1.selection of substrate2.oxidation

1.selection of substrate
2.oxidation
3.application of photoresist
4.masking of photoresist(photolithography process)
5.exposed to uv light (uncovered photoresist is softened)
6.remove mask and softened photoresist using solvent
7.remove ธาตุ using hydrofluoric acid
8.remove remaining photoresist
9.application of thin oxide and polysilicon
10.pattering and etching of polysilicon and oxide layer
11.ion implantation
12.application of insulated dioxide layer
13.patterning of insulated dioxide layer
14.metalization

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

1.เลือกพื้นผิว2.การเกิดออกซิเดชัน3.ประยุกต์ใช้เพียง4.กาวของ photoresist(photolithography process)5.สัมผัสกับแสงยูวี (เถเพียงเป็นสำคัญ)6.เอาหน้ากากและอ่อนตัวเพียงใช้ตัวทำละลาย7.เอาธาตุใช้กรดไฮโดรฟลูออริก8.เอาออกเหลือเพียง9.ใช้ออกไซด์ที่บางและ polysilicon10. pattering และแกะสลักของชั้น polysilicon และออกไซด์11.การฝังไอออน12.แอพลิเคชันของชั้นฉนวนก๊าซ13.การเลียนแบบของชั้นฉนวนก๊าซ14. metalization

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

1.selection ของพื้นผิว
2.oxidation
3.application ของไวแสง
4.masking ของไวแสง (กระบวนการ photolithography)
5.exposed กับแสงยูวี (ไวแสงจะเปิดนิ่ม)
หน้ากาก 6.remove และไวแสงนิ่มโดยใช้ตัวทำละลาย
7.remove ธาตุโดยใช้กรดไฮโดรฟลูออริก
8.remove เหลือไวแสง
9.application ออกไซด์บางและโพลีซิลิคอน
10.pattering และการแกะสลักของโพลีซิลิคอนและออกไซด์ชั้น
11.ion ฝัง
12.application ของฉนวนชั้นก๊าซ
13.patterning ของฉนวนก๊าซชั้น
14.metalization

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

1.selection ของพื้นผิว2.oxidation3.application ของระบบ4.masking ของระบบ ( กระบวนการโฟโตลิโทกราฟี )5.exposed แสง UV ( เปิดระบบจะนิ่ม )6.remove หน้ากากนิ่มใช้ตัวทำละลายและระบบธาตุ 7.remove โดยใช้กรดไฮโดรฟลูออริกระบบ 8.remove ที่เหลือ9.application ออกไซด์บางและ Polysilicon10.pattering และแกะสลักของ polysilicon และดิบชั้น11.ion ฝัง .12.application ชั้นฉนวนได13.patterning ชั้นฉนวนได14.metalization