The wagon wheel method was develope

The wagon wheel method was developed to determine the ER under a mask
that is aligned along a particular crystallographic direction of a wafer of a given
crystallographic orientation. The idea is that all crystallographic orientations in the
zone of the wafer orientation are offered to the etchant, and one hoped to be able to
extract the rate at which the mask is underetched for all directions in the zone. For
example, to measure the ER of the (111) plane, we make an opening along the (110)
direction which is the intersection line of the (111) plane with wafer surface, and
measure the undercutting of the silicon substrate after a certain time in TMAH. In
order to get the ER of different orientations, a mask consisting of many spokes along
different orientations is designed, as shown in the following picture. This method is
the wagon wheel method
Using this kind of mask, we need to take a SEM view of the cross section of every
spoke, which is time consuming. Besides, since the ER of the (111) plane is very
slow, the underetch of such planes is small, therefore the experimental uncertainty
is large. To overcome these problems, Seidel [7] suggested a mask pattern in a form

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วิธีล้อ wagon ถูกพัฒนาขึ้นเพื่อกำหนด ER ภายใต้รูปแบบการที่สอดคล้องตามทิศทางของแผ่นเวเฟอร์ของ crystallographic เฉพาะที่กำหนดแนว crystallographic ความคิดคือ crystallographic ทุกแนวในการโซนการวางแผ่นเวเฟอร์จะนำเสนอให้ etchant การ และหนึ่งหวังว่าจะสามารถแยกอัตราซึ่งรูปแบบการเป็น underetched สำหรับคำแนะนำทั้งหมดในเขต สำหรับตัวอย่าง การวัด ER ของระนาบ (111) เราทำการเปิดตาม (110)ทิศทางซึ่งเป็นเส้นตัดของระนาบ (111) กับพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์ และวัด undercutting ของพื้นผิวซิลิคอนหลังจากเวลาใน TMAH ในสั่งไป ER ของแนวต่าง ๆ รูปแบบที่ประกอบด้วยหลายซี่ตามแนวต่าง ๆ ถูกออกแบบ ดังที่แสดงในภาพต่อไปนี้ด้วย วิธีนี้คือวิธีล้อ wagonใช้หน้ากากชนิดนี้ เราจำเป็นต้องใช้มุมมอง SEM ของส่วนขนของทุกพูด ซึ่งใช้เวลานาน นอกจาก เนื่องจาก ER ของระนาบ (111) มากช้า underetch ของเครื่องบินดังกล่าวมีขนาดเล็ก ดังนั้นความไม่แน่นอนการทดลองมีขนาดใหญ่ เพื่อเอาชนะปัญหาเหล่านี้ ไซเดิล [7] แนะนำรูปแบบลวดลายในรูปแบบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วิธีล้อเกวียนได้รับการพัฒนาเพื่อตรวจสอบ ER
ภายใต้หน้ากากที่สอดคล้องตามทิศทางcrystallographic
เฉพาะของแผ่นเวเฟอร์ของได้รับการวางแนวทางcrystallographic ความคิดคือการหมุน crystallographic
ทั้งหมดที่อยู่ในโซนของการวางแนวเวเฟอร์มีการเสนอให้etchant
และหนึ่งหวังว่าจะสามารถที่จะดึงอัตราที่หน้ากากจะunderetched สำหรับทุกทิศทางในโซน สำหรับตัวอย่างเช่นในการวัด ER ของ (111) เครื่องบินที่เราจะทำให้การเปิดตาม (110) ทิศทางซึ่งเป็นเส้นจุดตัดของ (111) เครื่องบินกับพื้นผิวเวเฟอร์และวัดundercutting ของพื้นผิวซิลิกอนหลังจากที่บาง เวลาอยู่ใน TMAH ในการสั่งซื้อที่จะได้รับ ER ของทิศทางที่แตกต่างกัน, หน้ากากประกอบด้วยซี่จำนวนมากพร้อมทิศทางที่แตกต่างกันได้รับการออกแบบตามที่แสดงในภาพต่อไปนี้ วิธีนี้เป็นวิธีการที่ล้อเกวียนใช้ชนิดของหน้ากากนี้เราต้องใช้มุมมองSEM ของภาคตัดขวางของทุกพูดซึ่งเป็นเวลานาน นอกจากนี้ตั้งแต่ ER ของ (111) เครื่องบินเป็นอย่างช้าunderetch ของเครื่องบินดังกล่าวมีขนาดเล็กจึงไม่แน่นอนการทดลองที่มีขนาดใหญ่ เพื่อเอาชนะปัญหาเหล่านี้ Seidel [7] แนะนำรูปแบบหน้ากากในแบบฟอร์ม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เกวียนล้อวิธีที่ถูกพัฒนาขึ้นเพื่อตรวจสอบเอ้อภายใต้หน้ากาก
ที่สอดคล้องตามทิศทางทางเฉพาะของเวเฟอร์ของ
ทางได้รับการปฐมนิเทศ ความคิดคือว่า การอบรมทางทั้งหมดใน
โซนของเวเฟอร์ ปฐมนิเทศให้กับ etchant และหวังที่จะสามารถ
สารสกัดจากอัตราที่เป็นหน้ากาก underetched สำหรับเส้นทางในเขต สำหรับ
ตัวอย่างวัดเอ้อ ( 111 ) เครื่องบิน เราต้องเปิดตลอด ( 110 )
ทิศทางซึ่งเป็นจุดตัดของระนาบ ( 111 ) เส้นพื้นผิวเวเฟอร์และ
วัดตัดราคาของซิลิคอนหลังจากเวลาที่แน่นอนใน tmah . ใน
เพื่อรับเอ้อของการอบรมที่แตกต่างกันหน้ากากประกอบด้วยซี่มากมาย ตามประเภทที่แตกต่างกัน
ออกแบบ ดังภาพต่อไปนี้ วิธีนี้เป็นวิธี

ล้อเกวียนที่ใช้ชนิดนี้ของหน้ากาก , เราต้องไปจากมุมมองของภาคตัดขวางของทุก
พูด ซึ่งเป็นเวลานาน นอกจากนี้ ตั้งแต่ ER ของ ( 111 ) เครื่องบินมันมาก
ช้า , underetch ของเครื่องบินดังกล่าวมีขนาดเล็ก ดังนั้นความไม่แน่นอน
ทดลองมีขนาดใหญ่ เพื่อเอาชนะปัญหาเหล่านี้ ไซเดิล [ 7 ] แนะนำรูปแบบในรูปแบบ