2.2. Material characterization The

2.2. Material characterization The thickness of the as-deposited film was examined by an Atomic Force Microscope (Vee co Nano scope). Limited to the sample size requirement of the apparatus, the step which was formed by removing the adhesive tape on the silicon wafer was measured to confirm the thickness of the film.The X-ray diffraction pattern of the aged and annealed film were directly obtained at room temperature on a diffractometer(X’ Pert PRO, PANalytical B.V.) with Cu K ( = 1.540598˚A) radiation. A standard –2 mode was selected with 2 ranging from 30◦to 80◦in step of 0.02◦.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2.2. วัสดุจำแนกลักษณะความหนาของฟิล์มฝากเป็นยาน โดยมีกล้องจุลทรรศน์แรงอะตอม (Nano Vee co ขอบเขต) จำกัดความต้องการขนาดตัวอย่างของเครื่อง ขั้นตอนการเกิด โดยการเอาเทปกาวบนแผ่นซิลิคอน ถูกวัดเพื่อยืนยันความหนาของฟิล์ม รูปแบบการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ของอายุ และอบฟิล์มได้รับโดยตรงที่อุณหภูมิห้องบนเครื่อง diffractometer (X' Pert PRO, PANalytical B.V.) ด้วย Cu K (= 1.540598˚A) รังสี เลือกโหมดมาตรฐานตั้งแต่-2 ตั้งแต่ขั้นตอน 80◦in 30◦to 0.02◦

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

2.2 ลักษณะวัสดุความหนาของฟิล์มฝากได้รับการตรวจสอบโดยกล้องจุลทรรศน์แรงอะตอม (วีร่วมขอบเขต Nano) จำกัด ให้ความต้องการขนาดของกลุ่มตัวอย่างของอุปกรณ์ขั้นตอนที่ถูกสร้างขึ้นโดยการเอาเทปกาวบนแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนวัดเพื่อยืนยันความหนาของเลนส์แบบ film.The X-ray ของภาพยนตร์สูงอายุและอบที่ได้รับโดยตรงที่ อุณหภูมิห้องใน diffractometer (X 'เสือก PRO, PANalytical BV) กับ Cu K? (? = 1.540598˚A) รังสี มาตรฐาน? -2? โหมดได้รับการคัดเลือกมี 2? ตั้งแต่30◦to80◦inขั้นตอนของ0.02◦

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2.2 . วัสดุ คุณสมบัติ ความหนาของฟิล์มที่ฝากตรวจสอบด้วยกล้องจุลทรรศน์แรงอะตอม ( วี จำกัดขอบเขต นาโน ) จำกัดขนาดตัวอย่างความต้องการของเครื่อง ขั้นตอนที่ถูกสร้างขึ้นโดยการเอาเทปกาวบนซิลิคอนเวเฟอร์ได้ยืนยันความหนาของฟิล์ม ลวดลายการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ของผู้สูงอายุ และอบฟิล์มโดยตรงได้ที่อุณหภูมิห้องบนดิฟแฟรกโทมิเตอร์ ( x " ทะเล้น Pro , panalytical เท่า ) กับจุฬาฯ K ( = 1.540598 ˚ ) รังสี มาตรฐานที่ 2 – 2 โหมด คือ ตั้งแต่ 30 ◦ 80 ◦ในขั้นตอนของ 0.02 ◦ .