REFERENCES[1] I. M. Filanovsky and

REFERENCES
[1] I. M. Filanovsky and A. Allam, “Mutual compensation of mobility and
threshold voltage temperature effects with applications in CMOS circuits,”
IEEE Trans. Circuits Syst. I, Fundam. Theory Appl., vol. 48, no. 7,
pp. 876–884, Jul. 2001.
[2] C. Park, J. P. John, K. Klein, J. Teplik, J. Caravella, J. Whitfield,
K. Papworth, and S. Cheng, “Reversal of temperature dependence of
integrated circuits operating at very low voltages,” in IEDM Tech. Dig.,
Dec. 1995, pp. 71–74.
[3] D. Wolpert and P. Ampadu, “Normal and reverse temperature dependence
in variation-tolerant nanoscale systems with high-k dielectrics and metal
gates,” in Proc. 3rd ACM Int. Conf. NANONET, Sep. 2008, pp. 1–5.
[4] R. Kumar and V. Kursun, “Reversed temperature-dependent propagation
delay characteristics in nanometer CMOS circuits,” IEEE Trans. Circuits
Syst. II, Exp. Briefs, vol. 53, no. 10, pp. 1078–1082, Oct. 2006.
[5] A. Dasdan and I. Hom, “Handling inverted temperature dependence in static
timing analysis,” ACM Trans. Des. Autom. Electron. Syst. (TODAES),
vol. 11, no. 2, pp. 306–324, Apr. 2006.
[6] J. Tschanz, N. S. Kim, S. Dighe, J. Howard, G. Ruhl, S. Vanga,
S. Narendra, Y. Hoskote, H. Wilson, C. Lam, M. Shuman, C. Tokunaga,
D. Somasekhar, S. Tang, D. Finan, T. Karnik, N. Borkar, N. Kurd, and
V. De, “Adaptive frequency and biasing techniques for tolerance to dynamic
temperature-voltage variations and aging,” in Proc. IEEE ISSCC,
Feb. 2007, pp. 292–293.
[7] M. Elgebaly and M. Sachdev, “Variation-aware adaptive voltage scaling
system,” IEEE Trans. Very Large Scale Integr. (VLSI) Syst., vol. 15, no. 5,
pp. 560–571, May 2007.
[8] P. Chen, C.-C. Chen, C.-C. Tsai, and W.-F. Lu, “A time-to-digitalconverter-based
CMOS smart temperature sensor,” IEEE J. Solid-State
Circuits, vol. 40, no. 8, pp. 1642–1648, Aug. 2005.
[9] Y.-W. Wang and K. S.-M. Li, “Temperature-aware dynamic frequency and
voltage scaling for reliability and yield enhancement,” in Proc. ASP-DAC,
Jan. 2009, pp. 49–54.
[10] C.-K. Kim, J.-G. Lee, Y.-H. Jun, C.-G. Lee, and B.-S. Kong, “CMOS
temperature sensor with ring oscillator for mobile DRAM self-refresh
control,” Microelectron. J., vol. 38, no. 10/11, pp. 1042–1049, Oct. 2007.
[11] P. Chen, M.-C. Shie, Z.-Y. Zheng, Z.-F. Zheng, and C.-Y. Chu, “A fully
digital time-domain smart temperature sensor realized with 140 FPGA
logic elements,” IEEE Trans. Circuits Syst. I, Reg. Papers, vol. 54, no. 12,
pp. 2661–2668, Dec. 2007.
[12] Y.-S. Lin, D. Sylvester, and D. Blaauw, “An ultra low power 1 V, 220
nW temperature sensor for passive wireless applications,” in Proc. IEEE
CICC, Sep. 2008, pp. 507–510.
[13] A. L. Aita, M. Pertijs, K. Makinwa, and J. H. Huijsing, “A CMOS smart
temperature sensor with a batch-calibrated inaccuracy of ±0.25 ◦C (3σ)
from −70 ◦C to 130 ◦C,” in Proc. IEEE Int. Solid-State Circuits Conf.,
Feb. 2009, pp. 342–343.
[14] H. Lakdawala, Y. W. Li, A. Raychowdhury, G. Taylor, and
K. Soumyanath, “A 1.05 V 1.6 mW, 0.45 ◦C 3σ resolution Δ
based temperature sensor with parasitic resistance compensation in 32 nm
digital CMOS process,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 44, no. 12,
pp. 3621–3630, Dec. 2009.
[15] P. Ituero, J. L. Ayala, and M. Lopez-Vallejo, “A nanowatt smart temperature
sensor for dynamic thermal management,” IEEE Sensors J., vol. 8,
no. 12, pp. 2036–2043, Dec. 2008.
[16] D. Wolpert and P. Ampadu, “A sensor to detect normal or reverse temperature
dependence in nanoscale CMOS circuits,” in Proc. 24th IEEE Int.
Symp. Defect Fault Tolerance VLSI Syst. (DFT), Oct. 2009, pp. 193–201.
[17] D. Wolpert, B. Fu, and P. Ampadu, “Temperature-aware delay borrowing
for energy-efficient low-voltage link design,” in Proc. 4th ACM/IEEE Int.
Symp. NoCS, May 2010, pp. 107–114.
[18] H. Kawaguchi, G. Zhang, S. Lee, Y. Shin, and T. Sakurai, “A controller
LSI for realizing VDD-hopping scheme with off-the-shelf processors and
its application to MPEG4 system,” IEICE Trans. Electron., vol. E85-C,
no. 2, pp. 263–271, Feb. 2002.
[19] G. Ji, T. Arabi, and G. Taylor, “Design and validation of a power supply
noise reduction technique,” IEEE Trans. Adv. Packag., vol. 28, no. 3,
pp. 445–448, Aug. 2005.
[20] J. Rabaey, Low Power Design Essentials. New York: Springer-Verlag,
2009. DOI:10.1007/978-0-387-71713-5.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การอ้างอิง[1] Filanovsky เมตร I. และ A. Allam, "ค่าตอบแทนซึ่งกันและกันของความคล่องตัว และขีดจำกัดแรงดันอุณหภูมิผลกับโปรแกรมประยุกต์ในวงจร CMOS,"Syst. วงจร IEEE โอนย้าย ฉัน Fundam ใช้ทฤษฎี ปี 48 หมายเลข 7นำ 876-884, 2001 กรกฎาคม[2] ซีพาร์ค J. P. จอห์น คุณ Klein, J. Teplik, J. Caravella, J. Whitfieldคุณ Papworth และ s ได้เช็ง "กลับอาศัยอุณหภูมิของรวมวงจรทำงานที่แรงดันต่ำมาก ในการขุดเทคโนโลยี IEDM.,1995 ธันวาคม นำ 71-74[3] D. Wolpert และ P. Ampadu, "ปกติ และพึ่งพาอุณหภูมิย้อนกลับในระบบ nanoscale ผันแปรป้องกัน dielectrics k สูงและโลหะประตู ใน Proc. 3 NANONET Conf. พลอากาศของดอกเบี้ย กันยายน 2008 นำ 1-5[4] อาร์ Kumar และ V. Kursun "กลับเผยแพร่ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิความล่าช้าลักษณะวงจร CMOS nanometer วงจรการโอนย้ายของ IEEESyst. II บรีฟ exp. ปี 53 หมายเลข 10 นำ 1078-1082, 2549 ตุลาคม[5] A. Dasdan และ I. หอม "จัดการกลับพึ่งพาอุณหภูมิในสถิตเวลาวิเคราะห์ เดโอนย้ายพลอากาศ Autom อิเล็กตรอน Syst. (TODAES),ปี 11 หมายเลข 2, 306 พีพีอ่าวมาหยา – 324, 2006 เม.ย.[6] J. Tschanz, N. S. Kim, S. Dighe, J. Howard, Ruhl กรัม Vanga s ได้S. Narendra, Y. Hoskote, H. Wilson, C. ลำ ม. Shuman, C. TokunagaD. Somasekhar, S. ถัง D. Finan ต. Karnik, Borkar ตอนเหนือ N. Kurd และV. เดอ "ความถี่ที่เหมาะสมและ biasing เทคนิคสำหรับค่าเผื่อในแบบไดนามิกรูปแบบแรงดันอุณหภูมิและอายุ ใน Proc. IEEE ISSCC2007 ก.พ. นำ 292-293[7] Elgebaly เมตรและเมตร Sachdev, "ตระหนักถึงการเปลี่ยนแปลงแรงดันแบบปรับขนาดระบบ IEEE โอนย้ายมากใหญ่ขนาด Integr (VLSI) Syst. ปี 15 หมายเลข 5นำ 560-571, 2007 พฤษภาคม[8] P. เฉิน ซีซี เฉิน ซีซี Tsai และ W.-เอฟ Lu "มีการ-digitalconverter-ตามเวลาอุณหภูมิสมาร์ทเซ็นเซอร์ CMOS," IEEE J. Solid-Stateวงจร ปี 40 เลข 8 นำไปด้วยการตกแต่ง-1648, 2005 ส.ค.[9] Y. W. วังและคุณ S. M หลี่, "ความถี่แบบไดนามิกตามอุณหภูมิ และแรงดันไฟฟ้าขนาดสำหรับปรับปรุงความน่าเชื่อถือและผลตอบแทน ใน Proc. ASP-DAC2009 ม.ค. นำ 49-54[10] ซีเค คิม J. กรัม ลี Y. H. มิ.ย. C. กรัม ลี และ B. S. ฮ่องกง "CMOSเซ็นเซอร์วัดอุณหภูมิ ด้วย oscillator แหวนสำหรับ DRAM โมบายรีเฟรชด้วยตนเองควบคุม Microelectron เจ ปี 38 นำ 1042-1049, 2007 ตุลาคม 10 หมายเลข 11[11] P. เฉิน ค.ม. Shie, z. Y เจิ้ง เอฟ. z เจิ้ง และ C. Y ชู, " A เต็มดิจิตอลโดเมนเวลาอุณหภูมิสมาร์ทเซ็นเซอร์รับรู้ ด้วย 140 FPGAตรรกะองค์ประกอบ IEEE โอนย้ายวงจร Syst. เอกสารวัน ปี 54 หมายเลข 12นำ 2661-2668, 2007 ธ.ค.[12] Y. S. หลิน D. ซิลเวสเตอร์ และ D. Blaauw "เป็นพลังงานต่ำ 1 V, 220nW เซ็นเซอร์วัดอุณหภูมิสำหรับใช้งานแบบไร้สายที่แฝง ใน Proc. IEEECICC กันยายน 2008 นำ 507-510[13] A. L. Aita, M. Pertijs คุณ Makinwa และ J. H. Huijsing "การ CMOS สมาร์ทเซ็นเซอร์วัดอุณหภูมิกับ inaccuracy ปรับเทียบชุดของ ±0.25 ◦C (3σ)จาก −70 ◦C จะ 130 ◦C ใน Proc. ของดอกเบี้ย IEEE วงจรโซลิดสเตต Conf.2009 ก.พ. นำ 342-343[14] H. Lakdawala, Y. Li, A. Raychowdhury เทย์เลอร์กรัม ปริมาณ และคุณ Soumyanath, " 1.05 V 1.6 mW δยอดความละเอียด 3σ 0.45 ◦Cใช้เซ็นเซอร์วัดอุณหภูมิกับค่าตอบแทนต่อต้านเสียงฟู่เหมือนกาฝากใน 32 nmCMOS ดิจิตอลประมวลผล IEEE J. Solid-State วงจร ปี 44 หมายเลข 12นำ 3621-3630, 2009 ธันวาคม[15] P. Ituero, J. L. อยา ม.โลเปซอย่างไร Vallejo, "A nanowatt สมาร์ทอุณหภูมิและเซ็นเซอร์สำหรับการจัดการความร้อนแบบไดนามิก IEEE เซนเซอร์เจ ปี 8หมายเลข 12, 2036 พีพีอ่าวมาหยา-2043, 2008 ธ.ค.[16] D. Wolpert และ P. Ampadu "เซนเซอร์เพื่อตรวจจับอุณหภูมิปกติ หรือกลับพึ่งพาในวงจร CMOS nanoscale ใน Proc. ของดอกเบี้ย IEEE 24Symp บกพร่องข้อบกพร่องยอมรับ VLSI Syst. (DFT), 2009 ตุลาคม นำ 193-201[17] D. Wolpert ฟูเกิด และ P. Ampadu, "ทราบอุณหภูมิกู้ยืมล่าช้าสำหรับเชื่อมโยงแรงต่ำประหยัดพลังงานออกแบบ ใน Proc. 4 พล อากาศ/IEEE ของดอกเบี้ยSymp ด้าน 2553 พฤษภาคม นำ 107-114[18] H. คาวางุจิ เตียวกรัม S. Lee ชิน Y. และต.ซะกุ ไร "A ควบคุมLSI สำหรับการตระหนักถึงโครงร่างกระโดด VDD กับตัวประมวลผลรูป และโปรแกรมประยุกต์ระบบ MPEG4," IEICE โอนย้ายอิเล็กตรอน. ปี E85-Cหมายเลข 2, 263-271 พีพีอ่าวมาหยา 2002 ก.พ.[19] จิกรัม Arabi ต. และ เทย์เลอร์กรัม "การออกแบบและตรวจสอบเพาเวอร์ซัพพลายเสียงรบกวนลดเทคนิค IEEE ธุรกรรม Adv. Packag. ปี 28 หมายเลข 3นำ 445-448, 2005 ส.ค.[20] J. Rabaey สิ่งจำเป็นสำหรับการออกแบบพลังงานต่ำ นิวยอร์ก: Springer Verlag2009 DOI:10.1007 / 978-0-387-71713-5

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ข้อมูลอ้างอิง
[1] IM Filanovsky และเอ Allam
"ค่าตอบแทนรวมของการเคลื่อนไหวและผลกระทบอุณหภูมิแรงดันเกณฑ์กับการใช้งานในวงจรCMOS"
อีอีอีทรานส์ วงจร Syst ผม Fundam ทฤษฎี Appl. ฉบับ 48 ไม่มี 7
หน้า 876-884, กรกฎาคม 2001
[2] ซีปาร์ค JP จอห์นเคไคลน์, เจ Teplik เจ Caravella เจวิ ธ
ฟิลด์เค Papworth และเอสเฉิง
"โอนกลับขึ้นอยู่กับอุณหภูมิของแผงวงจรรวมการดำเนินงานที่แรงดันไฟฟ้าที่ต่ำมาก" ใน IEDM เทค ขุด.
ธันวาคม ปี 1995 ได้ pp. 71-74.
[3] D. Wolpert พี Ampadu "ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิปกติและกลับในการเปลี่ยนแปลงระบบนาโนทนกับ dielectrics สูง k และโลหะประตู" ในพร 3 ACM Int conf NANONET, กันยายน 2008, หน้า. 1-5. [4] อาร์มาร์และโวลต์ Kursun "อุณหภูมิขึ้นอยู่กับการขยายพันธุ์กลับลักษณะความล่าช้าในการนาโนเมตรวงจรCMOS" อีอีอีทรานส์ วงจรSyst ครั้งที่สองประสบการณ์ กางเกงฉบับ 53 ไม่มี 10 หน้า. 1078-1082 ตุลาคม 2006 [5] เอ Dasdan และฉันหอม "การจัดการขึ้นอยู่กับอุณหภูมิคงที่คว่ำในการวิเคราะห์ระยะเวลา" พลอากาศเอกทรานส์ Des Autom อิเลคตรอน Syst (TODAES) ฉบับ 11 ไม่มี 2 ได้ pp. 306-324, เมษายน 2006 [6] เจ Tschanz, NS คิมเอส Dighe เจโฮเวิร์ดกรัม Ruhl เอสเวนกา, เอส Narendra วาย Hoskote เอชวิลสัน, ซีลำ Shuman เอ็มซี Tokunaga, D. Somasekhar เอสถัง, D. Finan ต Karnik เอ็น Borkar เอ็นเคิร์ดและโวลต์ De "การปรับเปลี่ยนความถี่และเทคนิคในการให้น้ำหนักความทนทานต่อแบบไดนามิกการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิแรงดันและริ้วรอย" ในพร IEEE ISSCC, กุมภาพันธ์ ปี 2007 ได้ pp. 292-293. [7] เอ็มเอ็ม Elgebaly และสัจเดว "ปรับแรงดันไฟฟ้ารูปแบบการปรับตัวตระหนักถึงระบบ" อีอีอีทรานส์ ขนาดใหญ่มาก Integr (VLSI) Syst. ฉบับ 15 ไม่มี 5 หน้า 560-571, พฤษภาคม 2007 [8] พีเฉิน C.-C. เฉิน C.-C. ไจ่และ W.-F. ลู "เป็นเวลาที่ digitalconverter ตามCMOS เซ็นเซอร์อุณหภูมิสมาร์ท" อีอีอีเจ Solid-State Circuits ฉบับ 40 ไม่มี 8 ได้ pp. 1642-1648 สิงหาคม 2005 [9] Y.-W. วังและ KS-M หลี่ "ความถี่แบบไดนามิกอุณหภูมิตระหนักและปรับแรงดันไฟฟ้าสำหรับความน่าเชื่อถือและการเพิ่มประสิทธิภาพผลผลิต" ในพร ASP-DAC, มกราคม ปี 2009 ได้ pp. 49-54. [10] C.-K. คิม J.-G. ลี Y.-H. มิถุนายน C.-G. ลีและ B.-S. ฮ่องกง "CMOS เซ็นเซอร์อุณหภูมิกับ oscillator แหวนสำหรับ DRAM มือถือตัวเองการฟื้นฟูการควบคุม" Microelectron เจโว 38 ไม่มี 10/11, PP. 1042-1049 ตุลาคม 2007 [11] พีเฉิน M.-C. Shie, Z.-Y. เจิ้งเหอ Z.-F. เจิ้งเหอและ C.-Y. บุญชู "เป็นอย่างเต็มที่เซ็นเซอร์อุณหภูมิดิจิตอลโดเมนเวลาตระหนักกับสมาร์ท140 FPGA องค์ประกอบตรรกะ" อีอีอีทรานส์ วงจร Syst ฉันเร็ก เอกสารฉบับ 54 ไม่มี 12 หน้า 2661-2668 ธันวาคม 2007 [12] Y.-S. หลิน, D. ซิลเวสและดี Blaauw, "เป็นพลังงานที่ต่ำเป็นพิเศษ 1 V 220 เซ็นเซอร์อุณหภูมิ NW สำหรับการใช้งานแบบไร้สายเรื่อย ๆ " ในพร IEEE CICC, กันยายน 2008, หน้า. 507-510. [13] อัล Aita เมตร Pertijs พ Makinwa และ JH Huijsing ว่า "สมาร์ท CMOS เซ็นเซอร์อุณหภูมิที่มีความไม่ถูกต้องชุดสอบเทียบของ± 0.25 ◦C (3σ ) จาก -70 ◦C 130 ◦C "ในพร IEEE Int วงจร Solid-State Conf. กุมภาพันธ์ ปี 2009 ได้ pp. 342-343. [14] เอช Lakdawala, YW ลี่เอ Raychowdhury กรัมเทย์เลอร์และเค Soumyanath ว่า "1.05 V 1.6 mW 0.45 ◦C3σละเอียดΔตามเซ็นเซอร์อุณหภูมิกับการชดเชยต้านทานพยาธิใน32 นาโนเมตรดิจิตอลกระบวนการCMOS" อีอีอีเจวงจร Solid-State ฉบับ 44 ไม่มี 12 หน้า 3621-3630 ธันวาคม 2009 [15] พี Ituero, JL Ayala และเอ็มโลเปซวัลว่า "สมาร์ท nanowatt อุณหภูมิเซ็นเซอร์สำหรับการจัดการความร้อนแบบไดนามิก" อีอีอีเจเซนเซอร์ฉบับ 8 ไม่มี 12 หน้า. 2036-2043 ธันวาคม 2008 [16] D. Wolpert พี Ampadu "เซ็นเซอร์ในการตรวจสอบย้อนกลับปกติหรืออุณหภูมิการพึ่งพาอาศัยกันในระดับนาโนวงจรCMOS" ในพร 24 IEEE Int. Symp ความผิดพลาดบกพร่องอดทน VLSI Syst (DFT) ตุลาคมปี 2009 ได้ pp. 193-201. [17] D. Wolpert บี Fu และพี Ampadu "การกู้ยืมเงินล่าช้าอุณหภูมิตระหนักถึงการใช้พลังงานอย่างมีประสิทธิภาพแรงดันต่ำการออกแบบการเชื่อมโยง" ในพร 4 ACM / IEEE Int. Symp NOCs พ.ค. 2010 ได้ pp. 107-114. [18] เอช Kawaguchi กรัมจางเอลีวายชินตันและซากุราอิ "ตัวควบคุมLSI ตระหนักถึงโครงการกระโดด VDD กับปิด the- ประมวลผลการเก็บรักษาและการประยุกต์ใช้กับระบบMPEG4, "IEICE ทรานส์ อิเล็กตรอน. ฉบับ E85-C ไม่มี 2 ได้ pp. 263-271, กุมภาพันธ์ 2002 [19] จีจีทีอาราบิกรัมและเทย์เลอร์ "การออกแบบและการตรวจสอบของแหล่งจ่ายไฟเทคนิคการลดเสียงรบกวน" อีอีอีทรานส์ Adv Packag. ฉบับ 28 ไม่มี 3 หน้า 445-448 สิงหาคม 2005 [20] เจ Rabaey, สิ่งจำเป็นสำหรับการออกแบบพลังงานต่ำ นิวยอร์ก: Springer-Verlag, 2009 DOI: 10.1007 / 978-0-387-71713-5

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อ้างอิง
[ 1 ] . . filanovsky และ เอ ลแลม " ชดเชยซึ่งกันและกันในการเคลื่อนไหวและแรงดัน อุณหภูมิ ผล
เกณฑ์กับการประยุกต์ใช้ในวงจรซีมอส "
( trans . วงจรระบบ . ฉันค้นคว้า . ทฤษฎีแอปเปิ้ล ฉบับที่ 48 , ฉบับที่ 7 ,
1 ก.ค. –มี . , 2001 .
[ 2 ] C . ปาร์ค เจ พี จอห์น เค ไคลน์ เจ teplik เจ คาราเวลล่า เจ Whitfield
, K . แพ็ปเวิร์ท , และ เฉิง " กลับของ
การพึ่งพาอุณหภูมิรวมวงจรปฏิบัติการที่แรงดันไฟฟ้าต่ำมาก " ใน iedm . ขุด .
ธันวาคม 1995 , . 71 และ 74 .
[ 3 ] D . โวลเพิร์ต และ พี ampadu " ปกติและอุณหภูมิในการเปลี่ยนแปลงระบบการ Reverse
nanoscale ใจกว้างกับไดไฮ เค และประตูโลหะ
" proc . 3 ก.ย. 2551 พลอากาศเอก int นาโนเนท , ตัวเลือก , PP 1 – 5
[ 4 ] R . กุมาร และ 5 kursun " ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิการขยายพันธุ์
.ความล่าช้าด้าน Nanometer วงจรซีมอส " ( trans . ระบบวงจร
. 2 . กางเกง ฉบับที่ 53 , ฉบับที่ 10 , PP และ–ในตุลาคม 2006 .
[ 5 ] . dasdan และผมหอม " การจัดการแบบพึ่งพาอุณหภูมิในการวิเคราะห์เวลาคงที่
" พลอากาศเอก trans . เดส Autom . อิเล็กตรอน ระบบ . ( todaes )
ฉบับที่ 11 , 2 . 306 ) 324 , เม.ย. 2006 .
[ 6 ] J . tschanz N . S . Kim , S . dighe เจ. โฮเวิร์ด กรัม รัล เอส Vanga
Shoskote Narendra Y , H . วิลสัน ซีแลม เอ็ม ชูแมน ซี โทคุนางะ
d , somasekhar , S . D . ไฟแนน ต. แม่แตง karnik borkar , เอ็น , เอ็น - เคิดและ
V de " ปรับความถี่และขยายรูปแบบเทคนิคต่อแรงดันอุณหภูมิแบบไดนามิก
และอายุ " proc . IEEE isscc
กุมภาพันธ์ 2007 , pp . 292 และ 293 .
[ 7 ] ม. และ ม. elgebaly อย่างสมบูรณ์ " การตระหนักถึงการปรับตัวปรับระบบแรงดันไฟฟ้า
" IEEE trans .INTEGR ขนาดใหญ่มาก ( ด้วย ) ระบบ , ฉบับที่ 15 , ฉบับที่ 5 ,
. 560 – 571 , พฤษภาคม 2007
[ 8 ] หน้าเฉิน , C - C - C . เฉิน ซีไซและ W - F . ลู่ " เวลา digitalconverter CMOS สมาร์ทเซ็นเซอร์อุณหภูมิตาม

" J . สถานะของแข็งโดยวงจร ฉบับที่ 40 , หมายเลข 8 . 1642 –ค.ศ. 1648 , 2548 . .
[ 9 ] y - W . K . S - M . หวังและหลี่ " อุณหภูมิทราบความถี่และ
แบบไดนามิก