In this photograph, it is possible

In this photograph, it is possible to confirm that the SOI layer is very thin by using the gate metal as a comparison. We developed the advanced fabrication technology and process technology that makes this possible. Expansion into Digital Devices We will verify the fundamental characteristics that would result if we use this transistor in a digital CMOS device. Figure 3 compares the power supply voltage dependency of the minimum operating cycle time for a processor manufactured using this process with that of an equivalent device. Compared to bulk CMOS devices, SOI-CMOS devices can have reduced power supply voltage while maintaining operating performance, and can greatly reduce power consumption. The reduction of junction capacitance in SOI structure transistors prominently appears as a performance comparison. We have already developed low power consumption 256 kb SRAM using the above characteristics and will expand it as mixed logic components.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในภาพนี้ มันเป็นไปได้เพื่อยืนยันว่า ชั้นซอยมาก โดยใช้โลหะประตูเป็นการเปรียบเทียบ เราพัฒนาเทคโนโลยีการผลิตขั้นสูงและเทคโนโลยีการผลิตที่ทำให้นี้ได้ ขยายเป็นดิจิทัลอุปกรณ์เราจะตรวจสอบลักษณะพื้นฐานที่จะทำให้ถ้าเราใช้ทรานซิสเตอร์นี้อุปกรณ์ CMOS ดิจิตอล รูปที่ 3 เปรียบเทียบอ้างอิงแรงดันจัดหาพลังงานของคำนวณเวลาวงจรสำหรับตัวประมวลผลการผลิตโดยใช้กระบวนการนี้กับอุปกรณ์เทียบเท่า เปรียบเทียบจำนวนมากอุปกรณ์ CMOS อุปกรณ์ CMOS ซอยสามารถได้ลดแรงดันไฟฟ้าพลังงานในขณะที่ผลการรักษา และสามารถลดการใช้พลังงานอย่างมาก การลดลงของความเชื่อมต่อในซอยโครงสร้าง transistors จึงปรากฏเป็นการเปรียบเทียบประสิทธิภาพ เราได้พัฒนาพลังงาน 256 kb SRAM ใช้ลักษณะข้างต้นแล้ว และจะขยายเป็นคอมโพเนนต์ตรรกะผสม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในรูปนี้ก็เป็นไปได้ที่จะยืนยันว่าชั้นซอยบางมากโดยใช้โลหะที่ประตูการเปรียบเทียบ เราได้พัฒนาเทคโนโลยีการผลิตขั้นสูงและเทคโนโลยีกระบวนการที่ทำให้เป็นไปได้นี้ การขยายตัวในอุปกรณ์ดิจิตอลเราจะตรวจสอบลักษณะพื้นฐานที่จะส่งผลถ้าเราใช้ทรานซิสเตอร์ในอุปกรณ์ดิจิตอล CMOS รูปที่ 3 เปรียบเทียบการพึ่งพาแหล่งจ่ายไฟแรงดันไฟฟ้าของรอบเวลาการดำเนินงานขั้นต่ำสำหรับการประมวลผลที่ผลิตโดยใช้กระบวนการนี​​้กับที่ของอุปกรณ์เทียบเท่า เมื่อเทียบกับอุปกรณ์ CMOS กลุ่มอุปกรณ์ซอย CMOS สามารถมีแรงดันไฟฟ้าที่ลดลงในขณะที่รักษาผลการดำเนินงานและสามารถลดการใช้พลังงาน การลดลงของความจุแยกโครงสร้างทรานซิสเตอร์ซอยเด่นปรากฏเป็นการเปรียบเทียบประสิทธิภาพ เราได้พัฒนาแล้วการใช้พลังงานต่ำ 256 กิโล SRAM ใช้ลักษณะข้างต้นและจะขยายเป็นส่วนประกอบตรรกะผสม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในรูปนี้ มันเป็นไปได้ที่จะยืนยันว่าซอยเป็นชั้นบางมาก โดยใช้ประตูโลหะเป็นเปรียบเทียบ เราได้พัฒนาเทคโนโลยีการผลิตขั้นสูงและกระบวนการเทคโนโลยีที่ทำให้นี้เป็นไปได้ การขยายเข้าไปในอุปกรณ์ดิจิตอล เราจะตรวจสอบวิเคราะห์นั้นจะส่งผล ถ้าเราใช้ทรานซิสเตอร์นี้ในอุปกรณ์ CMOS ดิจิตอลรูปที่ 3 เปรียบเทียบแหล่งจ่ายไฟแรงดันอ้างอิงของรอบเวลาการดำเนินงานขั้นต่ำสำหรับตัวประมวลผลที่ผลิตโดยใช้กระบวนการนี้เทียบเท่ากับที่ของอุปกรณ์ เมื่อเทียบกับขนาดใหญ่ CMOS อุปกรณ์ soi-cmos อุปกรณ์สามารถลดแรงดันไฟฟ้าขณะใช้งาน และสามารถลดการใช้พลังงานการแยกความจุในโครงสร้างซอยทรานซิสเตอร์เด่นชัดปรากฏเป็นประสิทธิภาพการเปรียบเทียบ เราได้พัฒนาแล้วต่ำพลังงาน 256 kb SRAM ใช้ลักษณะข้างต้น และจะขยายเป็นส่วนประกอบตรรกะผสม