widening of the depletion region. T

widening of the depletion region. This widening of the depletion region will establish too great a barrier for the majority carriers to overcome, effectively reducing the majority car rier flow to zero, as shown in Fig. 1.13a The number of minority carriers, however, entering the depletion region will not change resulting in minority-carrier flow vectors of the same magnitude indicated in Fig. 1.12c with no applied voltage. The current that exists under reverse-bias conditions is called the reverse saturation current and is represented by Ir. The reverse saturation current is seldom more than a few microamperes and typically in nA, except for high-power devices. The term saturation comes from the fact that it reaches its maximum level quickly and does not change significantly with increases in the reverse-bias potential, as shown on the diode characteristics of Fig. 1.15 for VD e reverse-biased conditions are depicted in Fig. 1.13b for the diode symbol and p-njunction. Note, in particu lar, that the direction of Isis against the arrow ofthe symbol. Note also that the negative side of the applied voltage is connected to the p-type material and the positive side to the n-type ma- terial, the difference in underlined letters for each region revealing a reverse-bias condition.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การขยับขยายของภูมิภาคพร่อง การขยับขยายของภูมิภาคพร่องนี้จะสร้างมากเกินไปเป็นอุปสรรคสำหรับผู้ให้บริการส่วนใหญ่ที่จะเอาชนะได้อย่างมีประสิทธิภาพลดการไหลส่วนใหญ่ rier รถไปที่ศูนย์ดังแสดงในรูป 1.13a จำนวนของผู้ให้บริการรายย่อย แต่เข้าสู่ภูมิภาคพร่องจะไม่เปลี่ยนแปลงที่เกิดขึ้นในเวกเตอร์การไหลของชนกลุ่มน้อยที่ผู้ให้บริการของขนาดเดียวกันที่แสดงในรูป 1.12c ไม่มีแรงดันไฟฟ้า ปัจจุบันที่มีอยู่ภายใต้เงื่อนไขที่ย้อนกลับอคติเรียกว่าอิ่มตัวปัจจุบันย้อนกลับและเป็นตัวแทนจาก Ir ความอิ่มตัวในปัจจุบันกลับเป็นไม่ค่อยเกินกี่ microamperes และโดยทั่วไปในนายกเว้นสำหรับอุปกรณ์พลังงานสูง ความอิ่มตัวของคำที่มาจากความจริงที่ว่ามันถึงระดับสูงสุดได้อย่างรวดเร็วและไม่มีการเปลี่ยนแปลงอย่างมีนัยสำคัญกับการเพิ่มขึ้นที่อาจเกิดขึ้นย้อนกลับอคติดังแสดงในลักษณะของรูปไดโอด 1.15 สำหรับ VD E เงื่อนไขย้อนกลับลำเอียงที่ปรากฎในรูป 1.13b สัญลักษณ์ไดโอดและ P-njunction หมายเหตุใน particu LAR ที่ทิศทางของไอซิสกับลูกศร ofthe สัญลักษณ์ ยังทราบว่าด้านลบของแรงดันไฟฟ้าที่ใช้เชื่อมต่อกับวัสดุ P-ชนิดและด้านบวกกับชนิดเอ็น terial ma- ความแตกต่างในตัวอักษรที่ขีดเส้นใต้ในแต่ละภูมิภาคเผยให้เห็นสภาพกลับอคติ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การขยับขยายของการพร่องภูมิภาค การขยับขยายของภูมิภาคนี้ลดลงมากจะสร้างอุปสรรคสำหรับคนส่วนใหญ่ผู้ที่จะเอาชนะได้ ลดการไหล rier ส่วนใหญ่รถศูนย์ ดังแสดงในรูปที่ 1.13a จำนวนของพาหะส่วนน้อยแต่เข้าสู่การเขตจะไม่มีการเปลี่ยนแปลงที่เกิดขึ้นในกระแสของพาหะเวกเตอร์ขนาดเดียวกันที่ระบุในรูป 1.12c กับ ไม่ใช้ไฟฟ้า ปัจจุบันที่มีอยู่ภายใต้เงื่อนไขการไบอัสกลับ เรียกว่า กระแสย้อนกลับอิ่มตัว และแทนด้วย IR ที่กระแสย้อนกลับอิ่มตัวไม่ใคร่เป็นมากกว่าไม่กี่ microamperes และโดยปกติในนา ยกเว้นอุปกรณ์แรงสูง . ระยะอิ่มตัวมาจากข้อเท็จจริงที่ว่ามันถึงระดับสูงสุดของมันอย่างรวดเร็ว และไม่มีการเปลี่ยนแปลงอย่างมีนัยสำคัญเพิ่มขึ้นในการย้อนกลับอคติที่อาจเกิดขึ้น ดังแสดงในรูปที่ 1.15 สำหรับไดโอดลักษณะของ E ลําเอียงกลับเงื่อนไขที่ปรากฎในรูปที่ 1.13b สำหรับไดโอดสัญลักษณ์และ p-njunction . หมายเหตุ ใน particu ลาร์ ที่ทิศทางของ Isis กับลูกศรของสัญลักษณ์ นอกจากนั้น ด้านลบของความต่างศักย์เชื่อมต่อกับพีวัสดุและด้านบวกกับแม่ - terial ทั่วไป ความแตกต่างในการขีดเส้นใต้ตัวอักษรสำหรับแต่ละภูมิภาค เผยกลับมีเงื่อนไข