SiO2 deposited on the silicon wafer

SiO2 deposited on the silicon wafers by thermal oxidization is widely
used, because a high quality of chemical passivation can be achieved by
decreasing the interface defect density of the silicon surface [6].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มี SiO2 ฝากบนรับซิลิคอน โดย oxidization ร้อนอย่างกว้างขวางใช้ เนื่องจากคุณภาพของ passivation เคมีสามารถทำได้โดยลดความหนาแน่นความบกพร่องอินเทอร์เฟซของพื้นผิวซิลิคอน [6]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

SiO2
ฝากในซิลิคอนเวเฟอร์โดยออกซิเดชันความร้อนกันอย่างแพร่หลายใช้เพราะมีคุณภาพสูงของฟิล์มสารเคมีสามารถทำได้โดยการลดความหนาแน่นของอินเตอร์เฟซที่มีข้อบกพร่องของพื้นผิวซิลิคอน
[6]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

SiO2 ฝากไว้บนซิลิคอนเวเฟอร์ โดยความร้อนที่ใช้กันอย่างแพร่หลาย
ดี เนื่องจากคุณภาพของรุ้ง เคมีสามารถทำได้โดย
ลดอินเตอร์เฟซของเสียความหนาแน่นของพื้นผิวซิลิคอน [ 6 ]