In this paper we present the scinti

In this paper we present the scintillation properties of polished Bi4Ge3O12 (BGO) crystals grown by the
Bridgman method. The light yield (LY) and energy resolution were measured using XP5200B photomultiplier.
At 662 keV c-rays, high LY of 9680 photons/MeV and good energy resolution of 8.6% were
obtained for a 5 5 1 mm3 BGO sample. The intrinsic LY and light loss coefficient were evaluated.
The photofraction in pulse height spectrum of 662 keV c-rays and the mass attenuation coefficient at
59.5 and 662 keV c-rays were also determined and compared with the theoretical ones calculated using
the WinXCom program.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในเอกสารนี้ เรานำเสนอคุณสมบัติอาร์กอนของขัด Bi4Ge3O12 (จี) ผลึกเติบโตโดยการวิธีการ Bridgman แสงผล (หลี) และความละเอียดของพลังงานถูกวัดค่าโดยใช้ XP5200B photomultiplierใน 662 keV c-รังสี ลีสูงของ 9680 โฟตอน/MeV และพลังงานดีความละเอียด 8.6% ถูกได้ 5 5 1 เดือน 3 ตัวอย่างภาษา หลี intrinsic และสัมประสิทธิ์สูญเสียแสงที่ถูกประเมินPhotofraction ในสเปกตรัมสูงชีพจร 662 keV c รังสีและค่าสัมประสิทธิ์ของมวลลดทอนสัญญาณที่59.5 และ 662 keV c-รังสียังกำหนด และเปรียบเทียบกับตามทฤษฎีที่คำนวณโดยใช้โปรแกรม WinXCom

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในบทความนี้เรานำเสนอคุณสมบัติของประกายขัด Bi4Ge3O12 (BGO) ผลึกที่ปลูกโดย
วิธี Bridgman อัตราผลตอบแทนแสง (LY) และความละเอียดพลังงานถูกวัดโดยใช้ XP5200B photomultiplier.
ที่ 662 keV C-รังสีสูงของ LY 9680 โฟตอน / MeV และความละเอียดของพลังงานที่ดี 8.6% กำลัง
ได้รับสำหรับตัวอย่าง 5 5 1 mm3 BGO เนื้อแท้ LY และการสูญเสียค่าสัมประสิทธิ์แสงได้รับการประเมิน.
ความสูง photofraction ในสเปกตรัมของชีพจร 662 keV C-ray และค่าสัมประสิทธิ์การลดทอนมวลที่
59.5 และ 662 เคฟ C-รังสีได้รับการพิจารณาและเมื่อเทียบกับคนที่ทฤษฎีการคำนวณโดยใช้
โปรแกรม WinXCom