The fill factor is attributed to th

The fill factor is attributed to the series and shunt
resistances. The series resistance is estimated to be
4.92 Ω/cm2. This series resistance arises from the bulk
and contact resistances, one reason for this being that
the graphite paste we used for the back-contacts has
a sheet resistance of 1,200 to 2,400 Ω/sq. A low shunt
resistance may have been caused by the contribution
of the incomplete isolation caused by the less than
satisfactory scribing of the intrinsic SnO2. Another
reason for the low shunt resistance is related to the
non-optimal growth of the CdS nanotubes.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ปัจจัยที่เติมมาประกอบกับชุดและปัดความต้านทาน ต้านทานชุดประมาณ
4.92 Ω / cm2 ต้านทานแบบนี้เกิดขึ้นจากกลุ่มและความต้านทานการติดต่อซึ่งเป็นหนึ่งในเหตุผลนี้เป็นที่วางกราไฟท์ที่เราใช้สำหรับการกลับรายชื่อ-มีความต้านทานแผ่น1,200 ถึง 2,400 Ω / ตาราง ปัดต่ำต้านทานอาจมีสาเหตุมาจากผลงานของการแยกที่ไม่สมบูรณ์ที่เกิดจากการน้อยกว่าที่น่าพอใจscribing ของ SnO2 ที่แท้จริง อีกเหตุผลที่ปัดต้านทานต่ำมีความเกี่ยวข้องกับการเจริญเติบโตที่ไม่เหมาะสมของท่อนาโนซีดี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ปัจจัยใส่ประกอบกับชุดและความต้านทานต่อ
. ความต้านทานชุดคาดว่าจะอยู่ที่ 4.92 Ω
/ cm2 ชุดความต้านทานที่เกิดขึ้นจากกลุ่ม
ติดต่อต้านทาน , หนึ่งในเหตุผลที่ว่า
แกรไฟต์วางเราใช้ติดต่อกลับได้
แผ่นความต้านทาน 1200 2400 Ω / ตารางการสับเปลี่ยน
ความต้านทานต่ำอาจเกิดจากผลงาน
ของการแยกที่สมบูรณ์เกิดจากน้อยกว่า
สไครบิงเป็นที่พอใจของ SnO2 ที่แท้จริง อีกเหตุผลที่ต่อความต้านทานต่ำ

ไม่เหมาะสมจะเกี่ยวข้องกับการเจริญเติบโตของซีดีนาโน .