5.1. Antireflection coating (ARC)As

5.1. Antireflection coating (ARC)

As discussed above, ARC is used to reduce the reflection from the front surface. This reduction is based on the destructive interference at the interface [29] and [30]. It consists of a layer of a dielectric material deposited on the surface of the active material of solar cell having a particular thickness. This layer should be transparent and is a quarter wavelength thick (thickness, d=λ/4n, where n is refractive index). The light wave reflected from the antireflection coating is 180° out of phase with the reflected wave from the semiconductor surface. This causes destructive interference, resulting in zero net reflected energy [31].

The refractive index of ARC should be between the materials on either side. Glass and Si have refractive index of 1.5 and 3.7 and for minimum reflection antireflection coating should have refractive index of ~2.4. Structure with ARC is shown in Fig. 6[32] and [33].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

5.1. สะท้อนเคลือบ (ARC)ตามที่กล่าวไว้ข้างต้น ARC ใช้เพื่อลดแสงสะท้อนจากพื้นผิวด้านหน้า ลดนี้อยู่รบกวนทำลายที่อินเทอร์เฟซ [29] [30] ประกอบด้วยชั้นของวัสดุเป็นฉนวนฝากบนพื้นผิวของวัสดุที่ใช้งานของเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีความหนาบาง ชั้นนี้ควรจะโปร่งใส และเป็นไตรมาสมีความยาวคลื่นหนา (หนา d = λ/4n โดยที่ n คือ ดัชนีหักเหของแสง) คลื่นแสงที่สะท้อนจากผิวเคลือบสะท้อนเป็น 180° จากเฟสกับคลื่นสะท้อนจากพื้นผิวของสารกึ่งตัวนำ ซึ่งทำให้รบกวนทำลาย ในศูนย์พลังงานสะท้อนสุทธิ [31]ดัชนีหักเหของแสงของ ARC ควรอยู่ระหว่างวัสดุทั้งสองข้าง แก้วและศรีมีดัชนีหักเหของแสงของ 1.5 และ 3.7 และสะท้อนต่ำสะท้อนเคลือบควรมีดัชนีหักเหของแสงของ ~ 2.4 โครงสร้างกับ ARC จะแสดงในรูป 6 [32] และ [33]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

5.1 สะท้อนเคลือบ (ARC) ตามที่กล่าวไว้ข้างต้น ARC ใช้เพื่อลดการสะท้อนจากพื้นผิวด้านหน้า การลดลงนี้จะขึ้นอยู่กับการรบกวนการทำลายล้างที่อินเตอร์เฟซ [29] และ [30] มันประกอบไปด้วยชั้นของวัสดุที่เป็นฉนวนฝากบนพื้นผิวของวัสดุที่ใช้งานของเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีความหนาโดยเฉพาะอย่างยิ่ง ชั้นนี้ควรจะโปร่งใสและเป็นความยาวคลื่นไตรมาสหนา (ความหนา, D = λ / 4N ที่ n คือดัชนีหักเห) คลื่นแสงที่สะท้อนจากการเคลือบสะท้อนคือ 180 องศาออกจากเฟสด้วยคลื่นสะท้อนจากพื้นผิวเซมิคอนดักเตอร์ นี้ทำให้เกิดการทำลายอุปสรรคที่เกิดในศูนย์สุทธิสะท้อนพลังงาน [31]. ดัชนีหักเหของส่วนโค้งควรอยู่ระหว่างวัสดุที่ด้านใดด้านหนึ่ง กระจกและศรีมีดัชนีหักเห 1.5 และ 3.7 และเคลือบสะท้อนสะท้อนขั้นต่ำควรจะมีดัชนีหักเห ~ 2.4 โครงสร้าง ARC แสดงในรูป 6 [32] และ [33]