ta=90, 60 and 30 min, rRT=0.39, 0.1

ta=90, 60 and 30 min, rRT=0.39, 0.16 and 0.09 S cm
1,respectively.) The conductivities range from a minimum of 0.09 S cm
1 (for ta=30 min) to a maximum of 5.0 S cm
1(for ta=90 min) in the above temperature range. Previously,Kowazoe et al. [19] and Yanagi et al. [21] obtained the room-temperature conductivities for their pulsed laser deposited CuAlO2 thin films on sapphire substrates as 0.095 and 0.34 S cm
1, respectively.Defect chemistry plays an important role for the increase in p-type conductivity of this material. Metal deficit (or excess oxygen) within the crystallite sites of the material may enhance the p-type conductivity. This deviation from the stoichiometric composition of the components can be induced by regulating the postdeposition
annealing time (ta) in oxygen atmosphere. The approximate defect reaction may be represented by the following equation [15,25]
where OO, VCu, VAl and h denote lattice oxygen, Cu vacancy, Al vacancy and hole, respectively. Superscripts X,
and + denote effective neutral, negative and positive charge states, respectively. Composition analyses of the films showed that for the unannealed films, the composition is almost stoichiometric. But Hot-probe measurement confirmed the p-type nature of these films.Therefore, it can be argued that some amount of excess oxygen may be present in the unannealed films but the amount is so low that it could not be measured within our
experimental limit. This argument seems reasonable if we compare our result with the previously reported values where it has been stated that intercalation of oxygen into the CuAlO2 thin film was not easy [26] and Thomas [20] suggested that the chemical formula of this materialwould be CuAlO2+x with as low as 0.001 at.% of excess oxygen (i.e., x=1/50,000) over stoichiometric value within the film prepared by Kowazoe et al. [19]. Later, Yanagi et al. [21] performed postdeposition oxygen annealing of the films prepared by the same method as that of Kowazoe et
al. [19] and observed a significant increase in the carrier conduction within the films. Although they have not

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตา = 90, 60 และ 30 นาที rRT = 0.39, 0.16 และ 0.09 ซม. S 1 ตามลำดับ.) การนำตั้งแต่น้อย 0.09 ซม. S 1 (สำหรับตา = 30 นาที) สูง 5.0 ซม. S 1 (สำหรับตา = 90 นาที) ในช่วงอุณหภูมิข้างต้น ก่อนหน้านี้ Kowazoe et al. [19] และ Yanagi et al. [21] ได้นำอุณหภูมิห้องสำหรับเลเซอร์ของพัลฝาก CuAlO2 ฟิล์มบางบนพื้นผิวที่แซฟไฟร์เป็น 0.095 S 0.34 เซนติเมตร 1 ตามลำดับเคมีข้อบกพร่องมีบทบาทสำคัญสำหรับเพิ่มในนำ p-ชนิดของวัสดุนี้ โลหะดุล (หรือออกซิเจนส่วนเกิน) ใน crystallite ไซต์ของวัสดุอาจเพิ่มนำชนิด p นี้แตกต่างจากส่วนประกอบของคอมโพเนนต์ stoichiometric สามารถถูกเหนี่ยวนำ โดยควบคุม postdeposition ที่การอบเหนียวเวลา (ตา) ในบรรยากาศออกซิเจน ปฏิกิริยาความบกพร่องโดยประมาณจะถูกแสดง โดยสมการต่อไปนี้ [15,25]ดา VCu วาล และ h แสดง โครงตาข่ายประกอบออกซิเจน ตำแหน่งว่าง Cu, Al ตำแหน่งว่าง และ หลุม ตามลำดับ ตัวยก X และ + แสดงผลกลาง ลบ และบวกค่าอเมริกา ตามลำดับ วิเคราะห์องค์ประกอบของภาพยนตร์แสดงให้เห็นว่าสำหรับฟิล์ม unannealed องค์ประกอบว่า stoichiometric เกือบ แต่ร้อนโพรบวัดยืนยันลักษณะ p-ประเภทของภาพยนตร์เหล่านี้ดังนั้น มันสามารถถูกโต้เถียงว่า ออกซิเจนส่วนเกินบางจำนวนอาจแสดงในภาพยนตร์ unannealed แต่ยอดเงินต่ำสุดดังนั้นไม่สามารถจะวัดภายในของเราวงเงินทดลอง อาร์กิวเมนต์นี้ดูจะสมเหตุสมผลถ้าเราเปรียบเทียบผลของเรา มีค่าที่รายงานไปก่อนหน้านี้ซึ่งจะมีการระบุว่า intercalation ของออกซิเจนเป็นฟิล์มบาง CuAlO2 ไม่ง่าย [26] และ Thomas [20] แนะนำว่า สูตรทางเคมีของ materialwould นี้เป็น CuAlO2 + x at.% 0.001 ของออกซิเจนส่วนเกินต่ำ (เช่น x = 1/50000) มากกว่าค่า stoichiometric ภายในฟิล์มที่เตรียมจาก Kowazoe et al. [19] ภายหลัง al. et Yanagi [21] ทำออกซิเจน postdeposition การอบเหนียวของฟิล์มที่เตรียม โดยวิธีการเดียวกันกับ Kowazoe ร้อยเอ็ดal. [19] และสังเกตการเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญในการนำบริษัทขนส่งภายในภาพยนตร์ ถึงแม้ว่าไม่มี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตา = 90 , 60 และ 30 นาที RRT = 0.39 , 0.16 และ 0.09 s ซม.
1 ตามลำดับ ) จากค่าต่ำสุดของช่วง 0.09 s ซม.
1 ( TA = 30 นาที ) สูงสุด 5.0 ซม.
1 s ( TA = 90 นาที ) ในช่วงอุณหภูมิสูงกว่า . ก่อนหน้านี้ kowazoe et al . [ 19 ] และยานางิ et al . [ 21 ] ได้รับอุณหภูมิของห้อง conductivities พัลส์เลเซอร์ฝาก cualo2 ฟิล์มบางบนพื้นผิว แซฟไฟร์เป็น 0095 และ 0.34 s ซม.
1 ตามลำดับ เคมีของเสียมีบทบาทสำคัญสำหรับการเพิ่มขึ้นในพีการนำความร้อนของวัสดุนี้ ดุลโลหะ ( หรือออกซิเจนส่วนเกิน ) ภายในผลึกเว็บไซต์ของวัสดุอาจเพิ่มพี conductivity ซึ่งเบี่ยงเบนจากองค์ประกอบอัตราส่วนของส่วนประกอบที่สามารถชักนำโดยการควบคุม postdeposition
การอบอ่อน ( TA ) ในบรรยากาศออกซิเจน ปฏิกิริยาแบบโดยประมาณ อาจจะแทนด้วยสมการ [ 15,25 ]
ที่ใช่ , VCU ต่อไปนี้ วาล และ H แทนออกซิเจน ตาข่ายทองแดง ที่ว่าง ที่ว่าง และ อัล รู ตามลำดับ superscripts X ,
แสดงถึงประสิทธิภาพและเป็นกลาง ลบและบวกค่าธรรมเนียมรัฐ ตามลำดับ การวิเคราะห์องค์ประกอบของฟิล์มพบว่า unannealed สำหรับภาพยนตร์ ,องค์ประกอบเกือบ stoichiometric . แต่วัดโพรบร้อนยืนยันพีธรรมชาติของภาพยนตร์เหล่านี้ ดังนั้น มันสามารถจะแย้งว่ามีปริมาณออกซิเจนส่วนเกินอาจจะอยู่ในหนัง unannealed แต่ปริมาณต่ำมากซึ่งไม่สามารถวัดได้ภายในวงเงินทดลองของเรา

อาร์กิวเมนต์นี้ดูเหมือนว่าเหมาะสมถ้าเราเปรียบเทียบผลลัพธ์ของเรากับรายงานก่อนหน้านี้ระบุว่า คุณค่าที่ได้รับ intercalation ออกซิเจนในฟิล์มบาง cualo2 ไม่ง่าย [ 26 ] และโทมัส [ 20 ] แนะนำว่าสูตรทางเคมีของ materialwould นี้เป็น cualo2 x กับเป็นต่ำเป็น 1 ใน % ของออกซิเจนส่วนเกิน ( เช่น x = 1 / 50000 ) ค่าอัตราส่วนภายในภาพยนตร์ที่เตรียมโดย kowazoe et al . [ 19 ] ต่อมา ยานางิ et al . [ 21 ] แสดง postdeposition ออกซิเจนขนาดของฟิล์มที่เตรียมได้โดยวิธีการเดียวกันกับของ kowazoe et
อัล [ 19 ] และสังเกตการเปลี่ยนแปลงในผู้ให้บริการจัดการภายในภาพยนตร์ แม้ว่าพวกเขาไม่ได้