structure of a MOSFET withthe three

structure of a MOSFET with
the three material layers: the metalgateelectrode, the gate
dielectric,and the silicon substrate. Nowadays,the metal gate
electrode and silicon oxide-based gate dielectric have been
replaced by polycrystalline silicon and high-kmaterial such
as Hf-based Zr-based,respectively [6]

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โครงสร้างของมอสเฟตด้วย
ชั้นวัสดุที่สาม: การ metalgateelectrode ประตู
dielectric และพื้นผิวซิลิกอ ปัจจุบัน ประตูโลหะ
มีอิเล็กโทรดและซิลิคอนออกไซด์ตามประตู dielectric
แทนซิลิคและ kmaterial สูงเช่น
เป็น Hf ใช้ Zr ตาม ตามลำดับ [6]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โครงสร้างของมอสเฟตที่มี
สามชั้นวัสดุ: metalgateelectrode ประตู
อิเล็กทริกและพื้นผิวซิลิกอน ปัจจุบันประตูโลหะ
อิเล็กโทรดและซิลิกอนออกไซด์ตามประตูอิเล็กทริกได้รับการ
แทนที่ด้วยซิลิกอน polycrystalline สูง kmaterial ดังกล่าว
เป็น Hf ตาม Zr ตามลำดับ [6]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โครงสร้างของมอสเฟตกับ
3 วัสดุชั้น : metalgateelectrode ประตู
ไดอิเล็กทริกและซิลิคอน . ทุกวันนี้ ประตูโลหะซิลิคอนออกไซด์
ไฟฟ้าและอิเล็กทริกได้ประตูจากซิลิคอน polycrystalline และ

แทน เช่น kmaterial สูง HF ใช้ ZR ใช้ตามลำดับ [ 6 ]