรก็ตาม InxGa1? xN และ
AlxGa1? xN โลหะผสมมีแนวโน้มที่จะมีชีวิตลดลงเนื่องจากการ compositional
ความผันผวนและดังนั้นจึง NS 1 อายุการใช้งานหลุมชนกลุ่มน้อยที่ได้รับการ
สันนิษฐานว่า [25] อิเล็กตรอนและหลุมเคลื่อนที่จะถูกคำนวณ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2 . พารามิเตอร์สำหรับการจำลองสถานการณ์การแสดงออกของ inxga1xn alxga1xn โลหะผสมอยู่ในและตารางที่ 1 และค่าของ SNS inxga1xn alxga1xn วัสดุและพารามิเตอร์ที่ใช้ในการจำลองแสดงในตารางที่ 2 การดูดซึมแบบฟิล์มบาง ( K ) ของ SNS ใช้ในบทความนี้คือเดียวกับอ้างอิง [ 34 ] และชนกลุ่มน้อยอิเล็กตรอนเท่ากับ 0.8 - ตลอดชีวิต[ 37 ] สำหรับ n-inxga1xn / p-sns n-alxga1xn / p-sns heterojunction และเซลล์แสงอาทิตย์ เสียงส่วนน้อยอิเล็กตรอนต่อชีวิตอย่างยิ่งประสิทธิภาพโดยรวมเนื่องจากส่วนใหญ่ของการดูดกลืนแสงเกิดขึ้นในชั้นพี . อิเล็กตรอนและหลุม mobilities ของ SNS เป็น 4.3 [ 37 ]และ 130 CM2 V1 s1 [ 1 ] ) อิเล็กตรอนเคลื่อนที่ พร้อมด้วยส่วนน้อยที่อิเล็กตรอนจะกำหนดชีวิต ชนกลุ่มน้อยอิเล็กตรอนกระจายซึ่งจะมีผลต่อความยาว effi - อุปกรณ์ประสิทธิภาพ . พื้นผิวการความเร็ว 2 104 ซม. S1 [ 37 ]คงที่ค่า 1.43 และ 0.69 โค้งใช้สำหรับวงดนตรีและช่องว่างของ inxga1xn alxga1xn ตามลำดับ ( ดูการแสดงของวงดนตรีช่องว่างในตารางที่ 1 ) สูตรของญาติป้อนที่มีประสิทธิภาพและความหนาแน่นของสหรัฐอเมริกาในการนำวงดนตรี2 วง และได้จากการประมาณค่าในช่วงเชิงเส้นของพารามิเตอร์ที่เกี่ยวข้องของโรงแรมกาน . การดูดซึมแบบ( k ) และ inxga1xn alxga1xn เหมือนกับอ้างอิง [ 38 ] หลุมตลอดชีวิตสูง 6.5 , 5.4 และ NS 20 ns ได้พบใน GAN ,โรงแรม 39 – ALN ตามลำดับ [ 41 ] อย่างไรก็ตาม inxga1xn และalxga1xn โลหะผสมมีแนวโน้มจะลดลงเนื่องจากส่วนประกอบที่ยาวนานความผันผวน ดังนั้น 1 2 หลุมตลอดชีวิตเป็นส่วนน้อยสันนิษฐาน [ 25 ] อิเล็กตรอนและหลุม mobilities คำนวณ