Series resistance is determined by

Series resistance is determined by contacts and bulk resistances
whereas shunt resistance by defects and traps in a solar cell. From
a graphical representation of IeV curves shown in Fig. 2, a series
resistance (RS) is a slope of the dark IeV curve in the first quadrant,
a shunt resistance (Rsh) is a slope at near-zero voltage, the internal
dynamic resistance (Rd) is a slope at of the IeV curve (dark and
illumination) at an operating point. In addition, the external
dynamic resistance is the ratio of the voltage and current at
terminals of a solar cell, and, therefore, is equal to series resistance
in series with the internal dynamic resistance

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ชุดความต้านทานจะถูกกำหนด โดยติดต่อและต้านทานจำนวนมากในขณะที่ shunt ต้านทานบกพร่องและกับดักในเซลล์แสงอาทิตย์ จากภาพแสดงโค้ง IeV แสดงใน Fig. 2 ชุดความต้านทาน (RS) มีความชันของเส้นโค้ง IeV มืดในควอดร้อนท์แรกต้านทางเชื่อมโพรง (มี) เป็นทางลาดชันที่แรงดันใกล้ศูนย์ ภายในความต้านทานแบบไดนามิก (Rd) เป็นทางลาดชันที่โค้ง IeV (สีเข้ม และรัศมี) ชี้ที่ปฏิบัติการ นอกจากนี้ ในภายนอกอัตราส่วน ของแรงดันไฟฟ้า และปัจจุบันที่เป็นความต้านทานแบบไดนามิกเทอร์มินัลของเซลล์แสงอาทิตย์ และ ดังนั้น เท่ากับชุดความต้านทานในชุดมีตัวต้านทานแบบไดนามิกภายใน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ต้านทานชุดจะถูกกำหนดโดยรายชื่อและความต้านทานจำนวนมาก
ในขณะที่ความต้านทานแบ่งจากข้อบกพร่องและกับดักในเซลล์แสงอาทิตย์ จาก
การแสดงกราฟิกของเส้นโค้ง IEV แสดงในรูป 2 ชุด
ต้านทาน (RS) เป็นความชันของเส้นโค้ง IEV มืดในด้านแรก
ต้านทานปัด (Rsh) เป็นที่ลาดชันใกล้ศูนย์แรงดันไฟฟ้าภายใน
ต้านทานแบบไดนามิก (ถ) เป็นที่ลาดชันของ IEV เส้นโค้ง (มืดและ
ความสว่าง) ที่จุดปฏิบัติการ นอกจากนี้ภายนอก
ต้านทานแบบไดนามิกเป็นอัตราส่วนของแรงดันและกระแสที่
ขั้วของเซลล์แสงอาทิตย์และจึงมีค่าเท่ากับต้านทานชุด
ในชุดที่มีความต้านทานภายในแบบไดนามิก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ชุดความต้านทานจะพิจารณาจากรายชื่อและความต้านทานต่อความต้านทานโดยเป็นกลุ่ม
ส่วนข้อบกพร่องและกับดักในเซลล์แสงอาทิตย์ จากการ iev การแสดงกราฟิกของเส้นโค้งที่แสดงในรูปที่ 2 , ชุด
ต้านทาน ( RS ) คือ ความชันของเส้นโค้ง iev มืดในด้านแรก
การสับเปลี่ยนต้านทาน ( RSH ) ลาดใกล้ศูนย์แรงดันภายใน
แบบไดนามิกที่ต้านทาน ( RD ) คือความลาดชันของเส้นโค้งที่ iev มืด
รัศมี ) ที่ใช้จุด นอกจากนี้ความต้านทานแบบไดนามิกภายนอก
มีอัตราส่วนของแรงดันและกระแสที่
ขั้วของเซลล์แสงอาทิตย์และ ดังนั้น เท่ากับชุดต้านทาน
ในชุดกับความต้านทานพลวัตภายใน