The current record efficiency for c

The current record efficiency for crystalline silicon (c-Si) is 25%
for the mono-crystalline cell and 20.8% for the multi-crystalline
cell. The silicon heterostructure cell achieved recently a record of
25.6% [21]. The 25% mono-crystalline silicon record has been
achieved with a wafer-made cell, but significant advances have
been also achieved on the deposition of mono-crystalline silicon
with a record cell achieving 21.2%. Films well below 50 mm can
be produced allowing to minimize the Auger Recombination, and
therefore this technology has the potential for high efficiency and low-cost. The maximum theoretical cell efficiency for c-Si is 29%.On the practical level roughly 26% could be achieved, which is slightly above the current record cell. This could eventually lead to a commercial module efficiency of up to 24% to be achieved with a mono-crystalline thin-film material, advanced cell design and ideal use of module area. Most current commercial c-Si modules are in the efficiency range of 14–17% [22]. On the long run a shift
to the 17–24% range can be expected.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ประสิทธิภาพระเบียนปัจจุบันสำหรับผลึกซิลิคอน (ซีซี) เป็น 25%สำหรับเซลล์ผลึกโมโนและ 20.8% สำหรับผลึกหลายเซลล์ Heterostructure เซลล์ซิลิคอนเมื่อเร็ว ๆ นี้ได้บันทึก25.6% [21] เรกคอร์ดโมโนผลึกซิลิคอน 25% ได้รับประสบความสำเร็จกับเซลล์เวเฟอร์ทำ แต่มีความก้าวหน้าอย่างมีนัยสำคัญทั้งยังได้รับจากการสะสมของผลึกโมโนซิลิคอนมีเซลล์คอร์ดบรรลุ 21.2% ภาพยนตร์ต่ำกว่า 50 มม.สามารถผลิตให้เพื่อลดการรวมตัวกันสว่าน และดังนั้น เทคโนโลยีนี้มีศักยภาพ สำหรับประสิทธิภาพสูง และต้น ทุนต่ำ ประสิทธิภาพสูงสุดทางทฤษฎีเซลล์สำหรับ c-ซีเป็น 29% ในระดับปฏิบัติ ประมาณ 26% สามารถทำได้ ซึ่งเป็นเล็กน้อยเหนือเซลล์ระเบียนปัจจุบัน ในที่สุดนี้อาจนำไปสู่ประสิทธิภาพโมดูเชิงพาณิชย์สูงถึง 24% จะทำได้ ด้วยวัสดุฟิล์มบางผลึกโมโน ออกแบบเซลล์ขั้นสูง และใช้ของโมดูล โมดูล c-ซีพาณิชย์ล่าสุดอยู่ในช่วงประสิทธิภาพ 14 – 17% [22] ในระยะยาวการเปลี่ยนแปลงร้อยละ 17 – 24 ช่วงสามารถคาดหวัง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ประสิทธิภาพระเบียนปัจจุบันสำหรับผลึกซิลิคอน (C-Si) เป็น 25%
สำหรับเซลล์โมโนผลึกและ 20.8% สำหรับหลายผลึก
เซลล์ เซลล์ซิลิคอน heterostructure ประสบความสำเร็จเมื่อเร็ว ๆ นี้บันทึกของ
25.6% [21] 25% บันทึกโมโนผลึกซิลิกอนได้รับการ
ประสบความสำเร็จกับเซลล์เวเฟอร์ทำ แต่ความก้าวหน้าที่สำคัญได้
รับการประสบความสำเร็จในการสะสมของโมโนผลึกซิลิคอน
ด้วยเซลล์บันทึกการบรรลุ 21.2% ภาพยนตร์ต่ำกว่า 50 มมสามารถ
ผลิตได้จะช่วยในการลด Auger รวมตัวกันอีกและ
ดังนั้นเทคโนโลยีนี้มีศักยภาพในการที่มีประสิทธิภาพสูงและต้นทุนต่ำ ประสิทธิภาพการใช้มือถือสูงสุดทางทฤษฎีสำหรับ C-Si เป็น 29% .On ระดับการปฏิบัติประมาณ 26% จะประสบความสำเร็จซึ่งเป็นเล็กน้อยเหนือเซลล์ระเบียนปัจจุบัน นี้ในที่สุดอาจนำไปสู่ประสิทธิภาพโมดูลเชิงพาณิชย์ได้ถึง 24% ที่จะประสบความสำเร็จกับโมโนผลึกวัสดุฟิล์มบางออกแบบมือถือขั้นสูงและการใช้งานที่เหมาะสมของพื้นที่โมดูล มากที่สุดในปัจจุบันในเชิงพาณิชย์โมดูล C-Si จะอยู่ในช่วงวันที่ 14-17 ประสิทธิภาพของ% [22] ในระยะยาวให้มีการเปลี่ยนแปลง
ในช่วง 17-24% คาดว่าจะสามารถ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ประสิทธิภาพบันทึกปัจจุบันผลึกซิลิคอน ( c-si ) 25%สำหรับผลึกโมโนเซลล์และ 20.8 % สำหรับหลายผลึกเซลล์ โครงสร้างของซิลิคอนเซลล์ได้รับเมื่อเร็ว ๆนี้บันทึก25.6 % [ 21 ] 25% ซิลิคอนผลึกโมโนบันทึกได้บรรลุกับเวเฟอร์ทำเซลล์ แต่ความก้าวหน้าทางด้านมีได้รับยังได้รับการเคลือบซิลิคอนผลึกโมโนกับบันทึกเซลล์บรรลุ 21.2 % ภาพยนตร์กว่า 50 มม. สามารถผลิต ช่วยให้ลดการสว่าน และดังนั้น เทคโนโลยีนี้มีศักยภาพสำหรับประสิทธิภาพสูงและราคาถูก ประสิทธิภาพสูงสุดทางทฤษฎีเซลล์ c-si 29 เปอร์เซ็นต์ ในระดับปฏิบัติได้ประมาณ 26% ซึ่งเป็นเล็กน้อยข้างต้นของเซลล์ระเบียนปัจจุบัน นี้ในที่สุดจะนำไปสู่ประสิทธิภาพของโมดูลพาณิชย์ถึง 24 % ที่จะเกิดขึ้นได้กับวัสดุฟิล์มบางของผลึกโมโน , การออกแบบเซลล์ขั้นสูงและเหมาะใช้พื้นที่โมดูล โมดูล c-si พาณิชย์ในปัจจุบันส่วนใหญ่อยู่ในช่วง 14 - 17 % ประสิทธิภาพ [ 22 ] บนยาวกะในช่วง 17 - 24 % สามารถคาด