Fig. 1 is an elementary application

Fig. 1 is an elementary application of the above principle. Neglecting for the moment the variation of IC with VCe and the effects of base current, this circuit will conduct a current proportional to absolute temperature for any voltage greater than two Vbe across the device. Transistors Q1 and Q2 constrain the collector currents of Q3 and Q4 to be equal. Since the emitter area ratio of Q3 and Q4 is r, the difference in their Vbe’s is Vt in (3). For r = 8,

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 1 เป็นโปรแกรมระดับประถมศึกษาของหลักการข้างต้น ละเลยในขณะการเปลี่ยนแปลงของ IC กับ VCe และผลกระทบของฐานปัจจุบัน วงจรนี้จะทำเป็นสัดส่วนในปัจจุบันอุณหภูมิสัมบูรณ์สำหรับแรงดันไฟฟ้าใด ๆ มากกว่าสอง Vbe ข้ามอุปกรณ์ ทรานซิสเตอร์ Q1 และ Q2 จำกัดกระแสสะสม Q3 และ Q4 ให้เท่า ตั้งแต่อัตราการยิงของ Q3 และ Q4 r ความแตกต่างใน Vbe ของพวกเขาคือ Vt ใน (3) R = 8

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ. 1 เป็นโปรแกรมเบื้องต้นของหลักการดังกล่าวข้างต้น ละเลยสำหรับช่วงเวลาที่การเปลี่ยนแปลงของ IC กับ VCE และผลกระทบของฐานปัจจุบันวงจรนี้จะดำเนินการในปัจจุบันเพื่อสัดส่วนอุณหภูมิสัมบูรณ์แรงดันไฟฟ้ามากขึ้นกว่าสอง Vbe ข้ามอุปกรณ์ ทรานซิสเตอร์ Q1 และ Q2 จำกัด กระแสนักสะสมของไตรมาส 3 และ 4 จะเท่ากับ เนื่องจากอัตราส่วนพื้นที่อีซีแอลของไตรมาส 3 และ 4 คือ R, ความแตกต่างใน Vbe ของพวกเขาคือเวอร์มอนต์ใน (3) สำหรับ R = 8

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 1 เป็นโปรแกรมเบื้องต้นของหลักการข้างต้น แต่สำหรับช่วงเวลาที่การเปลี่ยนแปลงของ IC กับ vce และผลของฐานปัจจุบัน วงจรนี้จะนำกระแสที่เป็นสัดส่วนกับอุณหภูมิสัมบูรณ์มีแรงดันที่มากกว่าสอง vbe ข้ามอุปกรณ์ ทรานซิสเตอร์ Q1 และ Q2 กำหนดกระแส Q3 และ Q4 สะสมได้เท่ากับ เนื่องจากพื้นที่ส่วน Q3 และ Q4 อีซี R , ความแตกต่างใน vbe เป็น VT ( 3 ) R = 8