Figure 4 shows the forward I–V and

Figure 4 shows the forward I–V and the output power characteristics of the WB-AC LED I and II under DC source. It can be seen that the forward voltage at 2 mA is 131.9 V of WB-AC LED I and 116.7 V of WB-AC LED II, and the output power is 33 mW of WB-AC LED I and 44 mW of WB-AC LED II under the identical input power 1 W, respectively. It is found that the WPE of WB-AC LED I is lower than WB-AC LED II, even the radiation area of WB-AC LED I is larger than WB-AC LED II, which can be attributed to the current density of the rectified microchip is 896 A/cm2 in WB-LED I and 162 A/cm2 in WB-AC LED II under the identical input power 1 W, respectively. The higher current density of the rectified microchip in WB-AC LED I than WB-AC LED II causes the lower internal quantum efficiency and higher forward voltage that reduce the WPE of WB-AC LED I simultaneously. Figure 5 shows the time-variant input voltage and the output power characteristics of the WB-AC LED II driven by the AC 110 V source. The variance of the input AC source voltage is from 155 to –155 V and the frequency is 60 Hz. The WB-AC LED II radiates only after the input voltage higher than the sum of microchips’ threshold voltage, which is about 100 V, and the lighting duty cycle of the WB-AC LED II is 60%. From Fig. 6, it is found that the WPE of the WB-AC LED II is 4.3% and the averaged input power is 0.64 W under AC 110 V operated, but the WPE of the WB-AC LED II with the identical input power under DC operated is 5.3%. It is speculated that the fluctuant output power caused by the AC source will decrease the efficiency of WB-AC LED.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 4 แสดงหน้าผม – V และลักษณะพลังงานเอาท์พุทของ LED WB AC I และ II ภายใต้แหล่ง DC จะเห็นได้ที่แรงดันไปข้างหน้า 2 mA เป็น 131.9 V ของ WB AC LED ผม และ V WB AC LED 116.7 II และพลังงานออกเป็น 33 mW ของ LED WB AC ผมและ 44 mW ของ WB AC II LED ใต้เหมือนกันใส่พลังงาน 1 วัตต์ ตามลำดับ พบว่า WPE LED WB AC เป็นต่ำกว่า WB AC LED II แม้พื้นที่รังสีของ LED WB AC ผมมีขนาดใหญ่กว่า WB AC II LED ซึ่งสามารถนำมาประกอบกับความหนาแน่นของกระแสของการ rectified ไมโครเป็น 896 A/cm2 ใน WB LED ผมและ 162 A/cm2 ใน WB AC II LED ภายใต้กำลังไฟขาเข้าเหมือนกัน 1 W ตามลำดับ แน่นกระแสสูงของไมโคร rectified ใน LED WB AC ผมกว่า WB AC LED II ทำให้ประสิทธิภาพควอนตัมภายในต่ำ และสูงส่งต่อแรงดันไฟฟ้าที่ลด WPE LED WB AC ฉันพร้อมกัน รูปที่ 5 แสดงแรงดันเวลาตัวแปรและลักษณะพลังงานเอาท์พุทของ II LED WB AC ที่ขับเคลื่อน โดยแหล่ง AC 110 V ความแปรปรวนของแรงดันแหล่ง AC คือ 155-–155 V และความถี่ 60 Hz II LED WB AC แผ่กระจายจากแรงดันที่สูงกว่าผลรวมของแรงดันขีดจำกัดของ microchips ซึ่งมีประมาณ 100 V และรอบหน้าที่ไฟ WB AC ที่สอง LED เป็น 60% จากรูป 6 มันถูกพบว่า WPE ที่สอง LED WB AC เป็น 4.3% และอินพุตเฉลี่ย 0.64 W AC 110 V ภายใต้ดำเนินการ แต่ WPE ที่สอง LED WB AC กับอินพุตเหมือนภายใต้ DC ดำเนินเป็น 5.3% เป็นที่คาดการณ์ว่า fluctuant กำลังที่เกิดจากต้น AC จะลดประสิทธิภาพของ LED WB AC

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปที่ 4 แสดงไปข้างหน้า I-V และลักษณะการส่งออกพลังงานของ WB-AC LED I และ II ภายใต้แหล่งที่มาดีซี จะเห็นได้ว่าแรงดันไปข้างหน้าที่ 2 มิลลิแอมป์เป็น 131.9 V ของ WB-AC LED I และ 116.7 V ของ WB-AC LED ครั้งที่สองและอำนาจออกเป็น 33 เมกะวัตต์ WB-AC LED ฉันและ 44 เมกะวัตต์ WB-AC LED ครั้งที่สองภายใต้การป้อนข้อมูลที่เหมือนกันพลังงาน 1 W ตามลำดับ นอกจากนี้ยังพบว่าห่วยแตกของ WB-AC LED ฉันต่ำกว่า WB-AC LED ครั้งที่สองแม้พื้นที่รังสีของ WB-AC LED ฉันมีขนาดใหญ่กว่า WB-AC LED ครั้งที่สองซึ่งสามารถนำมาประกอบกับความหนาแน่นกระแสของ แก้ไขไมโครชิปเป็น 896 A / cm2 ใน WB-LED I และ 162 A / cm2 ใน WB-AC LED ครั้งที่สองภายใต้การป้อนข้อมูลที่เหมือนกันพลังงาน 1 W ตามลำดับ ความหนาแน่นกระแสสูงของไมโครชิปแก้ไขใน WB-AC LED ฉันกว่า WB-AC LED ครั้งที่สองทำให้เกิดประสิทธิภาพควอนตัมที่ลดลงภายในและแรงดันไฟฟ้าสูงที่ช่วยลดห่วยแตกของ WB-AC LED ฉันพร้อมกัน รูปที่ 5 แสดงให้เห็นถึงแรงดันไฟฟ้าอินพุตเวลาที่แตกต่างกันและลักษณะการส่งออกพลังงานของ WB-AC LED II ขับเคลื่อนด้วย AC 110 V แหล่งที่มา ความแปรปรวนของแรงดันไฟฟ้าอินพุต AC แหล่งที่มาจาก 155 -155 V และความถี่ 60 เฮิร์ตซ์ ยินดี-AC LED II แผ่กระจายเฉพาะหลังจากที่แรงดันไฟฟ้าอินพุตสูงกว่าผลรวมของแรงดันเกณฑ์ไมโครชิป 'ซึ่งเป็นประมาณ 100 V และรอบหน้าที่แสงของ WB-AC LED II เป็น 60% จากรูป 6 พบว่าห่วยแตกของ WB-AC LED ครั้งที่สองเป็น 4.3% และกำลังไฟฟ้าเข้าเฉลี่ยคือ 0.64 W กระแสสลับ 110 V ดำเนินการ แต่ห่วยแตกของ WB-AC LED ครั้งที่สองที่มีอำนาจการป้อนข้อมูลที่เหมือนกันภายใต้ซีดำเนินการ คือ 5.3% มันเป็นที่คาดการณ์ว่าการส่งออกพลังงาน fluctuant ที่เกิดจากแหล่ง AC จะลดประสิทธิภาพของ WB-AC ไฟ LED

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 4 แสดงข้างหน้าฉัน– V และพลังงาน ลักษณะของ wb-ac LED I และ II ภายใต้แหล่ง DC จะเห็นได้ว่าแรงดันไปข้างหน้าที่ 2 มาเป็น 131.9 v wb-ac LED และ LED 116.7 v wb-ac II และเอาต์พุตเป็น 33 เมกะวัตต์ wb-ac LED และ LED 44 เมกะวัตต์ wb-ac II ภายใต้เหมือนกันสัญญาณ 1 W , ตามลำดับ พบว่า wpe ของ wb-ac LED ผมต่ำกว่า wb-ac LED II แม้รังสีพื้นที่ wb-ac LED ผมมีขนาดใหญ่กว่า wb-ac LED II ซึ่งสามารถนำมาประกอบกับความหนาแน่นของการแก้ไขชิป 896 / cm2 ใน wb-led ชั้น 162 / cm2 ใน wb-ac LED II ได้ที่เหมือนกัน สัญญาณ 1 W , ตามลำดับ ความหนาแน่นกระแสสูงของไมโครชิพในการแก้ไข wb-ac LED ผมกว่า wb-ac LED II ทำให้ลดประสิทธิภาพสูงภายในควอนตัมและไปข้างหน้าแรงดันไฟฟ้าที่ลด wpe ของ wb-ac LED ผมพร้อมกัน รูปที่ 5 แสดงเวลาแรงดันอินพุต และแปรพลังงาน ลักษณะของ wb-ac LED II ขับเคลื่อนด้วย AC 110 V แหล่ง ความแปรปรวนของอินพุต AC แรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มาจาก 155 – 155 v และความถี่ 60 เฮิรตซ์ การ wb-ac LED 2 แผ่กระจายหลังจากที่แรงดันสูงกว่าผลรวมของไมโครชิพ " เกณฑ์แรงดัน ซึ่งมีประมาณ 100 V และไฟ LED รอบหน้าที่ของ wb-ac II เป็น 60% จากรูปที่ 6 พบว่า wpe ของ wb-ac LED II เป็น 4.3% และเฉลี่ยสัญญาณ คือ AC 110 V , W ในการดำเนินการ แต่ wpe ของ wb-ac LED II ด้วยเหมือนกัน สัญญาณใน DC ดำเนินการเป็น 5.3% มันถูกคาดการณ์ว่า fluctuant เกิดจากแหล่งพลังงาน AC จะลดประสิทธิภาพของ wb-ac LED