Low-energy ion irradiation of DNA i

Low-energy ion irradiation of DNA is of great interest in fundamental studies on mechanisms involved in
low-energy ion beam induced mutation, plasma sterilization and ionizing radiation risk of lives. We have
made the first attempt to use low-energy ions in plasma immersion ion implantation and deposition (PIII-D)
to bombard naked plasmid DNA to investigate effect on the DNA structural modification and mutation.
Naked DNA samples were immersed in either argon or nitrogen plasma in low pressure and then bombarded
by ions in the plasma in different conditions, namely, using a low bias of −2.5 kV, or no bias, in which the
sample holder was either grounded or not grounded, to low fluences of 1011, 1012 and 1013 ions/cm2. The
plasma-treated DNA was transferred into bacteria E. coli. Mutation was found from the bacterial colonies
when DNA was bombarded with the bias, but not found when DNA was bombarded without a bias. This
indicates that ions with energy only at the order of the thermal energy cannot induce mutation but with lowenergy
of keV the ions can. Subsequent gel electrophoresis and DNA sequencing analyzed the DNA structural
changes and found certain modifications in the DNA forms.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การฉายรังสีไอออนพลังงานต่ำของดีเอ็นเอเป็นที่น่าสนใจมากในการศึกษาพื้นฐานในกลไกการมีส่วนร่วมใน
ลำแสงไอออนพลังงานต่ำการกลายพันธุ์เกิดการฆ่าเชื้อพลาสม่าและความเสี่ยงรังสีของชีวิต เราได้
ทำให้ความพยายามครั้งแรกที่จะใช้ไอออนพลังงานต่ำในการฝังไอออนแช่พลาสมาและการสะสม (PIII-D)
จะโจมตีพลาสมิดดีเอ็นเอเปลือยกายในการตรวจสอบผลกระทบต่อการปรับเปลี่ยนโครงสร้าง DNA และการกลายพันธุ์.
ตัวอย่างดีเอ็นเอเปลือยถูกแช่อยู่ในทั้งอาร์กอนหรือไนโตรเจน พลาสม่าในความดันต่ำและทิ้งระเบิดแล้ว
โดยไอออนในพลาสมาในสภาพที่แตกต่างกันคือการใช้อคติต่ำ -2.5 กิโลโวลต์หรือไม่มีอคติซึ่ง
ถือตัวอย่างถูกกักบริเวณหรือไม่ได้ต่อสายดินเพื่อ fluences ต่ำ 1011, 1012 และไอออน 1,013 / cm2
พลาสม่าที่ได้รับดีเอ็นเอถูกย้ายเข้าไปในแบคทีเรียอีโคไล ถูกพบการกลายพันธุ์จากแบคทีเรีย
เมื่อดีเอ็นเอถูกถล่มด้วยอคติ แต่ไม่พบเมื่อดีเอ็นเอถูกมะรุมมะตุ้มปราศจากอคติ นี้
แสดงให้เห็นว่าไอออนที่มีพลังงานเพียงคำสั่งของพลังงานความร้อนที่ไม่สามารถก่อให้เกิดการกลายพันธุ์ แต่มี lowenergy
ของเคฟไอออนสามารถ ข่าวคราวตามมาและลำดับดีเอ็นเอวิเคราะห์โครงสร้างดีเอ็นเอ
เปลี่ยนแปลงและพบว่าการปรับเปลี่ยนบางอย่างในรูปแบบดีเอ็นเอ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การฉายรังสีไอออนพลังงานต่ำของดีเอ็นเอมีความสนใจอย่างมากในการศึกษาขั้นพื้นฐานในกลไกที่เกี่ยวข้องใน
- พลังงานลำแสงไอออนพลาสมาและการชักนำให้เกิดการกลายพันธุ์ , ฆ่าเชื้อรังสีความเสี่ยงของชีวิต เรามี
ทำให้ความพยายามครั้งแรกที่จะใช้ในการปลูกฝังไอออนไอออนพลังงานต่ำแช่พลาสมา และการ piii-d )
การทิ้งระเบิดเปลือยเพื่อศึกษาผลในพลาสมิดดีเอ็นเอดีเอ็นเอ โครงสร้างการเปลี่ยนแปลงและการกลายพันธุ์
เปลือยตัวอย่างดีเอ็นเอถูกแช่อยู่ในไนโตรเจนอาร์กอนหรือพลาสมาความดันต่ำ แล้วระดมยิง
โดยไอออนในพลาสมาในเงื่อนไขที่แตกต่างกัน ได้แก่ การใช้ค่าต่ำของ− 2.5 กิโล หรือ ไม่มีอคติ ซึ่ง
ตัวอย่าง ผู้ถูกกักบริเวณหรือกักบริเวณ ให้คุณ fluences ต่ำ ,และไอออน 1012 1013 / cm2
พลาสม่าดีเอ็นเอถือว่าถูกย้ายเข้าไปในแบคทีเรีย E . coli . การกลายพันธุ์ที่พบจากแบคทีเรียโคโลนี
เมื่อ DNA ที่ถูกระดมยิงด้วยอคติ แต่ไม่พบดีเอ็นเอที่ถูกระดมยิงโดยไม่ลำเอียง นี้บ่งชี้ว่า ไอออนที่มีพลังงาน
เท่านั้นที่สั่งไม่ก่อให้เกิดการกลายพันธุ์ แต่ด้วยพลังงานความร้อน lowenergy
ของเคฟไอออนสามารถเจล และต่อมาการจัดลำดับดีเอ็นเอวิเคราะห์ดีเอ็นเอโครงสร้างการเปลี่ยนแปลงและการปรับเปลี่ยนบางอย่างใน
พบดีเอ็นเอรูปแบบ