As contact area decreases with feat

As contact area decreases with feature
size, thermal resistivity increases, and the
volume of phase-change material that must
be melted to completely block current
flow decreases. Specifically, as feature size
scales down (1/k), contact area decreases
quadratically (1/k2
). Reduced contact area
causes resistivity to increase linearly (k),
which in turn causes programming current
to decrease linearly (1/k). These effects enable
not only smaller storage elements but
also smaller access devices for current injection.
At the system level, scaling translates
into lower memory-subsystem energy.
Researchers have demonstrated this PCM
scaling mechanism in a 32-nm device
prototype.1,3

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เมื่อลดลงสัมผัสกับคุณลักษณะขนาด เพิ่มความต้านทานความร้อน และการปริมาตรของวัสดุเปลี่ยนเฟสที่ต้องจะละลายในการจะบล็อกปัจจุบันกระแสลดลงด้วย เป็นขนาดของคุณลักษณะเฉพาะเครื่องชั่งน้ำหนักลง (1/k), ติดต่อพื้นที่ลดลงquadratically (1 k2). พื้นที่ที่ลดลงทำให้ความต้านทานการเพิ่มเชิงเส้น (k),ซึ่งจะทำให้เขียนโปรแกรมปัจจุบันลดเชิงเส้น (1/k) ผลกระทบเหล่านี้เปิดใช้งานองค์เท่าเล็กเก็บ แต่ยังมีขนาดเล็กเข้าถึงอุปกรณ์สำหรับฉีดปัจจุบันในระดับระบบ แปลมาตราส่วนเป็นพลังงานระบบย่อยหน่วยความจำต่ำนักวิจัยได้แสดงให้เห็นนี้ PCMปรับกลไกในอุปกรณ์แบบ 32 nmprototype.1,3

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในฐานะที่เป็นพื้นที่ติดต่อกับคุณสมบัติลด
ขนาดความร้อนความต้านทานเพิ่มขึ้นและ
ปริมาณของวัสดุเปลี่ยนเฟสที่ต้อง
ละลายเพื่อป้องกันอย่างสมบูรณ์ในปัจจุบัน
ลดลงไหล โดยเฉพาะขนาดคุณลักษณะ
เครื่องชั่งน้ำหนักลง (1 / K) พื้นที่ติดต่อลดลง
quadratically (1 / K2
) พื้นที่ติดต่อที่ลดลง
ทำให้เกิดความต้านทานจะเพิ่มขึ้นเป็นเส้นตรง (k)
ซึ่งจะทำให้เกิดการเขียนโปรแกรมในปัจจุบัน
จะลดลงเป็นเส้นตรง (1 / K) ผลกระทบเหล่านี้ช่วยให้
องค์ประกอบของการจัดเก็บข้อมูลที่มีขนาดเล็กไม่เพียง แต่
อุปกรณ์ที่ยังมีขนาดเล็กสำหรับการฉีดในปัจจุบัน.
ที่ระดับระบบปรับแปล
เป็นพลังงานในหน่วยความจำของระบบย่อยที่ต่ำกว่า.
นักวิจัยได้แสดงให้เห็นถึง PCM นี้
กลไกการปรับในอุปกรณ์ขนาด 32 นาโนเมตร
prototype.1,3

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นเขตติดต่อกับคุณลักษณะที่ลดลงขนาดความร้อนและความต้านทานเพิ่มขึ้นเปลี่ยนรูป- ปริมาณวัสดุที่ต้องจะละลายไปปิดกั้นกระแสลดอัตราการไหล โดยเฉพาะ เป็นขนาด คุณสมบัติเครื่องชั่งลง ( 1 / K ) , พื้นที่สัมผัสลดลงเกี่ยวกับสมการ 2 ชั้น ( 1 / K2) พื้นที่สัมผัสลดลงทำให้ความต้านทานเพิ่มขึ้นเป็นเส้นตรง ( K )ซึ่งจะทำให้การเขียนโปรแกรมในปัจจุบันลดน้ำหนัก ( 1 / K ) ผลกระทบเหล่านี้ให้ไม่เพียง แต่เล็กกว่ากระเป๋าองค์ประกอบ แต่ยังเล็กเข้าถึงอุปกรณ์สำหรับฉีดยาในปัจจุบันระดับระบบการแปลเข้าไปในระบบความจำ ลดพลังงานนักวิจัยได้แสดงให้เห็นว่า PCM นี้ปรับกลไกในเครื่อง 32 นาโนเมตร34 เครื่อง