For Semi-Conductor in Figure 1b, a

For Semi-Conductor in Figure 1b, a thermoplastic dielectric is used in modern semiconductor process for doping to get an N-type semiconductor. N-type is a semiconductor with electrons (negative charge) and the P-type carriers is a semiconductor with holes (positive charges). The voltage difference, ( ), produced across the terminals of an open circuit made from a pair of dissimilar materials, whose two junctions are held at different temperatures, is directly proportional to the difference between the hot and cold junction temperatures. The voltage or current produced across the junctions of two different materials is caused by the diffusion of electrons from a high electron density region to a low electron density region, as the density of electrons is different in different materials. The conventional current flows in the opposite direction. The relationship can be described as follows.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับสารกึ่งตัวนำในรูปที่ 1b เป็นฉนวนเทอร์โมพลาสติกที่ใช้ในสารกึ่งตัวนำที่ทันสมัยกระบวนยาสลบจะมีสารกึ่งตัวนำชนิด N ประเภท N คือ ดักกับอิเล็กตรอน (ประจุลบ) และผู้ให้บริการชนิด P เป็นสารกึ่งตัวนำที่ มีรู (บวกค่าธรรมเนียม) แรงดันแตกต่าง, (), ผลิตข้ามขั้วของวงจรการเปิดที่ทำจากวัสดุที่แตกต่างกัน ซึ่งมีทางแยกสองณอุณหภูมิที่แตกต่างกัน มีสัดส่วนโดยตรงกับผลต่างระหว่างอุณหภูมิร้อน และเย็นแยก แรงดันไฟฟ้าหรือปัจจุบันผลิตข้ามทางแยกของสองวัสดุที่แตกต่างเกิดจากกระจายอิเล็กตรอนจากพื้นที่ความหนาแน่นอิเล็กตรอนสูงกับพื้นที่ความหนาแน่นอิเล็กตรอนต่ำ เป็นความหนาแน่นของอิเล็กตรอนในวัสดุที่แตกต่างกัน ปัจจุบันกระแสทั่วไปในทิศทางตรงข้าม ความสัมพันธ์สามารถอธิบายได้ดังนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กึ่งตัวนำในรูปที่ 1B, เทอร์โมอิเล็กทริกที่ใช้ในกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ที่ทันสมัย​​ยาสลบที่จะได้รับ N-สารกึ่งตัวนำชนิด N-type เป็นสารกึ่งตัวนำที่มีอิเล็กตรอน (ประจุลบ) และผู้ให้บริการ P-ชนิดเป็นสารกึ่งตัวนำที่มีรู (บวกค่าบริการ) ความแตกต่างของแรงดันไฟฟ้า () ผลิตในอาคารผู้โดยสารของวงจรเปิดคู่ทำจากวัสดุที่แตกต่างกันซึ่งมีทางแยกสองที่จะมีขึ้นที่อุณหภูมิที่แตกต่างกันเป็นสัดส่วนโดยตรงกับความแตกต่างระหว่างอุณหภูมิแยกร้อนและเย็น แรงดันไฟฟ้าหรือกระแสการผลิตข้ามทางแยกของทั้งสองวัสดุที่แตกต่างที่เกิดจากการแพร่กระจายของอิเล็กตรอนจากอิเล็กตรอนสูงภูมิภาคความหนาแน่นอิเล็กตรอนภูมิภาคความหนาแน่นต่ำในขณะที่ความหนาแน่นของอิเล็กตรอนที่แตกต่างกันในวัสดุที่แตกต่างกัน ปัจจุบันกระแสการชุมนุมในทิศทางตรงกันข้าม ความสัมพันธ์สามารถอธิบายได้ดังต่อไปนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับกึ่งตัวนำในรูป 1B , ฉนวนพลาสติกใช้ในกระบวนการเซมิคอนดักเตอร์ที่ทันสมัยสำหรับการได้รับการทั่วไป ) ทั่วไปเป็นสารกึ่งตัวนำกับอิเล็กตรอน ( ประจุลบ ) และพี ผู้ให้บริการเป็นสารกึ่งตัวนำที่มีรู ( ประจุบวก ) แรงดันไฟฟ้าที่แตกต่าง ( ) ผลิตในขั้วของการเปิดวงจรได้จากคู่ของวัสดุที่แตกต่างกันที่มีสองช่วง จะจัดขึ้นที่อุณหภูมิแตกต่างกัน คือ เป็นสัดส่วนโดยตรงความแตกต่างระหว่างอุณหภูมิร้อนและเย็นแยก แรงดันหรือกระแสที่ผ่านช่วงของวัสดุสองชนิดที่เกิดจากการแพร่กระจายของอิเล็กตรอนจากอิเล็กตรอนความหนาแน่นสูง ) ระดับภูมิภาค เช่น ความหนาแน่นของอิเล็กตรอน , ความหนาแน่นของอิเล็กตรอนที่แตกต่างกันในวัสดุที่แตกต่างกัน การไหลแบบปัจจุบันในทิศทางตรงกันข้าม ความสัมพันธ์สามารถอธิบายได้ดังนี้