• Physical challenges: These are du

• Physical challenges: These are due to the increment
of tunneling and leakage currents as the devices are
becoming smaller, thus impacts the performance and
functionality of CMOS devices.
• Material challenges: These basically come from the
inability of the dielectric and wiring materials to provide
reliable insulation and conduction, respectively with
continued scaling.
• Power-thermal challenges: These are because of the ever
increasing number of transistors integrated per unit-area,
which demands larger power consumption and higher
thermal dissipation.
• Technological challenges: These are the results from the
incompetency of lithography-based techniques to provide
the resolution below the wavelength of the light to
manufacture to CMOS devices.
• Economical challenges: These are mainly due to the
rising in cost of production, fab, and testing that may
reach a point where it will be not affordable from
economic point of view.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

•ความจริง: นี่คือเนื่องจากการเพิ่มขึ้น
ของทันเนลและการรั่วไหลของกระแสเป็นอุปกรณ์มี
กลายเป็นขนาดเล็ก จึงได้ส่งผลกระทบต่อประสิทธิภาพการทำงาน และ
ฟังก์ชันการทำงานของอุปกรณ์ CMOS
•วัสดุท้าทาย: เหล่านี้โดยทั่วไปมาจาก
ไม่ dielectric และสายวัสดุให้
ฉนวนที่เชื่อถือได้และนำ ตามลำดับโดยมี
ต่อขนาด
•พลังงานความร้อนความท้าทาย: นี่คือเนื่องจากเคย
เพิ่มจำนวน transistors รวมต่อหน่วยพื้นที่,
ซึ่งต้องใช้พลังงานขนาดใหญ่ และสูง
กระจายความร้อน
•เทคโนโลยีความท้าทาย: เหล่านี้เป็นผลจาก
incompetency เทคนิคภาพพิมพ์หินโดยให้
ความละเอียดต่ำความยาวคลื่นของแสงที่จะ
ผลิตอุปกรณ์ CMOS
•ความประหยัด: เหล่านี้เป็นส่วนใหญ่เนื่องการ
ขึ้นในต้นทุนการผลิต fab และการทดสอบที่พฤษภาคม
ถึงจุดที่มันจะไม่ราคาไม่แพงจาก
มุมมองทางเศรษฐกิจ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

•ความท้าทายทางกายภาพ: เหล่านี้เกิดจากการเพิ่มขึ้น
ของการขุดอุโมงค์และการรั่วไหลของกระแสเป็นอุปกรณ์ที่มี
ขนาดที่เล็กลงจึงส่งผลกระทบต่อประสิทธิภาพการทำงานและ
การทำงานของอุปกรณ์ CMOS
•ความท้าทายวัสดุเหล่านี้โดยทั่วไปมาจาก
การไร้ความสามารถของวัสดุที่เป็นฉนวนและการเดินสายไฟที่จะให้
ฉนวนกันความร้อนที่เชื่อถือได้และการนำตามลำดับที่มี
การปรับอย่างต่อเนื่อง
•ความท้าทายพลังงานความร้อนเหล่านี้เป็นเพราะการที่เคย
เพิ่มจำนวนของทรานซิสเตอร์แบบบูรณาการต่อหน่วยพื้นที่
ที่มีความต้องการใช้พลังงานที่มีขนาดใหญ่และสูงกว่า
ความร้อนกระจาย
•ความท้าทายทางเทคโนโลยีเหล่านี้เป็นผล จาก
incompetency ของเทคนิคการพิมพ์ที่ใช้เพื่อให้มี
ความละเอียดต่ำกว่าความยาวคลื่นของแสงที่
ผลิตไปยังอุปกรณ์ CMOS
•ความท้าทายประหยัด: เหล่านี้ส่วนใหญ่เกิดจากการ
เพิ่มขึ้นของต้นทุนการผลิต Fab และการทดสอบที่อาจจะ
ถึงจุดที่ มันจะไม่ได้ราคาไม่แพงจาก
จุดทางเศรษฐกิจในมุมมองของ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

- ความท้าทายทางกายภาพเหล่านี้เนื่องจากการเพิ่มขึ้นของการก่อสร้างอุโมงค์และการรั่วไหลของกระแสไฟฟ้าเป็น

เป็นอุปกรณ์ขนาดเล็ก ดังนั้น ผลกระทบต่อประสิทธิภาพการทำงานของ CMOS และ

- วัสดุอุปกรณ์ ความท้าทายเหล่านี้จะมาจาก
ไร้ความสามารถของวัสดุไดอิเล็กทริกและการเดินสายไฟเพื่อให้ฉนวนกันความร้อนที่เชื่อถือได้และนำ

) กับ
อย่างต่อเนื่องการ- พลังงานความร้อนความท้าทายเหล่านี้เป็นเพราะเคย
เพิ่มจำนวนทรานซิสเตอร์รวมต่อพื้นที่หน่วย ซึ่งความต้องการพลังงาน
ขนาดใหญ่และการกระจายความร้อนที่สูง
.
- เทคโนโลยีความท้าทายเหล่านี้เป็นผลจาก
ทูลเกล้าฯของหินพื้นฐานเทคนิคให้
ละเอียดด้านล่างความยาวคลื่นของแสง
ผลิต กับ CMOS
อุปกรณ์ .- ประหยัด ความท้าทายเหล่านี้ส่วนใหญ่เนื่องจาก
เพิ่มขึ้นในต้นทุนการผลิต fab และการทดสอบที่อาจ
ถึงจุดที่มันจะไม่ได้มากจาก
มุมมองทางเศรษฐกิจ .