First principles plane-wave calcula

First principles plane-wave calculations showed that the functionalization of TMD structures by adatom adsorption (for example, Cr, Fe, Ni, Mo, O, Pt, Ti, Ge, Si, and V) and formation of vacancy defects (single, double and triple vacancies in TMDs) [370]. It was shown 44that local magnetic moments could be achieved by the adsorption of particular transition-metal atoms besides Si and Ge atoms. In the case of vacancy defects, only triple vacancy generated in single layer MoS2 which accelerated a magnetic properties, while other vacancy defects have not induced any magnetic properties. On the other hand, in semiconducting MoTe2, WS2 and MoSe2,single vacancy induced long-range antiferromagnetic properties [367]. It has been reported that isotropic strain also increased the magnetic properties of the single layer MX2, particularly for Se and S nanosheets. It was shown that magnetic moment produced by strain was associated withstronger ionic-covalent bonds. On the other hand, magnetic coupling strength variation and ferromagnetism associated with the strain were assumed to develop from the effects of throughspace and through-bond interaction [371]. The magnetic property present in single layer MX2 is entirely different from graphene layers [372]. These functionalization studies recommend the opportunity of using TMDs in spintronics and nanoelectronics applications.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หลักการแรกการคำนวณคลื่นระนาบแสดงให้เห็นว่าการทำงานของโครงสร้าง TMD โดยการดูดซับ adatom (เช่น Cr, Fe, Ni, Mo, O, Pt, Ti, Ge, Si และ V) และการก่อตัวของข้อบกพร่องที่ว่าง (เดี่ยว สองคู่ และตำแหน่งงานว่างสามตำแหน่งใน TMD) [370] แสดงให้เห็น44 ว่าโมเมนต์แม่เหล็กเฉพาะที่สามารถทำได้โดยการดูดซับอะตอมของโลหะทรานซิชันโดยเฉพาะ นอกเหนือจากอะตอม Si และ Ge ในกรณีของข้อบกพร่องด้านตำแหน่งว่าง จะมีเพียงตำแหน่งว่างสามตำแหน่งเท่านั้นที่สร้างขึ้นในMoS2 ชั้นเดียว ซึ่งเร่งคุณสมบัติทางแม่เหล็ก ในขณะที่ข้อบกพร่องด้านตำแหน่งอื่นๆ ไม่ได้กระตุ้นให้เกิดคุณสมบัติทางแม่เหล็กใดๆ ในทางกลับกัน ในสารกึ่งตัวนำ MoTe2, WS2 และ MoSe2 ตำแหน่งว่างเดี่ยวจะเหนี่ยวนำให้เกิดคุณสมบัติต้านเฟอร์โรแมกเนติกระยะไกล [367] มีรายงานว่าสายพันธุ์ไอโซโทรปิกยังเพิ่มคุณสมบัติทางแม่เหล็กของ MX2 ชั้นเดียว โดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับนาโนชีต Se และ S แสดงให้เห็นว่าโมเมนต์แม่เหล็กที่เกิดจากความเครียดมีความสัมพันธ์กับพันธะไอออนิก-โควาเลนต์ที่แรงกว่า ในทางกลับกัน ความแปรผันของความแข็งแรงของคัปปลิ้งแม่เหล็กและเฟอร์ริกแม่เหล็กที่เกี่ยวข้องกับความเครียดนั้นถูกสันนิษฐานว่าพัฒนาจากผลกระทบของปฏิสัมพันธ์ผ่านอวกาศและผ่านพันธะผ่านพันธะ [371] คุณสมบัติของแม่เหล็กที่มีอยู่ใน MX2 ชั้นเดียวแตกต่างไปจากชั้นกราฟีนโดยสิ้นเชิง [372] การศึกษาเกี่ยวกับฟังก์ชันการทำงานเหล่านี้แนะนำโอกาสในการใช้ TMD ในแอปพลิเคชันสปินทรอนิกส์และนาโนอิเล็กทรอนิกส์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หลักการแรก การคำนวณคลื่นระนาบแสดงให้เห็นว่าการทำงานของ TMD
โครงสร้างที่ถูกดูดซับโดยอะตอม (เช่น Cr, Fe, Ni, Mo, O, Pt, Ti, Ge, Si และ V) และ
การก่อตัวของข้อบกพร่องที่ว่าง (ตำแหน่งเดี่ยวตำแหน่งคู่และตำแหน่งสามตำแหน่งใน TMDs) [370] มันแสดง
44
โมเมนต์แม่เหล็กในท้องถิ่นสามารถทำได้โดยการดูดซับโลหะที่มีการเปลี่ยนแปลงเฉพาะ
อะตอมนอกเหนือจากอะตอม Si และ Ge กรณีมีตำแหน่งว่างบกพร่อง
ชั้นเดียว MoS2 เร่งแม่เหล็กในขณะที่ข้อบกพร่องที่ว่างอื่น ๆ ไม่ได้
เหนี่ยวนำแม่เหล็กใด ๆ ในเซมิคอนดักเตอร์ MoTe2, WS2 และ MoSe2,
สมบัติต่อต้านเฟอร์โรแม่เหล็กในระยะยาวที่เกิดจากตำแหน่งว่างเดียว [367] มีรายงานว่า
สายพันธุ์ isotropic ยังเพิ่มแม่เหล็กของชั้นเดียว MX2 โดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับ Se
และเอสนาโนชิป ผลการวิจัยพบว่าช่วงเวลาแม่เหล็กที่เกิดจากความเครียดนั้นเหมือนกับ
พันธะโควาเลนต์ไอออนที่แข็งแกร่งขึ้น ในทางกลับกัน mag

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หลักการแรกของการคํานวณคลื่นระนาบแสดงให้เห็นว่าการทํางานของTMD
โครงสร้างที่ดูดซับอะตอม(เช่นโครเมียมเหล็กแมงกานีสโครเมียมออกซิเจนโครเมียมไททาเนียมไททาเนียมซิลิคอนและแมงกานีส)และ
การก่อตัวของข้อบกพร่องในช่องว่าง(ช่องว่างเดี่ยวสองและสามในTMDs ) [ 370 ] มันถูกแสดงให้เห็น
44
แรงบิดแม่เหล็กในท้องถิ่นสามารถทําได้โดยการดูดซับโลหะการเปลี่ยนแปลงเฉพาะ
อะตอมอื่น ๆ ยกเว้นซิลิคอนและฮีเลียม. ในกรณีของข้อบกพร่องตําแหน่งว่างมีเพียงสามตําแหน่งว่างเท่านั้น
ชั้นเดียวของไททาเนียมซัลไฟด์เร่งแม่เหล็กในขณะที่ข้อบกพร่องของช่องว่างอื่นๆไม่ได้
สัมผัสแม่เหล็กใดๆ ในทางกลับกันในอนุภาคเซมิคอนดักเตอร์2,WS2และMoSe2,
ช่องว่างเดี่ยวที่เกิดจากคุณสมบัติทางแม่เหล็กไฟฟ้าในระยะยาว[ 367 ] มีรายงานว่า
ความเครียดisotropicยังเพิ่มสมบัติทางแม่เหล็กของชั้นเดี่ยวmx 2โดยเฉพาะอย่างยิ่งสําหรับse
และ ชิป s นาโน. ผลการทดลองแสดงให้เห็นว่าช่วงเวลาแม่เหล็กที่เกิดจากความเครียด
พันธะโควาเลนต์ไอออนที่แข็งแรงขึ้น ในทางกลับกันการเปลี่ยนแปลงความแรงของแม่เหล็กและ
คิดว่าferromagneticที่เกี่ยวข้องกับความเครียดเกิดจากผลกระทบของช่องว่างและปฏิสัมพันธ์ระหว่างพันธะ[ 371 ] แม่เหล็กที่มีอยู่ในชั้นเดียวMX 2คือ
แตกต่างจากชั้นกราฟีนอย่างสิ้นเชิง[ 372 ] งานวิจัยเหล่านี้แนะนํา
โอกาสที่จะใช้TMDsในการประยุกต์ใช้spinelectronicsและnanoelectronics