Cu2ZnSnS4 (CZTS) films were fabrica

Cu2ZnSnS4 (CZTS) films were fabricated from a ceramic quaternary target, through middle frequency
magnetron sputtering. A post sulfurization process was applied for the sputtered films and sulfurization
temperatures ranging from 460
C to 580
C were utilized. It has been found that obvious Zn loss exists
during the sputtering, making the sputtered films become Zn poor although the target is Zn rich. The
sputtered films were not totally amorphous, but composed of small CZTS grains at the size of several
nanometers. After a post sulfurization process the crystallinity were greatly improved and films
composed of densely packed CZTS grains at the size of several hundred nanometers can be obtained at
sulfurization temperatures higher than 520
C. Yet minor SnS coexists with CZTS since the films were Zn
poor and Sn rich. And finally the CZTS films sulfurized at 580
C depict an optical band gap of around
1.55 eV.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Cu2ZnSnS4 (CZTS) ฟิล์มหลังสร้างจากเป้าหมาย quaternary เซรามิก ผ่านความถี่กลางmagnetron พ่น ใช้กระบวนการ sulfurization ลงฟิล์ม sputtered และ sulfurizationมีใช้อุณหภูมิตั้งแต่ 460 C 580 C จะพบว่า ขาดทุน Zn ชัดเจนอยู่ในระหว่างการพ่น ทำฟิล์ม sputtered กลายเป็น Zn ต่ำแม้ว่าเป้าหมายคือ Zn รวย ที่ฟิล์ม sputtered ไม่ไปทั้งหมด แต่ประกอบด้วยธัญพืช CZTS เล็กขนาดหลายชนิดnanometers หลังจากกระบวนการ sulfurization ลง crystallinity ที่มีมากขึ้น และภาพยนตร์ประกอบหนาแน่นไปบรรจุ CZTS ธัญพืชทาง nanometers หลายร้อยได้ที่sulfurization อุณหภูมิสูงกว่า 520 C. ยัง รอง SnS coexists กับ CZTS เนื่องจากภาพยนตร์มี Znคนจนและคนรวย Sn และในที่สุด ภาพยนตร์ CZTS sulfurized ที่ 580 C แสดงช่องว่างวงแสงที่ของสถาน1.55 eV

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Cu2ZnSnS4 (CZTS) ฟิล์มประดิษฐ์จากเป้าหมายเซรามิกไตรมาสที่ผ่านความถี่กลาง
แมกสปัตเตอร์ ขั้นตอนการโพสต์ sulfurization ถูกนำมาใช้สำหรับภาพยนตร์ sputtered และ sulfurization
อุณหภูมิตั้งแต่ 460? C ถึง 580? C ถูกนำมาใช้ จะได้รับพบว่าการสูญเสียที่เห็นได้ชัดสังกะสีที่มีอยู่
ในระหว่างการสปัตเตอร์ที่ทำให้กลายเป็นภาพยนตร์ sputtered Zn ยากจนแม้ว่าเป้าหมายจะ Zn ที่อุดมไปด้วย
ภาพยนตร์ sputtered ไม่สัณฐานโดยสิ้นเชิง แต่ประกอบด้วยธัญพืช CZTS ขนาดเล็กที่มีขนาดหลาย
นาโนเมตร หลังจากขั้นตอนการโพสต์ sulfurization ผลึกได้รับการปรับปรุงอย่างมากและภาพยนตร์
ประกอบด้วยแน่นขนัด CZTS ธัญพืชที่มีขนาดหลายร้อยนาโนเมตรสามารถรับได้ที่
อุณหภูมิ sulfurization สูงกว่า 520 องศาเซลเซียส แต่ SNS เล็กน้อย coexists กับ CZTS ตั้งแต่ภาพยนตร์เป็น Zn
ยากจนและ Sn ที่อุดมไปด้วย และในที่สุดภาพยนตร์ CZTS sulfurized ที่ 580? C แสดงให้เห็นถึงช่องว่างแถบแสงประมาณ
1.55 eV

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

cu2znsns4 ( czts ) ภาพยนตร์ที่ถูกประดิษฐ์จากเซรามิค ซึ่งเป้าหมายผ่านความถี่
กลางแมกนีตรอนสปัตเตอริง . โพสต์ sulfurization กระบวนการประยุกต์สำหรับ sputtered ภาพยนตร์และ sulfurization
อุณหภูมิตั้งแต่ 460
C ถึง 580
C ใช้รถ พบว่า การสูญเสียสังกะสีชัดเจนอยู่แล้วในการสปัตเตอร์
,การ sputtered ภาพยนตร์กลายเป็นสังกะสีไม่ดีแม้ว่าเป้าหมายคือ Zn ที่อุดมไปด้วย
sputtered ฟิล์มไม่ไป แต่ประกอบด้วยธัญพืช czts เล็กที่ขนาดหลาย
นาโนเมตร หลังจากโพสต์ sulfurization กระบวนการผลึกมีการปรับปรุงอย่างมากและภาพยนตร์
ประกอบด้วยหนาแน่น czts ธัญพืชที่ขนาดหลายร้อยนาโนเมตรที่สามารถรับได้ที่
sulfurization สูงกว่าอุณหภูมิ 520
C แต่ SNS รองคู่กันกับ czts ตั้งแต่ฟิล์มสังกะสีและดีบุก
จนรวย และสุดท้าย czts ภาพยนตร์ sulfurized ที่ 580
C แสดงช่องว่างแถบแสงประมาณ
1.55 eV .