The nanosized TiO2 was mixed with W

The nanosized TiO2 was mixed with WO3 and doped with transition metals (Pt,Ru, Pd and In). Particle sizes, phases and specific surface areas of sensor materials were investigated by SEM, XRD and BET analyses. The metal-TiO2 thick films were prepared by screen-printing method onto Al2O3 substrates with platinum electrode. It was shown that the highest sensitivity and selectivity of the sensor for trimethylamine and ammonia mixed gas by doping with 1 wt.%In and 15 wt.% WO3 was
reached at the optimum operating temperature of 350 C.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผสมกับ WO3 และ doped ด้วยโลหะเปลี่ยนตัวรอง TiO2 (Pt, Ru, Pd และใน) ขนาดอนุภาค ระยะ และพื้นที่ผิวเฉพาะวัสดุเซ็นเซอร์ถูกสอบสวน โดยวิเคราะห์ SEM, XRD และเดิมพัน ฟิล์มหนาของ TiO2 โลหะถูกจัดทำ โดย screen-printing วิธีลงบนพื้นผิวของ Al2O3 กับอิเล็กโทรดแพลทินัม ที่แสดงได้ว่า ความไวสูงสุดและวิธีของการเซ็นเซอร์ trimethylamine และแอมโมเนียผสมก๊าซ โดยโดปปิงค์กับ 1 wt.%I15 และ n wt.% WO3ถึงที่เหมาะสมอุณหภูมิของค. 350

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

TiO2 nanosized ผสมกับ WO3 และเจือด้วยโลหะมีการเปลี่ยนแปลง (จุด, Ru, Pd และใน) ขนาดอนุภาคขั้นตอนและพื้นที่ผิวจำเพาะของวัสดุเซ็นเซอร์ได้รับการตรวจสอบโดย SEM, XRD และการวิเคราะห์การพนัน โลหะ TiO2 ฟิล์มหนาถูกจัดทำขึ้นโดยวิธีการพิมพ์หน้าจอลงบนพื้นผิว Al2O3 กับอิเล็กโทรดแพลทินัม มันก็แสดงให้เห็นว่ามีความไวสูงที่สุดและการเลือกของเซ็นเซอร์สำหรับ trimethylamine และแอมโมเนียก๊าซผสมโดยยาสลบ 1 น้ำหนัก.% ในและ 15 โดยน้ำหนัก.% WO3 ถูก
ถึงที่อุณหภูมิในการทำงานที่เหมาะสมของ 350 C.

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นํา nanosized ผสมกับ wo3 และเจือด้วยโลหะทรานซิชัน ( PT , ru , โปรดิวเซอร์และใน ) ขนาดอนุภาค และพื้นที่ผิวของวัสดุเฟสเฉพาะเซ็นเซอร์ คือ SEM , XRD วิเคราะห์เดิมพัน การ metal-tio2 ฟิล์มหนาถูกเตรียมโดยวิธีการพิมพ์หน้าจอบนพื้นผิว Al2O3 ที่มีแพลทินัมอิเล็กโทรดพบว่าค่าความไวสูงสุดและการเลือกเกิดของเซนเซอร์สำหรับไตรเมทิลามีนและแอมโมเนียก๊าซผสมโดยการเติม 1 % โดยน้ำหนัก และ 15 % โดยน้ำหนัก wo3 คือ
มาถึงที่ที่อุณหภูมิ 350 องศาเซลเซียส