where c is the phase fraction, n is

where c is the phase fraction, n is the Avrami exponent, t is the annealing
time, and δ is the kinetics constant. This equation describes heterogeneous
germination, where α and γ crystals develop simultaneously
with time during annealing. In addition, the germination rates of α and
γ crystals, are inversely proportional. Those results are in agreement
with results published for stainless steel thin films fabricated by
sputtering

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สัดส่วนเฟส c, n เป็นเลขชี้กำลัง Avrami, t คือ การหลอมเวลา และδคือ ค่าคงของจลนพลศาสตร์ สมการนี้อธิบายต่างกันซึ่งαและγผลึกพัฒนาพร้อมกัน การงอกเวลาในการหลอม นอกจากนี้ อัตราการงอกของα และΓผลึก เป็นสัดส่วนตรงกันข้าม ผลเหล่านั้นเป็นที่ตกลงด้วยผลลัพธ์ที่เผยแพร่สำหรับฟิล์มบางสแตนที่ประดิษฐ์โดยสปัตเตอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่ c เป็นส่วนเฟส n เป็นตัวแทน Avrami, T คืออบอ่อน
เวลาและδคือจลนพลศาสตร์คงที่ สมการนี้อธิบายที่แตกต่างกัน
งอกที่αและγผลึกพัฒนาไปพร้อม ๆ กัน
กับช่วงเวลาการอบ นอกจากนี้อัตราการงอกของαและ
γผลึกเป็นสัดส่วนผกผัน ผลที่อยู่ในข้อตกลง
ที่มีผลตีพิมพ์ฟิล์มบางสแตนเลสประดิษฐ์โดย
สปัตเตอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เมื่อ C เป็นขั้นตอนเศษส่วน , เป็นผู้สนับสนุน avrami T คือการอบอ่อนเวลาและδเป็นแบบคงที่ สมการนี้อธิบายวิวิธพันธ์การงอกของเมล็ด ที่αγผลึกและพัฒนาไปพร้อมกันกับเวลาในการอบ . นอกจากนี้ อัตราการงอกของαและγผลึก เป็นปฏิภาคผกผัน . ผลลัพธ์เหล่านั้นอยู่ในข้อตกลงกับผลลัพธ์ที่ตีพิมพ์สำหรับสแตนเลสฟิล์มประดิษฐ์โดยสปัตเตอริง