Results3.1. Plasma-enhanced and the

Results
3.1. Plasma-enhanced and thermal CVD using O2 and CO2
A comparison of the radial thickness profiles of zinc
oxide films grown by four different methods is depicted in
Fig. 2. The process conditions for thermal CVD were
40-mTorr diethylzinc, 0.5 Torr O2, or 1.0 Torr CO2,
800 Torr total pressure, and 181 1C. For PECVD, the same
conditions were used, except with 50W of RF power
applied to the plasma source. It is found that the film
thickness profiles exhibit maxima at a radial position near
the outer edge of the plasma source, suggesting that thediethylzinc is not transported efficiently to the center of the
showerhead prior to exiting the source, i.e., to radii below
1.0 cm. One can see that the amount of material deposited
by PECVD is higher than that observed by CVD. This
difference amounts to the contribution that the plasmainitiated
reaction contributes to the overall deposition
process. The ratio of the area under the profiles for
PECVD versus CVD equals 1.5 when carbon dioxide is the
reactive gas and 1.1 when oxygen is the reactive gas. The
ratio of the maximum film thickness to the average film
thickness is 2.2 for ZnO deposited by PECVD with CO2.
Previous research on the atmospheric pressure plasma
source has shown that the plasma is homogeneous within
the gas volume between the electrodes [12], so it is likely
that the non-uniform mixing of the precursor in the
showerhead is responsible for the wide variation in film
thickness across the wafer.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผล
3.1 ผิว CVD พลาสมาเพิ่มขึ้น และความร้อนที่ใช้ O2 และ CO2
การเปรียบเทียบค่ารัศมีความหนาของสังกะสี
ฟิล์มออกไซด์โดยสี่วิธีด้วยกันเป็นภาพใน
Fig. 2 เงื่อนไขขั้นตอนสำหรับผิว CVD ที่ความร้อนถูก
diethylzinc 40 mTorr, O2 ธอร์ 0.5 หรือ 1.0 ธอร์ CO2,
ธอร์ 800 รวมความดัน และ 181 1C. สำหรับ PECVD เหมือน
ใช้เงื่อนไข ยกเว้นกับ 50W พลังงาน RF
ใช้กับต้นพลาสม่า พบว่าฟิล์ม
โพรไฟล์ความหนาแสดงแมกที่ตำแหน่งรัศมีใกล้
ขอบนอกของพลาสม่าต้น แนะนำที่ thediethylzinc จะไม่ขนส่งอย่างมีประสิทธิภาพศูนย์ของ
ฝักบัวแบบใช้ก่อนออกจากต้น เช่น การรัศมีด้านล่าง
1.0 cm หนึ่งสามารถมองเห็นยอดวัสดุฝาก
โดย PECVD จะสูงกว่าที่พบตามผิว CVD นี้
จำนวนเงินสมทบความแตกต่างที่การ plasmainitiated
ปฏิกิริยารวมสะสมโดยรวม
กระบวนการ อัตราส่วนของพื้นที่ภายใต้โพรไฟล์สำหรับ
PECVD กับผิว CVD เท่ากับ 1.5 เมื่อก๊าซคาร์บอนไดออกไซด์
1.1 เมื่อ ปฏิกิริยาก๊าซออกซิเจนและก๊าซปฏิกิริยา ใน
อัตราส่วนของความหนาของฟิล์มสูงฟิล์มเฉลี่ย
ความหนาเป็น 2.2 ใน ZnO ฝาก ด้วย PECVD กับ CO2
วิจัยก่อนหน้าพลาสมาความดันบรรยากาศ
แหล่งแสดงว่าพลาสม่าเป็นเนื้อเดียวกันภายใน
ปริมาตรก๊าซระหว่างหุงต [12], ดังนั้นจึงมีแนวโน้ม
ที่ผสมไม่สม่ำเสมอของสารตั้งต้นในการ
ฝักบัวแบบใช้รับผิดชอบสำหรับการเปลี่ยนแปลงมากมายในภาพยนตร์
หนาทั่วแผ่นเวเฟอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลลัพธ์
3.1 พลาสม่าที่เพิ่มขึ้นและความร้อน CVD ใช้ O2 และ CO2
การเปรียบเทียบรูปแบบความหนารัศมีของสังกะสี
ออกไซด์ภาพยนตร์เติบโตขึ้นโดยสี่วิธีที่แตกต่างกันเป็นภาพใน
รูปที่ 2. เงื่อนไขกระบวนการความร้อน CVD มี
40 mTorr Diethylzinc, 0.5 Torr O2, หรือ 1.0 Torr CO2,
800 Torr ความดันรวมและ 181 1C สำหรับ PECVD เดียวกัน
เงื่อนไขที่ถูกนำมาใช้ยกเว้นกับ 50W พลังงาน RF
นำไปใช้กับแหล่งที่มาของพลาสม่า นอกจากนี้ยังพบว่าฟิล์ม
มีความหนารูปแสดงสูงสุดในตำแหน่งรัศมีใกล้
ขอบด้านนอกของแหล่งที่มาของพลาสม่าบอก thediethylzinc ที่ไม่ได้เคลื่อนย้ายได้อย่างมีประสิทธิภาพไปยังศูนย์กลางของ
ฝักบัวก่อนที่จะออกมาคือการรัศมีด้านล่าง
1.0 ซม. หนึ่งจะเห็นว่าปริมาณของวัสดุฝาก
โดย PECVD สูงกว่าที่พบโดยซีวีดี นี้
แตกต่างที่จำนวนเงินที่จะมีส่วนร่วมที่ plasmainitiated
ปฏิกิริยาก่อให้เกิดการสะสมโดยรวมของ
กระบวนการ อัตราส่วนของพื้นที่ภายใต้โปรไฟล์สำหรับ
PECVD เมื่อเทียบกับซีวีดีเท่ากับ 1.5 เมื่อก๊าซคาร์บอนไดออกไซด์เป็น
ก๊าซที่เกิดปฏิกิริยาและ 1.1 เมื่อก๊าซออกซิเจนเป็นปฏิกิริยา
อัตราส่วนของความหนาของฟิล์มสูงสุดฟิล์มเฉลี่ย
ความหนาเป็น 2.2 ZnO ฝากโดย PECVD ด้วย CO2
วิจัยก่อนหน้านี้เกี่ยวกับพลาสม่าความดันบรรยากาศ
แหล่งที่มาได้แสดงให้เห็นว่าพลาสม่าเป็นเหมือนกันใน
ปริมาณก๊าซระหว่างขั้วไฟฟ้า [12] ดังนั้นจึง อาจเป็นไปได้
ว่าการผสมไม่สม่ำเสมอของสารตั้งต้นใน
ฝักบัวเป็นผู้รับผิดชอบต่อความหลากหลายในภาพยนตร์
หนาทั่วทั้งแผ่นเวเฟอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลลัพธ์
3.1 . พลาสมาซีวีดี ความร้อนขึ้นและใช้ O2 และ CO2
เปรียบเทียบรัศมีโปรไฟล์ของสังกะสีออกไซด์หนา
ภาพยนตร์เติบโตโดยสี่วิธีการที่แตกต่างกันเป็นภาพใน
รูปที่ 2 กระบวนการเงื่อนไขความร้อน CVD เป็น
40 mtorr diethylzinc 0.5 หรือ 1.0 ทอร์ทอร์ O2 CO2
800 ทอร์ความดันรวมและ 181 1c สำหรับ pecvd เงื่อนไขเดียวกัน
ใช้ ยกเว้นกับมาร์คของพลังงาน RF
ใช้กับพลาสมาแหล่ง พบว่า ความหนาฟิล์ม
โปรไฟล์แสดง MAXIMA ที่รัศมีตำแหน่งใกล้
ขอบนอกของพลาสมาแหล่ง แนะนำว่า thediethylzinc ไม่ได้เคลื่อนย้ายได้อย่างมีประสิทธิภาพไปยังศูนย์ของ
ฝักบัวก่อนที่จะออกจากแหล่ง ได้แก่ รัศมีด้านล่าง
1.0 เซนติเมตร หนึ่งสามารถดูว่าปริมาณของวัสดุที่ฝาก
โดย pecvd สูงกว่าที่พบด้วยวิธี CVD ความแตกต่างนี้
ยอดเงินบริจาคที่ plasmainitiated
ปฏิกิริยาก่อให้เกิดกระบวนการสะสม
โดยรวม อัตราส่วนของพื้นที่ภายใต้โปรไฟล์ของ
pecvd ซีวีดี เท่ากับ 1.5 เมื่อเทียบกับคาร์บอนไดออกไซด์เป็นก๊าซและ 1.1
ปฏิกิริยาเมื่อออกซิเจนเป็นก๊าซปฏิกิริยา
อัตราส่วนของฟิล์มความหนาสูงสุดถึง
ภาพยนตร์โดยเฉลี่ยความหนา 2.2 ZnO ฝากโดย pecvd กับ CO2
การวิจัยก่อนหน้านี้เกี่ยวกับความกดอากาศพลาสมา
ที่มาพบว่าพลาสมาเป็นเนื้อเดียวกันภายใน
ปริมาณก๊าซระหว่างขั้วไฟฟ้า [ 12 ] ดังนั้นจึงอาจไม่สม่ำเสมอ
ที่ผสมสารตั้งต้นใน
showerhead เป็นผู้รับผิดชอบความหลากหลายในภาพยนตร์

ความหนาทั่วเวเฟอร์