Simulation used 0.18um CMOS paramet

Simulation used 0.18um CMOS parameter of
process and Fig. 4 shows the simulation result of the
compensated low-voltage of the CMOS bandgap
reference circuit in different VDD (1.25V, 1.3V,
1.35V and 1.4V) and in different temperatures (from
0˚C to 100 ˚C ).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จำลอง 0.18um ใช้ CMOS พารามิเตอร์ของกระบวนการและ 4 รูปแสดงผลการจำลองการการชดเชยแรงดันต่ำของ CMOS bandgapวงจรอ้างอิงใน VDD ที่แตกต่างกัน (1.25V, 1.3 v1.35 v และ 1.4V) และ ในอุณหภูมิที่แตกต่างจาก0˚C ถึง 100 ˚ c)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การจำลองการใช้ 0.18um CMOS พารามิเตอร์ของ
กระบวนการและรูป 4 แสดงผลการจำลองของ
การชดเชยแรงดันต่ำของ CMOS bandgap
วงจรอ้างอิงใน VDD แตกต่างกัน (1.25V, 1.3V,
1.35V และ 1.4V) และอุณหภูมิที่แตกต่างกัน (จาก
0 องศาเซลเซียสถึง 100 ° C)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การจำลองแบบที่ใช้ 0.18um พารามิเตอร์ของรูปที่ 4 แสดงการจำลองกระบวนการและผลของการชดเชยแรงดันไฟฟ้าของ CMOS bandgapการอ้างอิงในต่าง 1.25v 1.3v VDD ( , ,และ 1.35v 1.4v ) และในอุณหภูมิที่แตกต่างกัน ( จาก0 ˚ C 100 ˚ C )