The electrical resistivity of ITO f

The electrical resistivity of ITO film is known to be affected by two major factor:

The crystallinity and stoichiometry of the film,and

The concentration of electrically active Sn dopants and oxygen vacancies present

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เรียกว่าความต้านทานไฟฟ้าของฟิล์ม ITO ได้รับผลกระทบ โดยปัจจัยสำคัญที่สอง: ผลึกและ stoichiometry ฟิล์ม และ ความเข้มข้นของ dopants Sn ใช้งานด้วยระบบไฟฟ้าและออกซิเจนตำแหน่งปัจจุบัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ต้านทานไฟฟ้าของฟิล์ม ITO เป็นที่รู้จักกันที่จะได้รับผลกระทบจากสองปัจจัยสำคัญ:

ผลึกและปริมาณสารสัมพันธ์ของฟิล์มและ

ความเข้มข้นของสารเจือ Sn ใช้งานระบบไฟฟ้าและตำแหน่งงานว่างออกซิเจนในปัจจุบัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สภาพต้านทานไฟฟ้าไฟฟ้าของ ITO ภาพยนตร์เป็นที่รู้จักได้รับผลกระทบ โดยสองปัจจัยหลัก :ความเป็นผลึกและปริมาณสัมพันธ์ของภาพยนตร์ความเข้มข้นของออกซิเจนและใช้ไฟฟ้า SN ในตำแหน่งปัจจุบัน