that MOSFETs are more immune to the

that MOSFETs are more immune to the thermal runaway effects and second
breakdown phenomena experienced in bipolars.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

MOSFETs มากภูมิคุ้มกันผลกระทบการแพร่กระจายความร้อนและที่สองแบ่งปรากฏการณ์ที่พบใน bipolars

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

MOSFETs
ที่มีภูมิคุ้มกันมากขึ้นต่อผลกระทบที่หลบหนีความร้อนและครั้งที่สองปรากฏการณ์สลายประสบการณ์ในbipolars

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่สอดมีภูมิคุ้มกันกับความร้อนหนีผลกระทบและสอง
ปรากฏการณ์ที่มีประสบการณ์ในการขอ ไบโพลาร์ .