Many research results have been rep

Many research results have been reported for SIC devices
and GaN devices. On-resistance of the MOS gated devices is
expressed roughly by summation of MOS gate channel
resistance and active layer resistance

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีการรายงานผลการวิจัยหลายอุปกรณ์ SICและอุปกรณ์กัน ในการต้านทานของอุปกรณ์ MOS gated เป็นแสดงอย่างคร่าว ๆ โดยรวมของช่องประตู MOSต้านทานและต้านทานชั้นที่ใช้งานอยู่

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลการวิจัยจำนวนมากได้รับการรายงานสำหรับอุปกรณ์ SIC
และอุปกรณ์กาน เกี่ยวกับความต้านทานของอุปกรณ์รั้วรอบขอบชิด MOS จะ
แสดงโดยประมาณผลรวมของช่องประตู MOS
ต้านทานและความต้านทานต่อชั้นที่ใช้งาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลการศึกษาหลายรายงาน SiC อุปกรณ์
กาน และอุปกรณ์ ในการต้านทานของ MOS gated อุปกรณ์
แสดงประมาณโดยผลรวมของมอส ประตูช่อง
ต้านทานและความต้านทานชั้นงาน