Sand is the base material for makin

Sand is the base material for making the
wafers. It is melted, purified and then melted
again in a radio frequency (RF) furnace. Figure 13-4 shows the molten silicon in a quartz
crucible. A seed crystal is lowered into the
furnace until it touches the melt. After a little
of the molten silicon freezes around the seed
crystal, the seed begins to rotate and is slowly
retracted from the furnace. A large, single crystal of silicon forms as the silicon moves away
from the melt and cools.
Pulled crystals are also called ingots. Ingots
are ground to a cylindrical shape and then sliced
into thin wafers with a diamond saw. The wafers
are then ground flat and polished to a mirror finish. The polished wafers are sent on to the wafer
fabrication area, or clean room where temperature, humidity, and dust are all tightly controlled.
After a thorough cleaning, the wafers are exposed to ultra pure oxygen to form a layer of
silicon dioxide (SiO2). Next, the wafers are
coated with photoresist, which is a material that
hardens when exposed to light. The exposure is made through a photomask. Each mask has a
pattern that will be transferred to the wafer. The
unhardened areas of the photo resist, caused by
the opaque areas of the photo mask, wash away
during the developing step. The wafer is then
etched to remove the silicon dioxide and expose the patterned areas of the substrate. The
exposed areas act as windows to allow penetration by impurity atoms. The remains of the
photoresist are removed with chemicals or
plasma gas. Figure 13-5 shows the major steps
in this mostly photolithographic process. The
wafer is reoxidized and the photolithographic
sequence is repeated from 8 to 20 times, depending on the complexity of the IC being
manufactured. Thus, photolithography is considered the core process in IC fabrication.
When the basic circuit has finally been completed, the surface is passivated using a silicon
nitride coating. This coating acts as an insulator
and also serves to protect the surface from
damage and contamination.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ทรายเป็นวัสดุพื้นฐานสำหรับการทำ
ช็อคโกแลต มันจะละลายบริสุทธิ์แล้วละลาย
อีกครั้งในคลื่นความถี่วิทยุ (RF) เตา รูป 13-4 แสดงให้เห็นว่าซิลิโคนเหลวในผลึก
เบ้าหลอม คริสตัลเมล็ดถูกหย่อนลงไปใน
เตาจนมันสัมผัสละลาย หลังจากที่เล็ก ๆ น้อย ๆ
ของซิลิกอนที่หลอมละลายค้างรอบเมล็ด
คริสตัลเมล็ดจะเริ่มหมุนและจะค่อยๆ
หดจากเตา ขนาดใหญ่ผลึกเดี่ยวของรูปแบบซิลิกอนเป็นซิลิกอนเคลื่อนห่าง
จากละลายและเย็นได้
ดึงผลึกที่เรียกว่าแท่ง หลอม
เป็นพื้นรูปทรงกระบอกแล้วหั่น
เป็นเวเฟอร์บางที่มีเลื่อยเพชร ช็อคโกแลต
มีแล้วพื้นราบและขัดเงา เวเฟอร์ขัดจะถูกส่งไปยังเวเฟอร์
พื้นที่ผลิตหรือห้องสะอาดที่อุณหภูมิความชื้นและฝุ่นละอองทั้งหมดจะถูกควบคุมอย่างเข้มงวด
หลังจากทำความสะอาดอย่างละเอียด, ช็อคโกแลตมีการสัมผัสกับอุลตร้าออกซิเจนบริสุทธิ์ในรูปแบบชั้นของ
ซิลิคอนไดออกไซด์ (SiO2) . ถัดไปเวเฟอร์จะถูก
เคลือบด้วยสารไวแสงซึ่งเป็นวัสดุที่
แข็งตัวเมื่อสัมผัสกับแสง รับทำผ่าน photomask หน้ากากแต่ละคนมี
รูปแบบที่จะถูกโอนไปเวเฟอร์
พื้นที่ Unhardened ของภาพต่อต้านที่เกิดจาก
พื้นที่ทึบแสงของหน้ากากภาพที่ล้างออกไป
ในระหว่างขั้นตอนการพัฒนา เวเฟอร์แล้ว
สลักจะเอาซิลิกอนไดออกไซด์และแสดงพื้นที่ที่มีลวดลายของพื้นผิว
พื้นที่สัมผัสทำหน้าที่เป็นหน้าต่างเพื่อให้การเจาะโดยอะตอมไม่บริสุทธิ์ ส่วนที่เหลือของ
ยาไวแสงจะถูกลบออกด้วยสารเคมีหรือ
แก๊สพลาสม่า รูป 13-5 แสดงให้เห็นถึงขั้นตอนที่สำคัญ
ในกระบวนการ photolithographic ส่วนใหญ่นี้
เวเฟอร์เป็น reoxidized และ photolithographic
ลำดับซ้ำ 8-20 ครั้งขึ้นอยู่กับความซับซ้อนของ IC ที่มีการ
ผลิต ดังนั้น photolithography ถือว่าเป็นกระบวนการหลักในการผลิต IC
เมื่อวงจรพื้นฐานที่สุดก็ได้รับการเสร็จสิ้นพื้นผิวที่ passivated โดยใช้ซิลิกอน
ไนไตรด์เคลือบ เคลือบนี้ทำหน้าที่เป็นฉนวนกันความร้อน
และยังทำหน้าที่ในการปกป้องผิวจาก
ความเสียหายและการปนเปื้อน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทรายเป็นวัสดุพื้นฐานสำหรับการทำ
เวเฟอร์ มันละลายแล้วละลายอีกบริสุทธิ์
ความถี่วิทยุ ( RF ) เตา รูป 13-4 แสดงซิลิคอนแบบควอทซ์
เบ้าหลอม เมล็ดผลึกจะลดลงใน
เตาจนสัมผัสกับละลาย หลังจากที่เล็กน้อย
ของซิลิคอนหล่อค้างรอบเมล็ด
คริสตัล เมล็ดจะเริ่มหมุนและค่อยๆ
หดจากเตาหลอมขนาดใหญ่ ผลึกเดี่ยวซิลิคอนซิลิคอนรูปแบบเป็นย้ายไป

จากละลายและเย็น ดึงผลึกจะเรียกว่าหลอม หลอม
มีพื้นเพื่อรูปร่างทรงกระบอก แล้วหั่นเป็นเวเฟอร์บาง
กับเพชรเห็น เวเฟอร์
ถูกบดและขัดให้เรียบ กระจกเสร็จสิ้น เวเฟอร์ขัดส่งบนแผ่นเวเฟอร์
ผลิต พื้นที่ ทำความสะอาด ห้อง ที่ อุณหภูมิ ความชื้นและฝุ่นทั้งหมดถูกควบคุมอย่างแน่นหนา
หลังจากการทำความสะอาดอย่างทั่วถึง , เวเฟอร์ตากร้าออกซิเจนบริสุทธิ์ในรูปแบบชั้นของ
ซิลิคอนไดออกไซด์ ( SiO2 ) ต่อมา เวเฟอร์เป็น
เคลือบด้วย photoresist ซึ่งเป็นวัสดุที่
แข็งตัวเมื่อสัมผัสกับแสง การทำผ่านโฟโต้มาสค์ . แต่ละรูปแบบมี
รูปแบบนั้นจะถูกโอนไปยังเวเฟอร์
พื้นที่ unhardened ของโฟโตรีซิส เกิดจาก
พื้นที่ทึบแสงของภาพหน้ากาก , ล้าง
ในระหว่างขั้นตอนการพัฒนา . เวเฟอร์แล้ว
สลักเอาซิลิคอนไดออกไซด์ และแสดงลวดลายของพื้นผิว
พื้นที่สัมผัสเป็นหน้าต่างเพื่อให้การเจาะโดยความมัวหมองอะตอม ซากของระบบจะถูกลบออกด้วยสารเคมีหรือ

พลาสมาแก๊สรูป 13-5 แสดงขั้นตอนที่สำคัญในกระบวนการ photolithographic
ส่วนใหญ่นี้
เวเฟอร์เป็น reoxidized และลำดับ photolithographic
ซ้ำจาก 8 ถึง 20 ครั้ง ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับความซับซ้อนของ IC เป็น
ผลิต จึงถือว่าเป็นหลักในกระบวนการโฟโตลิโทกราฟี IC fabrication
เมื่อวงจรพื้นฐาน ในที่สุดก็เสร็จเรียบร้อย ผิวแข็งแรงใช้ซิลิคอน
เคลือบไนไตรด์ . เคลือบนี้ทำหน้าที่เป็นฉนวน
และยังทำหน้าที่ในการปกป้องผิวจากความเสียหายและการปนเปื้อน
.