melt-zone, produces single crystals

melt-zone,
produces
single
crystals while
impurities
migrate along
the rod with
the molten material.
Since the first experiments in the 1950s to develop this technique,
the method has been adapted commercially and involves
many passes of the melt-zone along the silicon rod before
crystals suitable for use in semiconductors are obtained.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ละลายโซน ก่อให้เกิด เดียว ผลึกในขณะที่สิ่งสกปรก ย้ายไปตาม คันพร้อมด้วยวัสดุหลอมตั้งแต่การทดลองครั้งแรกในปี 1950 การพัฒนาเทคนิคนี้วิธีการมีการดัดแปลงในเชิงพาณิชย์ และเกี่ยวข้องกับที่ผ่านมากของโซนละลายไปตามแกนซิลิโคนก่อนเหมาะสำหรับใช้ในสารกึ่งตัวนำผลึกที่ได้รับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ละลายโซน
ผลิต
เดียว
ผลึกในขณะที่
สิ่งสกปรก
โยกย้ายพร้อม
แกนด้วย
วัสดุหลอมเหลว.
ตั้งแต่ทดลองครั้งแรกในปี 1950 ในการพัฒนาเทคนิคนี้
วิธีการที่ได้รับการดัดแปลงในเชิงพาณิชย์และเกี่ยวข้องกับการ
ผ่านหลายละลายโซนพร้อมแกนซิลิกอนก่อน
ผลึกเหมาะสำหรับใช้ในอุปกรณ์กึ่งตัวนำจะได้รับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ละลายโซนสร้างเดี่ยวผลึกในขณะที่ปลอมโยกย้ายตามไม้เรียวกับวัสดุหลอมเนื่องจากการทดลองครั้งแรกในปี 1950 เพื่อพัฒนาเทคนิคนี้วิธีการได้ถูกนำมาใช้ในเชิงพาณิชย์และ เกี่ยวข้องกับผ่านหลายโซนตามซิลิคอนเหล็กละลายก่อนคริสตัล เหมาะสำหรับใช้ในระบบจะรับ