Finally, by ion sputtering, the thi

Finally, by ion sputtering, the thickness of the Pt electrode was
adjusted by the sputtering time, 4, 8, 12, and 16 nm. Fig. 5(a) presents
the impedance measurement in each module. The lowest
resistance was observed when the thickness and width of the
TiO2 film were fixed to 5 mm and 12 lm, respectively

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สุดท้าย โดยพ่นไอออน ความหนาของอิเล็กโทรด Pt ได้ปรับปรุงการ sputtering, 4, 8, 12 และ 16 nm นำเสนอ 5(a) fig.การวัดความต้านทานในแต่ละโมดูล ต่ำสุดต้านทานถูกสังเกตเมื่อความหนาและความกว้างของการฟิล์ม TiO2 มีถาวร 5 มม.และ 12 lm ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในที่สุดโดยสปัตเตอร์ไอออนความหนาของอิเล็กโทรด Pt ถูก
ปรับตามเวลาสปัตเตอร์, 4, 8, 12 และ 16 นาโนเมตร มะเดื่อ 5 (ก) นำเสนอ
การตรวจวัดสมรรถภาพในแต่ละโมดูล ต่ำสุด
ต้านทานพบว่าเมื่อความหนาและความกว้างของ
ภาพยนตร์เรื่องนี้ได้รับการแก้ไข TiO2 ถึง 5 มิลลิเมตรและ 12 ไมครอนตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในที่สุด โดยไอออนส , ความหนาของ PT ขั้วไฟฟ้า
ปรับเวลาทำงาน 4 , 8 , 12 และ 16 nm . ภาพที่ 5 ( ) เสนอ
ค่าการวัดในแต่ละโมดูล ความต้านทานต่ำสุด
) เมื่อความหนาและความกว้างของ
) ภาพยนตร์ได้รับการแก้ไขถึง 5 มม. และ 12 โดย ตามลำดับ