In this paper, the CZO and IZO thin

In this paper, the CZO and IZO thin films were deposited on glass substrate by ultrasonic spray technique; ata substrate temperature of 350°C, we have studied the
effect of the doping concentration on structural, optical,
and electrical properties of ZnO thin films. The main
goal for this research is to find the optimum doping concentration which gives highly semiconducting properties
of ZnO:Co and ZnO:In thin films.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในเอกสารนี้ ภาพยนตร์บาง CZO และ IZO ได้ฝากบนพื้นผิวแก้ว โดยสเปรย์อัลตราโซนิกเทคนิค ata พื้นผิวอุณหภูมิ 350° C ที่เราศึกษาการ
ผลของความเข้มข้น doping บนโครงสร้าง แสง,
และคุณสมบัติทางไฟฟ้าของ ZnO บางฟิล์ม หลัก
เป้าหมายสำหรับงานวิจัยนี้คือการ หาเหมาะสมโดปปิงค์เข้มข้นซึ่งให้คุณสมบัติตัวสูง
ของ ZnO:Co และ ZnO: ในฟิล์มบาง ๆ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในบทความนี้ CZO และ IZO ฟิล์มบางถูกวางลงบนพื้นผิวกระจกโดยใช้เทคนิคสเปรย์ล้ำอุณหภูมิพื้นผิวของ ATA 350 ° C เรามีการศึกษา
ผลของความเข้มข้นของยาสลบกับโครงสร้างแสง
และคุณสมบัติทางไฟฟ้าของฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ หลัก
เป้าหมายของงานวิจัยนี้คือการหาระดับความเข้มข้นที่เหมาะสมยาสลบที่ให้คุณสมบัติของสารกึ่งตัวนำสูง
ของ ZnO: ร่วมและซิงค์ออกไซด์ในฟิล์มบาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในกระดาษนี้ czo izo ฝากเงินและฟิล์มบางบนแผ่นแก้วด้วยเทคนิคสเปรย์ ultrasonic ; ATA อุณหภูมิ 350 องศา C ( เราได้ศึกษาผลของยาสลบความเข้มข้นในงานแสง
และสมบัติทางไฟฟ้าของฟิล์มบาง ZnO . เป้าหมายหลัก
สำหรับการวิจัยนี้คือ เพื่อหาที่เหมาะสมซึ่งจะช่วยเติมความเข้มข้นสูงกึ่งตัวนำสมบัติ
ของซิงค์ออกไซด์ :บริษัท ซิงค์ออกไซด์ในฟิล์มบาง