The BSWCNT-based power diode contai

The BSWCNT-based power diode contains three types of
resistance: contact (quantum) resistance (Ro), scattering
resistance or DC resistance (R,), and contact (interfacial)
resistance (Re) . The three resistances RQ, Rs, and Rc are in
series as shown in Fig. 6. Contact (quantum) resistance is a
direct result of a funnel effect in which a huge number of
electrons confined in 20 or 3D metal contacts flows into a 10
system, which is equal to hl2i (h is Planck's constant, and e
is the electron charge) for each conducting channel as
described in [20]-[32].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไดโอด BSWCNT ใช้พลังงานประกอบด้วยสามชนิดต้านทาน: ผู้ติดต่อ (ควอนตัม) ความต้านทาน (Ro), โปรยต้านทาน หรือความต้านทาน DC (R,), และการติดต่อ (interfacial)ความต้านทาน (Re) ทานสาม RQ อาร์เอส และ Rc อยู่ในชุดตามที่แสดงใน Fig. 6 ต้านทานติดต่อ (ควอนตัม) เป็นการตรงผลของลักษณะกรวยซึ่งจำนวนมากของอิเล็กตรอนถูกขังใน 20 หรือ 3D ติดต่อโลหะไหลเป็นสิบระบบ ซึ่งเท่ากับ hl2i (h เป็นค่าคงของของพลังค์ และอีมีประจุอิเล็กตรอน) สำหรับแต่ละช่องทำเป็นใน [20] - [32]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไดโอดอำนาจตาม BSWCNT มีสามประเภทของ
ความต้านทาน: ติดต่อ (ควอนตัม) ความต้านทาน (Ro) กระเจิง
ต้านทานหรือความต้านทานดีซี (r) และติดต่อ (สัมผัส)
ต้านทาน (Re) สามความต้านทาน RQ, อาร์เอสและ Rc อยู่ใน
ซีรีส์ดังแสดงในรูป 6. สถานที่ติดต่อ (ควอนตัม) ความต้านทานเป็น
ผลโดยตรงจากการมีผลบังคับใช้ช่องทางในการที่จำนวนมากของ
อิเล็กตรอนคุมขังอยู่ใน 20 หรือ 3D สัมผัสโลหะไหลลงสู่ 10
ระบบซึ่งเท่ากับ hl2i (h คือคงตัวของพลังค์และ e
คือ อิเล็กตรอนเสียค่าใช้จ่าย) สำหรับแต่ละช่องการดำเนินการตามที่
อธิบายไว้ใน [20] - [32]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การใช้พลังงาน bswcnt ไดโอดมีสามประเภทของ
ความต้านทาน : ติดต่อ ( Quantum ) ความต้านทาน ( RO ) , การกระเจิง
ต้านทานหรือ DC ความต้านทาน ( R ) และติดต่อ ( ผิวหน้า )
ต้านทาน ( อีกครั้ง ) สามความต้านทาน RQ , RS และ RC ใน
ชุดดังแสดงในรูปที่ 6 ติดต่อ ( Quantum ) ความต้านทานเป็น
เป็นผลโดยตรงของกรวยผลที่ตัวเลขขนาดใหญ่ของ
อิเล็กตรอนที่ถูกกักอยู่ใน 20 หรือ 10
ติดต่อโลหะไหลลงสู่ระบบ ซึ่งก็เท่ากับ hl2i ( h คือค่าคงที่ของพลังค์ และ E
เป็นอิเล็กตรอนประจุ ) สำหรับแต่ละการช่องทาง
ที่อธิบายไว้ใน [ 20 ] - [ 32 ]