The etch selectivity, etch rate of

The etch selectivity, etch rate of SF6 plasma and CF4 plasma were tested to etch AlTiC substrate with NiCr metal mask.
The highest etch selectivity and AlTiC etch rate that achieved by using CF4 plasma with selectivity (AlTiC (5.67) : NiCr (1)) and etch rate 64.77 nm/min.
The plasma type is the one important factor that impacts the etching rate because it concerns about a number of positive ion species is generated from the plasma which control the etching rate in a physical etching which dominate the system such a NiCr/AlTiC with fluorine-based plasma etching.
CF4 plasma was selected for further experiment to achieve the higher etch selectivity with a lower kinetic energy process regime.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ใว etch, etch อัตราของพลาสมา SF6 CF4 พลาสมาถูกทดสอบพื้นผิว AlTiC etch ด้วย NiCr หน้ากากโลหะ วิธีกัดสูง และกัด AlTiC อัตราที่สำเร็จ โดยใช้พลาสม่า CF4 ใว (AlTiC (5.67): NiCr (1)) และกัดอัตรา 64.77 nm/min ชนิดพลาสม่าเป็นหนึ่งปัจจัยสำคัญที่ส่งผลกระทบต่ออัตราการกัด เพราะมันเกี่ยวข้องกับเกี่ยวกับจำนวนของไอออนบวกชนิด สร้างพลาสม่าซึ่งควบคุมอัตรากัดทางกายภาพการแกะสลักซึ่งครองระบบดังกล่าวเป็น NiCr/AlTiC กับฟลูออรีนใช้พลาสม่ากัด เลือกพลาสม่า CF4 สำหรับทดลองเพิ่มเติมเพื่อให้ใวกับระบอบกระบวนการพลังงานจลน์ต่ำกัดสูงกว่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเลือกจำหลักอัตราการกัดพลาสมา SF6 และพลาสม่า CF4 ได้มีการทดสอบการกัดพื้นผิว Altic กับหน้ากากโลหะ NiCr.
การเลือกจำหลักสูงสุดและ Altic อัตราการกัดที่ทำได้โดยการใช้พลาสม่า CF4 กับหัวกะทิ (Altic (5.67): NiCr (1)) และกัดอัตรา 64.77 นาโนเมตร / นาที.
ชนิดพลาสม่าเป็นปัจจัยที่สำคัญอย่างหนึ่งที่ส่งผลกระทบต่ออัตราการกัดเพราะความกังวลเกี่ยวกับจำนวนของสายพันธุ์ไอออนบวกถูกสร้างขึ้นจากพลาสม่าที่ควบคุมอัตราการแกะสลักในการแกะสลักทางกายภาพที่มีอิทธิพลต่อระบบดังกล่าว NiCr / Altic กับการแกะสลักพลาสม่าฟลูออรีนตาม.
CF4 พลาสม่าได้รับเลือกสำหรับการทดสอบต่อไปเพื่อให้บรรลุการเลือกจำหลักที่สูงขึ้นกับระบอบการปกครองกระบวนการพลังงานจลน์ที่ต่ำกว่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเลือกกัดกัด , อัตราและพลาสมาพลาสมา SF6 CF4 ทดสอบ etch altic หน้ากากโลหะพื้นผิวกับผิว .
สูงสุดและอัตราการกัดกร่อน altic กัดได้โดยใช้ CF4 พลาสมากับหัวกะทิ ( altic ( 5.67 ) ผิว ( 1 ) อัตราการกัดกร่อน 64.77 nm /
.ประเภทพลาสมาเป็นหนึ่งปัจจัยสําคัญที่มีผลกระทบต่ออัตราการกัด เพราะความกังวลเกี่ยวกับจำนวนของชนิดประจุบวกถูกสร้างขึ้นจากพลาสมาที่ควบคุมอัตราการกัดในทางกายภาพซึ่งครองระบบเช่น NiCr / altic กับฟลูออรีนพลาสมาแกะสลักจาก
CF4 พลาสมาถูกเลือกสำหรับทดลองต่อไปเพื่อให้บรรลุสูงการกัดกร่อนด้วยราคาพลังงานจลน์กระบวนการระบอบการปกครอง