Step 5MetallizationIt is used to cr

Step 5
Metallization

It is used to create contact with silicon and to make interconnections on chip. A thin layer of aluminum is deposited over the whole wafer. Aluminium is selected because it is a good conductor, has good mechanical bond with silicon, forms low resistance contact and it can be applied and patterned with single deposition and etching process.

Making successive layers: - The process such as masking, etching, doping will be repeated for each successive layers until all integrated chips are completed. Between the components, silicon dioxide is used as insulator. This process is called chemical vapor deposition. To make contact pads, aluminum is deposited. The fabrication includes more than three layers separated by dielectric layers. For electrical and physical isolation a layer of solid dielectric is surrounded in each component which provides isolation. It is possible to fabricate PNP and NPN transistor in the same silicon substrate. To avoid damage and contamination of circuit, final dielectric layer (passivation) is deposited. After that, the individual IC will be tested for electrical function. Check the functionality of each chip on wafer. Those chips are not passed in the test will be rejected.

Assembly and packaging

Each of the wafers contains hundreds of chips. These chips are separated and packaged by a method called scribing and cleaving. The wafer is similar to a piece of glass. A diamond saw cut the wafer into single chips. The diamond tipped tool is used to cut the lines through the rectangular grid which separates the individual chips. The chips that are failed in electrical test are discarded. Before packaging, remaining chips are observed under microscope. The good chip is then mounted into a package. Thin wire is connected using ultrasonic bonding. It is then encapsulated for protection. Before delivered to customer, the chip is tested again. There are three configurations available for packaging. They are metal can package, ceramic flat package and dual in line package. For military applications, the chip is assembled in ceramic packages. The complete integrated circuits are sealed in anti static plastic bags.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขั้นตอนที่ 5Metallizationมันถูกใช้ เพื่อสร้างติดต่อกับซิลิคอน และการเชื่อมโยงบนชิพ อลูมิเนียมบาง ๆ เป็นฝากผ่านเวเฟอร์ทั้งหมด อะลูมิเนียมถูกเลือกเนื่องจากเป็นตัวนำที่ดี มีดีกลพันธะกับซิลิคอน ฟอร์มติดต่อความต้านทานต่ำ และสามารถนำไปใช้ และมีลายเดียวสะสมและกระบวนการแกะสลัก ทำชั้นต่อเนื่อง: -กระบวนการเช่นกาว แกะสลัก ยาสลบจะถูกทำซ้ำสำหรับเสร็จสิ้นแต่ละชั้นต่อเนื่องจนกว่าทั้งหมดรวมชิป ระหว่างส่วนประกอบ ซิลิคอนไดออกไซด์ที่ใช้เป็นฉนวน กระบวนการนี้เรียกว่าสะสมไอสารเคมี เพื่อให้ติดต่อแผ่น อลูมิเนียมฝาก การผลิตรวมมากกว่าสามชั้นคั่น ด้วยชั้นฉนวน สำหรับการแยกทางกายภาพ และทางไฟฟ้า เป็นฉนวนแข็งชั้นล้อมรอบในแต่ละส่วนที่แยก เป็นไปได้ในการประดิษฐ์ทรานซิสเตอร์ PNP และ NPN ในพื้นผิวซิลิโคนเดียวกัน เพื่อหลีกเลี่ยงความเสียหายและการปลอมปนของวงจร สุดท้ายชั้นอิเล็กทริก (ฟิล์ม) ฝาก หลังจากนั้น IC แต่ละตัวจะถูกทดสอบสำหรับฟังก์ชันไฟฟ้า ตรวจสอบการทำงานของแต่ละเกล็ดบนเวเฟอร์ เกล็ดเหล่านั้นจะไม่ผ่านในการทดสอบจะถูกปฏิเสธประกอบและบรรจุภัณฑ์เวเฟอร์แต่ละประกอบด้วยหลายร้อยเศษ ชิเหล่านี้จะแยกออก และบรรจุภัณฑ์ โดยวิธีที่เรียกว่า scribing และผ่า เวเฟอร์การจะคล้ายกับกระจก เลื่อยเพชรการตัดแผ่นเวเฟอร์ที่เป็นเกล็ดเดียว เพชรปลายเครื่องมือจะใช้ในการตัดบรรทัดผ่านตารางสี่เหลี่ยมซึ่งแยกเบี้ยแต่ละตัว เบี้ยที่ล้มเหลวในการทดสอบจะถูกทิ้งไป บรรจุภัณฑ์ เศษที่เหลือจะสังเกตภายใต้กล้องจุลทรรศน์ ชิดีแล้วติดตั้งลงในแพคเกจ บางสายมีการเชื่อมต่อโดยใช้อัลตราโซนิกพันธะ แล้วมันเป็นนึ้สำหรับการป้องกัน ก่อนส่งให้ลูกค้า ชิเป็นทดสอบอีกครั้ง มีกำหนดค่าที่สามสำหรับบรรจุภัณฑ์ มีโลหะสามารถทำแพคเกจ แพคเกจแบนเซรามิกและสองในแพคเกจบรรทัด สำหรับใช้งานทางทหาร ชิเป็นประกอบในแพ็คเกจเซรามิค วงจรรวมแบบสมบูรณ์จะถูกปิดผนึกในถุงพลาสติกคงต่อต้าน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขั้นตอนที่ 5
Metallization

มันถูกใช้เพื่อสร้างการติดต่อกับซิลิกอนและเพื่อให้การเชื่อมโยงบนชิป ชั้นบาง ๆ ของอลูมิเนียมเป็นเงินกว่าเวเฟอร์ทั้ง อลูมิเนียมที่ถูกเลือกเพราะมันเป็นตัวนำที่ดีมีพันธบัตรเชิงกลที่ดีกับซิลิกอนแบบฟอร์มการติดต่อความต้านทานต่ำและสามารถนำมาประยุกต์ใช้และลวดลายด้วยการสะสมเดียวและขั้นตอนการแกะสลัก.

ทำชั้นต่อเนื่อง: - ขั้นตอนเช่นกำบังแกะสลักยาสลบจะ จะซ้ำสำหรับแต่ละลำดับชั้นจนถึงชิปแบบบูรณาการทั้งหมดจะเสร็จสมบูรณ์ ระหว่างส่วนประกอบ, ซิลิกอนไดออกไซด์จะถูกใช้เป็นฉนวนกันความร้อน กระบวนการนี้เรียกว่าสารเคมีสะสมไอ ที่จะทำให้แผ่นติดต่ออลูมิเนียมเป็นเงินฝาก ประดิษฐ์รวมกว่าสามชั้นแยกจากกันโดยชั้นอิเล็กทริก สำหรับการแยกทางไฟฟ้าและทางกายภาพชั้นของอิเล็กทริกที่เป็นของแข็งล้อมรอบในแต่ละองค์ประกอบซึ่งมีการแยก มันเป็นไปได้ที่จะสาน PNP และ NPN ทรานซิสเตอร์ในซิลิคอนตั้งต้นเดียวกัน เพื่อหลีกเลี่ยงความเสียหายและการปนเปื้อนของวงจรชั้นสุดท้ายอิเล็กทริก (ฟิล์ม) เป็นเงินฝาก หลังจากนั้นแต่ละ IC จะมีการทดสอบฟังก์ชั่นสำหรับการไฟฟ้า ตรวจสอบการทำงานของแต่ละชิปบนแผ่นเวเฟอร์ ชิปเหล่านี้จะไม่ผ่านการทดสอบจะถูกปฏิเสธ.

สภาและบรรจุภัณฑ์

แต่ละเวเฟอร์มีหลายร้อยของชิป ชิปเหล่านี้จะถูกแยกและบรรจุโดยวิธีที่เรียกว่า scribing และฝ่า เวเฟอร์คล้ายกับชิ้นส่วนของกระจก เพชรเห็นตัดเวเฟอร์เป็นชิปเดียว เพชรเครื่องมือปลายแหลมใช้ในการตัดสายผ่านตารางสี่เหลี่ยมซึ่งแยกชิปของแต่ละบุคคล ชิปที่ล้มเหลวในการทดสอบไฟฟ้าจะถูกยกเลิก ก่อนที่จะบรรจุภัณฑ์, ชิปที่เหลือจะถูกตั้งข้อสังเกตภายใต้กล้องจุลทรรศน์ ชิปที่ดีคือการติดตั้งแล้วเป็นแพคเกจ บางสายมีการเชื่อมต่อโดยใช้การเชื่อมอัลตราโซนิก มันถูกห่อหุ้มแล้วสำหรับการป้องกัน ก่อนที่จะส่งมอบให้กับลูกค้าชิปจะถูกทดสอบอีกครั้ง มีสามการตั้งค่าที่มีอยู่สำหรับบรรจุภัณฑ์ที่มี พวกเขาเป็นโลหะสามารถแพคเกจ, แพคเกจแบนเซรามิกและคู่สายในแพคเกจ สำหรับการใช้งานทางทหารชิปเป็นที่ประกอบในแพคเกจเซรามิก วงจรที่สมบูรณ์แบบบูรณาการที่ปิดผนึกในถุงพลาสติกสถิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขั้นตอนที่ 5งานมันถูกใช้เพื่อสร้างการติดต่อกับ ซิลิคอน และให้เชื่อมต่อบนชิป ชั้นบางของอลูมิเนียมจะฝากผ่านเวเฟอร์ทั้งหมด อลูมิเนียมจะถูกเลือกเพราะเป็นวาทยากรที่ดี , มีพันธะเชิงกลที่ดีกับซิลิคอน แบบฟอร์มติดต่อต้านทานต่ำและสามารถประยุกต์และลวดลายด้วยการเดี่ยวและกระบวนการกัด .ทำให้ชั้นต่อเนื่อง : - กระบวนการเช่นกาว , กัด , การเติมจะซ้ำสำหรับแต่ละชั้นต่อเนื่องจนชิปรวมเสร็จสมบูรณ์ ระหว่างส่วนประกอบ ซิลิคอนไดออกไซด์ คือใช้เป็นฉนวน กระบวนการนี้เรียกว่าสะสมไอเคมี ติดต่อแผ่น อลูมิเนียมจะเข้าบัญชี การผลิตมีมากกว่า 3 ชั้น โดยการแยกชั้น สำหรับอุปกรณ์ไฟฟ้าและทางกายภาพ การแยกชั้นของฉนวนแข็งล้อมรอบในแต่ละส่วนประกอบที่ให้แยก มันเป็นไปได้ที่จะสร้างทรานซิสเตอร์ NPN และ PNP ในแผ่นซิลิคอนเดียวกัน เพื่อหลีกเลี่ยงความเสียหายและการปนเปื้อนของวงจรสุดท้ายชั้นไดอิเล็กทริก ( passivation ) ฝาก หลังจากนั้น , IC แต่ละจะถูกทดสอบสำหรับการทำงานไฟฟ้า ตรวจสอบการทำงานของแต่ละชิปบนเวเฟอร์ ชิปเหล่านี้จะไม่ได้ผ่านในการทดสอบจะถูกปฏิเสธการประกอบและบรรจุภัณฑ์ของแต่ละด้านประกอบด้วยหลายร้อยของชิป ชิปเหล่านี้จะแยกและบรรจุโดยวิธีการที่เรียกว่าสไครบิง และสามารถ . เวเฟอร์จะคล้ายกับชิ้นส่วนของแก้ว เพชรเห็นตัดแผ่นเวเฟอร์ในชิปเดียว เพชรปลายเครื่องมือใช้ในการตัดสายผ่านสี่เหลี่ยมตารางที่แยกชิปแต่ละ ชิปที่ล้มเหลวในการทดสอบทางไฟฟ้าจะถูกละทิ้ง ก่อนการบรรจุชิปที่เหลืออยู่มีการตรวจสอบภายใต้กล้องจุลทรรศน์ ชิปที่ดีคือติดตั้งแล้วในแพคเกจ ลวดเชื่อมที่ใช้ความถี่บาง เชื่อม มันเป็นแล้วห่อหุ้มเพื่อปกป้อง ก่อนส่งมอบให้กับลูกค้าได้ ชิปทดสอบอีกครั้ง มีสามรูปแบบของบรรจุภัณฑ์ พวกเขาเป็นโลหะสามารถแพคเกจ แพคเกจ และเซรามิกแบนสองเส้นในแพคเกจ สำหรับการใช้งานทางทหารชิปประกอบในชุดเซรามิค เสร็จสมบูรณ์ในวงจรรวมที่ปิดผนึกป้องกันไฟฟ้าสถิต พลาสติก ถุง