3.3. Influence of temperature on th

3.3. Influence of temperature on the formation ratio
The influences of the electrode and the electrolyte temperatures
on the formation ratio of the barrier layer thickness is evaluated on
electrodes anodized under three different combinations of electrode
and electrolyte temperatures:TAl = TH2SO4 = 5 ◦C(referred
to as ‘TAl05TH05’), TAl = 5 ◦C at TH2SO4 = 65 ◦C (‘TAl05TH65’),
and TAl = 65 ◦C at TH2SO4 = 5 ◦C (‘TAl65TH05’). For each of these
electrodes the thickness of the barrier layer is determined
by both electrochemical impedance spectroscopy and FE-SEM
analyses.
The Bode plot, containing characteristic experimental spectra
recorded on the three types of electrodes by EIS, is presented in
Fig. 7. These spectra reveal the presence of two time constants.
The time constant in the low frequency regime is associated with
the capacitive behaviour of the barrier layer, whereas that in the
high frequency range accounts for the capacitive behaviour of the
porous oxide structure [27–30]. The equivalent electronic circuit,
3962 T. Aerts et al. / Electrochimica Acta 55 (2010) 3957–3965
Fig. 7. Experimental Bode plot of the characteristic impedances of the three different
considered types of electrodes.
considered for the interpretation of the experimental data, is based
on the circuit proposed by Hoar and Wood [28] and is presented
by the model on the left in Fig. 8 (the solid lines). The two constant
phase elements (CPEs) CPEwall and CPEbarr respectively represent
the capacitive behaviour of the porous oxide structure, and of the
barrier layer. For both features a CPE is considered instead of a ‘pure’
capacitance to be able to account for their possible non-ideal capacitive
behaviour [31,32]. The remaining components Rsol, Rpore and
Rbar respectively represent the resistive behaviour of the solution,
of the solution in the pores, and of the barrier layer. Due to the
difference in their frequency dependency it is possible to separate
the contributions of the barrier layer and of the porous structure to
the overall frequency response of the oxide layer. For example, the
spectra of Fig. 7mainly contain information on the impedance of the
barrier layer; to be able to fully observe the impedance response
of the porous structure higher frequencies should be considered.
Therefore, the general equivalent circuit at the left in Fig. 8 can be
simplified to the equivalent model depicted at the right-hand side
in this figure. Based on the latter, the capacitive behaviour of the
barrier layer is determined.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.3. อิทธิพลของอุณหภูมิอัตราการก่อตัวอิทธิพลของการไฟฟ้าและอุณหภูมิอิเล็กโทรการจัดตั้ง อัตราส่วนของความหนาของชั้นกั้นจะถูกประเมินในเครื่องหุงตสามภายใต้ชุดของอิเล็กโทรดและอุณหภูมิอิเล็กโทร: ทัล = TH2SO4 = 5 ◦C (เรียกว่าการเป็น 'TAl05TH05'), ทัล = 5 ◦C ที่ TH2SO4 = 65 ◦C ('TAl05TH65'),และทัล = 65 ◦C ที่ TH2SO4 = 5 ◦C ('TAl65TH05') สำหรับแต่ละเหล่านี้กำหนดความหนาของชั้นกั้นหุงตกความต้านทานไฟฟ้าและ FE SEMวิเคราะห์พล็อต Bode ประกอบด้วยลักษณะทดลองแรมสเป็คตราบันทึกไว้ในสามชนิดหุงตโดย EIS นำเสนอในFig. 7 แรมสเป็คตราเหล่านี้เปิดเผยสถานะของค่าคงที่เวลาสองเกี่ยวข้องกับค่าคงเวลาในระบอบความถี่ต่ำพฤติกรรมควบคุมของอุปสรรคชั้น ในขณะที่ในการช่วงความถี่สูงบัญชีสำหรับพฤติกรรมควบคุมของการโครงสร้างออกไซด์ porous [27-30] เทียบเท่าวงจรอิเล็กทรอนิกส์ต. 3962 Aerts et al. / Electrochimica คตา 55 (2010) 3957-3965Fig. 7 ทดลองพล็อต Bode ของ impedances ลักษณะทั้งสามคนแตกต่างกันพิจารณาชนิดหุงตพิจารณาสำหรับการตีความข้อมูลทดลอง อยู่ในวงจรที่นำเสนอ โดย Hoar และไม้ [28] และนำเสนอโดยใช้แบบจำลองทางด้านซ้ายใน Fig. 8 (เส้นทึบ) ค่าคง 2ระยะองค์ประกอบ (CPEs) CPEwall และ CPEbarr ตามลำดับแทนควบคุมพฤติกรรม ของโครงสร้างออกไซด์ porous และการชั้นกั้นไว้ คุณลักษณะทั้งสอง ถือเป็น CPE แทนที่ 'บริสุทธิ์'ความสามารถให้พวกเขาได้ไม่ใช่เหมาะควบคุมพฤติกรรม [31,32] เหลือส่วนประกอบ Rsol, Rpore และRbar หมายถึงพฤติกรรมการทานของโซลูชัน ตามลำดับโซลูชัน ในรูขุมขน และชั้นกำแพง เนื่องการอ้างอิงของความถี่ที่สามารถแยกความแตกต่างการจัดสรร ของชั้นกั้น และโครงสร้าง porousตอบสนองความถี่โดยรวมของชั้นออกไซด์ ตัวอย่าง การแรมสเป็คตราของ Fig. 7mainly ประกอบด้วยข้อมูลเกี่ยวกับความต้านทานของการสิ่งกีดขวางชั้น เพื่อให้สามารถสังเกตการตอบสนองต่อความต้านทานทั้งหมดโครงสร้าง porous ควรคำนึงถึงความถี่สูงดังนั้น เป็นวงจรเทียบเท่าทั่วไปที่ด้านซ้ายใน Fig. 8จะแบบเทียบเท่าที่แสดงทางด้านขวามือในรูปนี้ ตามหลัง พฤติกรรมควบคุมของการขึ้นชั้นกั้นอยู่

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.3 อิทธิพลของอุณหภูมิที่มีต่ออัตราการสร้างอิทธิพลของอิเล็กโทรดและอุณหภูมิอิเล็กโทรไลในอัตราส่วนการก่อตัวของความหนาของชั้นอุปสรรคได้รับการประเมินในขั้วไฟฟ้าเนียมภายใต้สามชุดที่แตกต่างกันของขั้วไฟฟ้าและอิเล็กโทรไลอุณหภูมิ: Tal TH2SO4 = = 5 ◦C (เรียกไปเป็น 'TAl05TH05') TAL = 5 ◦Cที่ TH2SO4 = 65 ◦C (TAl05TH65 ') และทัล = 65 ◦Cที่ TH2SO4 = 5 ◦C (TAl65TH05) สำหรับแต่ละเหล่านี้ขั้วความหนาของชั้นอุปสรรคจะกำหนดทั้งสเปกโทรสโกและความต้านทานไฟฟ้าFE-SEM วิเคราะห์. พล็อตเป็นลางบอกเหตุที่มีการทดลองลักษณะสเปกตรัมที่บันทึกอยู่ในสามประเภทของขั้วไฟฟ้าโดย EIS จะนำเสนอในรูป 7. สเปกตรัมเหล่านี้แสดงให้เห็นถึงการปรากฏตัวของสองค่าคงที่เวลา. เวลาคงที่ในระบอบการปกครองความถี่ต่ำมีความสัมพันธ์กับพฤติกรรมของชั้น capacitive อุปสรรคในขณะที่อยู่ในบัญชีช่วงความถี่สูงสำหรับพฤติกรรมcapacitive ของโครงสร้างออกไซด์ที่มีรูพรุน[27 -30] วงจรอิเล็กทรอนิกส์เทียบเท่า3,962 ตัน Aerts et al, / Electrochimica Acta 55 (2010) 3957-3965 รูป 7. พล็อตการทดลองเป็นลางบอกเหตุของความต้านทานลักษณะของทั้งสามที่แตกต่างกันประเภทการพิจารณาของอิเล็กโทรด. พิจารณาสำหรับการแปลความหมายของข้อมูลการทดลองที่จะขึ้นอยู่ในวงจรที่เสนอโดยผมหงอกและไม้ [28] และถูกนำเสนอโดยรูปแบบทางด้านซ้ายในรูป 8 (สายแข็ง) ทั้งสองคงองค์ประกอบเฟส (CPEs) CPEwall และ CPEbarr ตามลำดับเป็นตัวแทนของพฤติกรรมcapacitive ของโครงสร้างออกไซด์ที่มีรูพรุนและของชั้นอุปสรรค ทั้งมี CPE เป็นที่ยอมรับว่าแทนที่จะเป็น 'บริสุทธิ์' ความจุที่จะสามารถบัญชีสำหรับ capacitive ที่ไม่เป็นไปอุดมคติของพวกเขาพฤติกรรม[31,32] ส่วนประกอบที่เหลือ RSOL, Rpore และRbar ตามลำดับเป็นตัวแทนของพฤติกรรมการทานของการแก้ปัญหาของการแก้ปัญหาในรูขุมขนและชั้นอุปสรรค เนื่องจากความแตกต่างในการพึ่งพาความถี่ของพวกเขามันเป็นไปได้ที่จะแยกผลงานของชั้นและอุปสรรคของโครงสร้างรูพรุนเพื่อการตอบสนองความถี่โดยรวมของชั้นออกไซด์ ยกตัวอย่างเช่นสเปกตรัมของรูป 7mainly มีข้อมูลเกี่ยวกับความต้านทานของชั้นอุปสรรค; เพื่อให้สามารถอย่างเต็มที่สังเกตการตอบสนองความต้านทานของโครงสร้างรูพรุนความถี่สูงควรได้รับการพิจารณา. ดังนั้นวงจรเทียบเท่าทั่วไปที่ด้านซ้ายในรูป 8 สามารถง่ายเทียบเท่ากับรูปแบบที่ปรากฎที่ด้านขวามือในรูปนี้ ขึ้นอยู่กับหลังพฤติกรรม capacitive ของชั้นอุปสรรคจะถูกกำหนด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.3 . อิทธิพลของอุณหภูมิต่ออัตราการก่อตัว
อิทธิพลของไฟฟ้าและอุณหภูมิต่อการอิเล็กโทรไลต์
อัตราส่วนของชั้นกั้นหนาคือการประเมินเกี่ยวกับ
ขั้วไฟฟ้า anodized ภายใต้สามชุดค่าผสมที่แตกต่างกันของขั้วไฟฟ้า
และอุณหภูมิอิเล็กโทร : Tal = th2so4 = 5 ◦ C ( เรียกว่าเป็น ' '
tal05th05 Tal = 5 ) ◦ C ที่ th2so4 = 65 ◦ C ( 'tal05th65
' )