Fig. 9. (a) Plot of (αhν)2 vs. phot

Fig. 9. (a) Plot of (αhν)
2 vs. photon energy (hν) of ZnO:B films deposited with various
(100 − x)ZnO–xB2O3 targets. (b) Band gap of ZnO:B films versus B2O3 content in
(100 − x)ZnO–xB2O3 targets

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูป 9 (ก) พล็อตของ (αhν)2 เจอโฟตอนพลังงาน (hν) ฝากกับภาพยนตร์ ZnO:B(100 − x) เป้าหมายของ ZnO – xB2O3 (b) ช่องว่างวง ZnO:B ภาพยนตร์เทียบกับ B2O3 เนื้อหาใน(100 − x) เป้าหมายของ ZnO – xB2O3

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ. 9. (ก) แปลง (αhν)
2 เมื่อเทียบกับพลังงานโฟตอน (hν) ของ ZnO: ภาพยนตร์ B ฝากไว้กับต่าง ๆ
(100 - x) เป้าหมาย ZnO-xB2O3 (ข) ช่องว่างของวง ZnO: ภาพยนตร์ B กับเนื้อหาใน B2O3
(100 - x) เป้าหมาย ZnO-xB2O3

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 9 ( 1 ) แปลง ( α H ν )2 กับพลังงานโฟตอน ( H ν ) P : B ภาพยนตร์ได้ต่าง ๆ( 100 − x ) P ) xb2o3 เป้าหมาย ( ข ) วงช่องว่างของซิงค์ออกไซด์ : B ภาพยนตร์เมื่อเทียบกับ b2o3 เนื้อหาใน( − x 100 ) xb2o3 ZnO และเป้าหมาย