The dependence of in-plane residual

The dependence of in-plane residual stress (s) onTa is illustrated
in Fig. 4. For the as-deposited film, s was in tensile direction with a
magnitude of 0.93 GPa and almost remained for the sample after a
annealing of Ta ¼ 450
C, since no significant microstructural and
grain size alterations were observed. A minimum value of s was
found for the sample annealed at 500
C, which presumably results
from the nucleation of L10 ordering. The L10 ordering leads to a
volumetric expansion and atomic rearrangement [23,24], which
releases the preformed tensile stress. A similar stress behavior was
also found in the FePt annealed using a conventional vacuum
furnace [17].With increasing Ta from 500 to 650
C, the s increases
from 0.73 to 1.65 GPa, while the average grain size increased from
about 5 to 8 nm, as shown in the inset of Fig. 4. Theoretically, this
grain growth can induce the tensile stress of FePt film by more than
3 GPa by annihilation of grain boundaries [25]. Our samples show a
mitigated value of about 1 GPa probably owing to the dynamic
stress relaxation during annealing [15,26]. This interpretation also
can be applied to the stress behavior of the samples as Ta was
increased from 700 to 800
C, where a measured tensile stress of
0.8 GPa is induced by a significant grain growth from about 9.1 to
25 nm. However, rather interestingly, the findings appear to be
inconsistent with that of the sample with increasing Ta from 650 to
700
C. The fact shows that a huge tensile stress of 0.9 GPa is
induced without extensive grain growth. The origin for this tensile
stress generation is not fully understood yet. This might be correlated
to the surface oxidation between L10 FePt phase and residual
atmosphere in the RTA chamber during annealing [10]. In addition,
it was suggested that the oxidation of capping layer might result in
the in-plane tensile stress on the underlying FePt layer [27]. Surface
oxidation causes a volumetric expansion of FePt lattice, which in
turn induces a compressive surface stress since the oxide FePt layer
is bonded by the unoxided FePt film. As a counterpart, the unoxided
FePt part is expected to bear a tensile stress induced by surface
oxidation layer

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แสดงให้เห็นการพึ่งพาของ onTa ความเครียดตกค้างในเครื่องบิน (s)ในรูป 4 สำหรับฟิล์มฝากเป็น s เป็นในทิศทางของแรงดึงด้วยการขนาดของ 0.93 GPa และเกือบเหลือสำหรับตัวอย่างหลังจากหลอมของตา ¼ 450 C ตั้งแต่ไม่สำคัญจุลภาค และเปลี่ยนแปลงขนาดของเมล็ดข้าวถูกสังเกต ค่าต่ำสุดของ sพบตัวอย่างที่อบที่ 500 C ซึ่งน่าจะส่งผลจาก nucleation สั่ง L10 L10 สั่งนำไปสู่การขยายตัวตามปริมาตรและการปรับปรุงใหม่อะตอม [23,24], ซึ่งปล่อยความเค้นแรงดึง preformed ลักษณะการทำงานความเครียดความคล้ายยัง พบได้ใน FePt อบใช้ดูดฝุ่นทั่วไปเตา [17] ตาที่เพิ่มขึ้นจาก 500 ถึง 650 C, s เพิ่มขึ้นจาก 0.73 ไป 1.65 GPa ในขณะที่ขนาดเมล็ดเฉลี่ยเพิ่มขึ้นจากประมาณ 5-8 nm ดังที่แสดงในแทรกรูป 4 ในทางทฤษฎี นี้เจริญเติบโตของเกรนสามารถก่อให้เกิดความเค้นแรงดึง FePt ฟิล์มโดยมากกว่า3 เกรดเฉลี่ย โดยการทำลายล้างของขอบเกรน [25] แสดงตัวอย่างการลดค่าประมาณ 1 GPa อาจเนื่องจากแบบไดนามิกผ่อนคลายความเครียดระหว่างการหลอม [15,26] การตีความนี้ยังสามารถใช้ลักษณะการทำงานความเครียดตัวอย่างเช่นตาเพิ่มขึ้นจาก 700 ถึง 800 C ซึ่งการวัดค่าความเค้นของ0.8 เกรดเฉลี่ยถูกเหนี่ยวนำ โดยการเติบโตของข้าวที่สำคัญจากประมาณ 9.1 การ25 nm อย่างไรก็ตาม แต่ที่น่าสนใจ ผลการวิจัยปรากฏเป็นสอดคล้องกับที่ของตัวอย่างด้วยตาจาก 650 ไปค. 700 ความจริงที่แสดงให้เห็นว่าความเค้นแรงดึงมากของผล 0.9เกิด โดยครอบคลุมเมล็ดเจริญเติบโต จุดเริ่มต้นนี้แรงดึงสร้างความเครียดจะไม่เข้าใจได้ นี้อาจสัมพันธ์การออกซิเดชันที่ผิวระหว่าง L10 FePt เฟสและส่วนที่เหลือบรรยากาศในห้อง RTA หลอม [10] นอกจากนี้เขาแนะนำว่า อาจทำออกซิเดชันของฝาชั้นในเครื่องบินแรงดึงความเครียดบนชั้น FePt พื้นฐาน [27] พื้นผิวสาเหตุการเกิดออกซิเดชันที่ขยายตัวตามปริมาตรของ FePt ตาข่าย ซึ่งในเปิดก่อให้เกิดความเครียดแรงอัดที่ผิวตั้งแต่ชั้น FePt ออกไซด์ถูกผูกมัด โดย unoxided ฟิล์ม FePt เป็นคู่ การ unoxidedส่วน FePt จะต้องทนความเค้นแรงดึงที่เกิดจากพื้นผิวออกซิเดชันชั้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การพึ่งพาอาศัยของ In-Plane ความเค้นตกค้าง (s) Onta จะแสดง
ในรูปที่ 4.
สำหรับภาพยนตร์ตามที่ฝากก็คือแรงดึงในทิศทางที่มีขนาด0.93 GPa
และเกือบจะยังคงเป็นตัวอย่างหลังจากที่หลอมตา¼ 450
องศาเซลเซียสเนื่องจากไม่มีจุลภาคที่สำคัญและเมล็ดข้าวที่มีการปรับเปลี่ยนขนาดถูกตั้งข้อสังเกต ค่าต่ำสุดของ s ถูก
พบตัวอย่างอบที่ 500 องศาเซลเซียสซึ่งสันนิษฐานว่าเป็นผลมา
จากนิวเคลียสของ L10 สั่งซื้อ L10 สั่งซื้อนำไปสู่
​​การขยายปริมาตรและอะตอมสายใย [23,24] ซึ่ง
เผยแพร่ความเครียดแรงดึง preformed พฤติกรรมความเครียดที่คล้ายกันนอกจากนี้ยังพบใน FePt
อบโดยใช้เครื่องดูดฝุ่นธรรมดาเตา [17] กีฬาทางน้ำที่เพิ่มขึ้นตา 500-650 องศาเซลเซียสเพิ่มขึ้น s 0.73-1.65 จีพีในขณะที่ขนาดของเมล็ดข้าวเฉลี่ยเพิ่มขึ้นจากประมาณ5-8 นาโนเมตรดังแสดงในภาพประกอบของรูป 4. ทฤษฎีนี้การเจริญเติบโตของข้าวสามารถทำให้เกิดความเครียดแรงดึงของฟิล์ม FePt มากกว่า3 จีพีโดยการทำลายล้างของข้าวเขตแดน [25] ตัวอย่างของเราแสดงให้เห็นถึงมูลค่าที่ลดลงประมาณ 1 GPa อาจเนื่องจากแบบไดนามิกการผ่อนคลายความเครียดในระหว่างการอบอ่อน[15,26] การตีความนี้ยังสามารถนำมาใช้กับพฤติกรรมความเครียดของกลุ่มตัวอย่างเป็นตาได้รับการเพิ่มขึ้น 700-800 องศาเซลเซียสซึ่งเป็นความเครียดแรงดึงวัด0.8 เกรดเฉลี่ยที่เกิดจากการเจริญเติบโตของเมล็ดข้าวอย่างมีนัยสำคัญจากการ 9.1 25 นาโนเมตร แต่ค่อนข้างน่าสนใจการค้นพบที่ดูเหมือนจะไม่สอดคล้องกับที่ของกลุ่มตัวอย่างที่มีการเพิ่มขึ้นตาไป 650 จาก 700 C ความจริงที่แสดงให้เห็นว่าความเครียดแรงดึงขนาดใหญ่ 0.9 GPa ถูกเหนี่ยวนำให้เกิดการเจริญเติบโตของเมล็ดพืชโดยไม่กว้างขวาง ที่มาแรงดึงนี้สำหรับรุ่นความเครียดยังไม่เข้าใจเลย ซึ่งอาจจะมีความสัมพันธ์กับการเกิดออกซิเดชันพื้นผิวระหว่าง L10 ขั้นตอนที่เหลือ FePt และบรรยากาศในห้องRTA ในระหว่างการอบอ่อน [10] นอกจากนี้มันก็ชี้ให้เห็นว่าการเกิดออกซิเดชันของชั้นสูงสุดที่กำหนดอาจส่งผลในระนาบความเครียดแรงดึงในชั้น FePt พื้นฐาน [27] พื้นผิวการเกิดออกซิเดชันที่ทำให้เกิดการขยายตัวของปริมาตร FePt ตาข่ายซึ่งในทางกลับก่อให้เกิดความเครียดผิวอัดตั้งแต่ชั้นออกไซด์ FePt ผูกมัดโดยภาพยนตร์ FePt unoxided ในฐานะที่เป็นคู่ให้ unoxided FePt ส่วนหนึ่งคาดว่าจะแบกความเครียดแรงดึงที่เกิดจากพื้นผิวชั้นออกซิเดชัน