The Dirac point of the GFETs shifts

The Dirac point of the GFETs shifts slightly to a positive gate at VG¼_8 V, demonstrating light p- type hole doping performance

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จุดดิแรกของ GFETs กะไปบวกที่ VG¼_8 V เห็นโดปปิงค์ประสิทธิภาพรู p-ชนิดแสงเล็กน้อย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จุดแรคของ GFETs กะเล็กน้อยบวกประตูที่VG¼_8 V แสดงให้เห็นถึงประสิทธิภาพการทำงานชนิด p- ยาสลบหลุมไฟ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยดิเรกจุดของ gfets กะเล็กน้อยบวกประตูที่ 2 ¼ _8 V , P - แสดงแสงชนิดรูเติมประสิทธิภาพ