Electrical properties analysis: To

Electrical properties analysis: To determine the transport properties of the synthesized graphenefilm, back-gated GFETs were
fabricated on 300 nm SiO2/Si substrates, as shown in the inset in
Fig. 3(a).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วิเคราะห์คุณสมบัติทางไฟฟ้า: เพื่อกำหนดคุณสมบัติการขนส่งของ graphenefilm สังเคราะห์ GFETs gated กลับได้หลังสร้างบนพื้นผิว 300 nm SiO2/ศรี ดังที่แสดงในแทรกในFig. 3(a)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การวิเคราะห์คุณสมบัติทางไฟฟ้า: การตรวจสอบคุณสมบัติการขนส่งของ graphenefilm สังเคราะห์ GFETs หลังรั้วรอบขอบชิดมีการ
ประดิษฐ์ที่ 300 นาโนเมตรพื้นผิว SiO2 / ศรีดังแสดงในใส่ใน
รูป 3 (ก)