For soft lithography, the conventio

For soft lithography, the conventional negative tone resists, such as SU-8, that are used to create the mold
have a number of drawbacks. PMMA, which is normally used as a positive tone resist, can be used as a
negative resist by using high-fluence irradiation conditions. In this report, we outline optimization of
the irradiation conditions for PMMA thin films using 2 MeV H+ ions to exploit their ability to work as
a negative tone resist at ion fluences above 1.0  1015 ions cm2. The main aim was to induce crosslinking
while maintaining the exposed regions free of blisters and maintaining short irradiation times.
We found that by using a two-step process with a low-flux irradiation, followed by a high-flux irradiation,
the exposure time could be shortened by 50%. We also found that ion fluences greater than
5.0  1015 ions cm2 minimized the distortion in stitched regions.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับภาพพิมพ์หินอ่อน เสียงลบทั่วไปพยายามขัดขวาง เช่น SU-8 ที่ใช้ในการสร้างแม่พิมพ์มีจำนวนข้อเสีย PMMA ซึ่งโดยปกติใช้เป็นความต้านทานสัญญาณบวก สามารถใช้เป็นต้านทานเชิงลบ โดยใช้วิธีการฉายรังสีสูง fluence เงื่อนไข ในรายงานนี้ เราเค้าเพิ่มประสิทธิภาพของเงื่อนไขวิธีการฉายรังสีสำหรับ PMMA บางฟิล์มใช้ประจุ 2 MeV H + จะใช้ความสามารถในการทำงานเป็นต่อต้านสัญญาณลบที่ไอออน fluences เหนือ 1.0 1015 ประจุซม. 2 จุดมุ่งหมายหลักคือชวน crosslinkingในขณะที่รักษา พื้นที่สัมผัสฟรีของแผลและรักษาวิธีการฉายรังสีระยะสั้นครั้งเราพบว่า โดยสองขั้นตอนด้วยการไหลต่ำวิธีการฉายรังสี ตาม ด้วยการไหลสูงวิธีการฉายรังสีสามารถลงเวลาแสง 50% นอกจากนี้เรายังพบว่าไอออนมากกว่า fluences5.0 1015 ซม.ประจุ 2 ย่อเล็กสุดเพี้ยนในภูมิภาคที่เย็บ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับพิมพ์หินนุ่มบรรยากาศที่เป็นลบการชุมนุมต่อต้านเช่น SU-8 ที่ใช้ในการสร้างแม่พิมพ์
มีจำนวนของข้อบกพร่อง PMMA ซึ่งโดยปกติจะใช้เป็นเสียงบวกต่อต้านสามารถใช้เป็น
เชิงลบต่อต้านโดยใช้ fluence สูงเงื่อนไขการฉายรังสี ในรายงานฉบับนี้เราร่างการเพิ่มประสิทธิภาพของ
การฉายรังสีสำหรับเงื่อนไข PMMA ฟิล์มบางโดยใช้ 2 MeV ไอออน H + จะใช้ประโยชน์จากความสามารถในการทำงานเป็น
บรรยากาศที่เป็นลบต้านทานที่ fluences ไอออนดังกล่าวข้างต้น 1.0? 1015 ไอออนซม. 2 จุดมุ่งหมายหลักคือการทำให้เกิดการเชื่อมขวาง
ในขณะที่รักษาภูมิภาคสัมผัสฟรีแผลและรักษาเวลาการฉายรังสีสั้น.
เราพบว่าโดยใช้กระบวนการสองขั้นตอนที่มีการฉายรังสีต่ำฟลักซ์ตามด้วยการฉายรังสีสูงไหล
เวลารับแสงที่จะทำได้ จะสั้นลงโดย 50% นอกจากนี้เรายังพบว่าไอออน fluences มากกว่า
5.0? 1015 ไอออนซม. 2 ลดการบิดเบือนในภูมิภาคเย็บ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับรุ่นนุ่ม เสียงเชิงลบแบบต่อต้าน เช่น SU-8 ที่ใช้ในการสร้างแม่พิมพ์
มีจำนวนของข้อเสีย PMMA ซึ่งโดยปกติใช้เป็นสัญญาณบวก ขัดขืน สามารถใช้เป็น
ลบต่อต้านโดยใช้เงื่อนไขการฉายรังสี fluence สูง ในรายงานนี้ เราเพิ่มประสิทธิภาพของ
เค้าร่างการฉายรังสีสภาพฟิล์มบาง PMMA ที่ใช้ 2 MeV H ไอออนเพื่อใช้ประโยชน์จากความสามารถในการทำงานเป็น
เสียงต่อต้าน fluences ไอออนลบที่ด้านบน 1.0  พี่มีไอออนซม.  2 จุดประสงค์หลักคือเพื่อให้เกิดการเชื่อม
ในขณะที่รักษาภูมิภาคสัมผัสฟรีของแผลและรักษาเวลาการฉายสั้น
เราพบว่าการใช้กระบวนการสองขั้นตอนด้วยการฉายรังสีไหลต่ำตามด้วยการฉายรังสีฟลักซ์สูง
การเวลาอาจจะสั้นไป  50% นอกจากนี้เรายังพบว่า ไอออน fluences มากกว่า
5.0  พี่มีไอออนซม.  2 ลดการบิดเบือนในการเย็บภูมิภาค