1) Stage 1 [t0, t1]: At t0, the gat

1) Stage 1 [t0, t1]: At t0, the gate-emitter voltage vge
reaches the threshold voltage Vth, where the forward current
of the diode id is equal to IL and begins to decline with an
approximately fixed slope. In this period, although the diode
carrier concentration decays rapidly, diode DM retains a
forward voltage drop. The collector-emitter voltage vce of SM
falls to a platform voltage Δvl during this stage.
2
( ) () ( ) c
ce dc s eE
di t vt V L L
dt
=− + (1)
where ic(t) is the collector current though SM. The current
slope dic/dt is determined by the bus voltage Vdc, the loop
parasitic inductances, and the switching speed of switch SM.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

1) ขั้นที่ 1 [t0, t1]: ที่ t0 ที่ประตูอีซีแอล VGE
แรงดันถึงVth
แรงดันเกณฑ์ที่ปัจจุบันไปข้างหน้าของid
ไดโอดเท่ากับอิลลินอยส์และเริ่มที่จะลดลงที่มีความลาดชันคงที่ประมาณ ในช่วงเวลานี้แม้ว่าไดโอดความเข้มข้นของผู้ให้บริการสลายอย่างรวดเร็วไดโอด DM ยังคงมีแรงดันไปข้างหน้าลดลง แรงดันสะสม-อีซีแอล VCE ของเอสเอ็มตกอยู่กับแรงดันแพลตฟอร์มΔvlในระหว่างขั้นตอนนี้. 2 () () () คของซีอีdc เเดิเสื้อ VT VLL dt = - + (1) ที่ไอซี (t) เป็นปัจจุบันเก็บ แต่เอสเอ็ม ปัจจุบันลาด DIC / dt จะถูกกำหนดโดยรถบัสแรงดันไฟฟ้า Vdc, วง inductances กาฝากและความเร็วในการเปลี่ยนสวิทช์ของเอสเอ็ม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

1 ) ระยะที่ 1 [ t0 T1 ] : t0 , ประตูส่งสัญญาณแรงดัน vge
ถึงขีดแรงดัน vth ที่ออกมาปัจจุบัน
ของไดโอด ID เท่ากับอิลและเริ่มลดลงด้วย
ประมาณคงที่ ลาด ในช่วงเวลานี้ , ถึงแม้ว่าไดโอด
ผู้ให้บริการสมาธิสลายตัวอย่างรวดเร็ว ไดโอด DM รักษาการ
ไปข้างหน้าแรงดันไฟฟ้าตก นักสะสมแรงดัน vce SM
อีซีตกลงเป็นแพลตฟอร์มที่แรงดันΔ VL ในระหว่างขั้นตอนนี้ .
2
( ) ( ) ( ) C
CE DC s ee
v
l l di t VT DT
= − 1 )
ที่ IC ( T ) เป็นนักสะสมในปัจจุบัน ถึงแม้ว่า SM ปัจจุบัน
ลาด DIC / DT จะถูกกำหนดโดยรถบัสแรงดัน VDC , ห่วง
ปรสิตตัวเหนี่ยวนำ และเปลี่ยนความเร็วของการสลับ SM