The fabrication process is schemati

The fabrication process is schematically illustrated in Fig. 1. A silicon substrate is first cleaned in piranha solution (3:1, H2SO4 98%:H2O2 30%) at 80 C for half an hour, followed by rinsing repeatedly with ultrapure water and is subsequently dried with nitrogen. Image reversal photoresist AZ 5214-E from MicroChemicals GmbH is dispensed to cover 40% of silicon substrate area and then spuncoated at 2000 rpm to obtain a 2 lm thick photoresist layer. This process is followed by pre-bake at 110 C for 120 s. Five microliter of 10 wt.% aqueous suspensions PS nanospheres with 500 nm mean diameter (Brookhaven Instruments Ltd.) is diluted in distilled water and the mixture is deposited on the photoresist surface using a micropipette and spread evenly. After forming the closepacked arrays of nanospheres over the photoresist, the sample is exposed to UV light using Canon PLA-501FA mask aligner with 400 nm wavelength at low exposure energy. The PS nanospheres are then washed off in distilled water using ultrasonic bath and followed by developing process of photoresist in AZ 351 developer, rinsing by DI water and drying by nitrogen. All aforementioned steps were preformed in class-100 clean room.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Schematically มีแสดงกระบวนการผลิตใน Fig. 1 ก่อนมีการทำความสะอาดพื้นผิวซิลิคอนในโซลูชันปลาปิรันยา (3:1 กำมะถัน 98%: H2O2 30%) ที่ 80 C สำหรับครึ่งชั่วโมง ตาม ด้วยการล้างซ้ำด้วยน้ำ ultrapure และต่อมาได้แห้งกับไนโตรเจน รูปกลับ photoresist AZ 5214-E จาก MicroChemicals GmbH เป็นคำเพื่อครอบคลุม 40% ของพื้นที่พื้นผิวซิลิกอน แล้ว spuncoated ที่ 2000 rpm รับชั้นหนา photoresist lm 2 กระบวนการนี้ตาม ด้วยอบก่อนที่ 110 C สำหรับ 120 s ได้ 5 ไมโครลิตรของ wt.% 10 อควีฟโร nanospheres PS กับ 500 nm หมายถึงเส้นผ่าศูนย์กลาง (Brookhaven เครื่องมือ จำกัด) ถูกทำให้เจือจางในการกลั่นน้ำ และส่วนผสมเป็นฝากบนผิว photoresist micropipette การใช้ และกระจาย หลังจากขึ้นรูปอาร์เรย์ closepacked nanospheres ผ่าน photoresist ตัวอย่างสัมผัสกับแสง UV ด้วยแคนนอนปลา 501FA หน้ากาก aligner nm ความยาวคลื่น 400 ที่พลังงานมาก PS nanospheres แล้วล้างออกในน้ำกลั่นที่ใช้อัลตราโซนิกน้ำ และตาม ด้วยการพัฒนากระบวนการในพัฒนา AZ 351 photoresist ล้าง ด้วยน้ำ DI และแห้ง โดยไนโตรเจน ขั้นตอนดังกล่าวทั้งหมดถูก preformed ในคลาส-100...

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กระบวนการผลิตที่มีการแสดงแผนผังในรูป 1. พื้นผิวซิลิกอนทำความสะอาดครั้งแรกในการแก้ปัญหาปิรันย่า (3: 1, H2SO4 98%: 30% H2O2) ที่ 80 องศาเซลเซียสเป็นเวลาครึ่งชั่วโมงตามด้วยการล้างซ้ำด้วยน้ำบริสุทธิ์และต่อมามีการอบแห้งที่มีไนโตรเจน การกลับภาพ photoresist AZ 5214-E จาก MicroChemicals GmbH จะจ่ายเพื่อให้ครอบคลุม 40% ของพื้นที่พื้นผิวซิลิคอนและ spuncoated แล้วที่ 2,000 รอบต่อนาทีเพื่อให้ได้สารไวแสงชั้น 2 ไมครอนหนา ขั้นตอนนี้จะตามด้วยก่อนอบที่ 110 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 120 วินาที ห้าไมโครลิตร 10 น้ำหนัก.% แขวนลอยน้ำ PS nanospheres 500 นาโนเมตรหมายถึงเส้นผ่าศูนย์กลาง (Brookhaven เครื่องมือ จำกัด ) เป็นเจือจางในน้ำกลั่นและส่วนผสมที่ถูกวางลงบนพื้นผิวที่ไ​​วแสงโดยใช้ไมโครและแพร่กระจายอย่างสม่ำเสมอ หลังจากสร้างอาร์เรย์ closepacked ของ nanospheres มากกว่าไวแสงที่กลุ่มตัวอย่างมีการสัมผัสกับแสงยูวีที่ใช้ Canon PLA-501FA หน้ากาก Aligner ที่มีความยาวคลื่น 400 นาโนเมตรที่เปิดรับพลังงานต่ำ nanospheres PS จะถูกล้างออกแล้วในน้ำกลั่นโดยใช้อาบน้ำอัลตราโซนิกและตามด้วยการพัฒนากระบวนการของสารไวแสงในการพัฒนา AZ 351 ล้างด้วยน้ำ DI และการอบแห้งโดยไนโตรเจน ขั้นตอนดังกล่าวข้างต้นทั้งหมดถูก preformed ในชั้นเรียน-100 ห้องสะอาด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กระบวนการผลิตเป็นแผนผังแสดงในรูปที่ 1 เป็นซิลิคอนเป็นครั้งแรกทำความสะอาดในตัวโซลูชั่น ( : 1 3 : 30 % กรดซัลฟิวริก 98% H2O2 ) ที่ 80  เป็นเวลาครึ่งชั่วโมง ตามด้วยการล้างด้วยน้ำบริสุทธิ์มาก ๆและต่อมาแห้งด้วยไนโตรเจนภาพสไลด์ photoresist AZ 5214-e จาก microchemicals GmbH เป็นจ่ายครอบคลุม 40% ของพื้นที่ และ spuncoated ซิลิคอนที่ 2000 รอบต่อนาที เพื่อให้ได้ระบบ อิม หนา 2 ชั้น ขั้นตอนนี้จะตามมาด้วยก่อนอบที่ 110  C 120 . 5 ไมโครลิตร 10 % โดยน้ำหนักสารละลายแขวนลอย PS nanospheres 500 nm หมายถึงเส้นผ่าศูนย์กลาง ( Brookhaven เครื่องมือจำกัด) ลงในน้ำกลั่นและส่วนผสมจะฝากบนพื้นผิวของระบบการใช้ไมโครปิเปตและการแพร่กระจายอย่างเท่าเทียมกัน หลังจากสร้าง closepacked อาร์เรย์ของ nanospheres ผ่านระบบ กลุ่มตัวอย่างเปิดรับแสงยูวีที่ใช้ Canon pla-501fa อยู่ที่ 400 nm ความยาวคลื่นที่หน้ากากด้วยพลังงานแสงต่ำปล nanospheres แล้วล้างออกในน้ำใช้อาบ ultrasonic และตามกระบวนการพัฒนาระบบในการ 351 พัฒนา , ล้างด้วยน้ำ DI และการอบแห้งด้วยไนโตรเจน ขั้นตอนดังกล่าวทั้งหมดถูก preformed ใน class-100 ในห้องสะอาด