Antimonide cobalt thin films were d

Antimonide cobalt thin films were deposited on BK7 glass substrates at various substrate temperatures
by ion beam sputtering deposition with a fan-shape target. The influence of deposition temperature on
the microstructure and thermoelectric properties of antimonide cobalt thin films were systematically
investigated. It is found that the Seebeck coefficient of the thin film increases at first and then decreases
with the increasing deposition temperature. The Seebeck coefficient of the sample deposited at 250 C
has maximum value and increases stably when the measuring temperature increased from roomtemperature
to 600 K. The electrical conductivity of the thin film increases significantly to 5.6  104
S cm1 when the deposition temperature was 450 C and then decreases greatly when the temperature
increased to 500 C and 550 C. The behavior of electrical conductivity of the sample deposited at 250 C
changes from metallic to semiconducting after the measuring temperature exceeded 540 K. The power
factor of antimonide cobalt thin film deposited at 250 C has a maximum value of 0.93  104Wm1 K2
at room-temperature and then increases to 3.5  104Wm1 K2 when the measuring temperature was
540 K.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีฝาก Antimonide โคบอลต์ฟิล์มบางบนพื้นผิวแก้ว BK7 ที่อุณหภูมิพื้นผิวต่าง ๆโดยคานไอออนพ่นสะสมกับเป้าหมายพัดลม อิทธิพลของอุณหภูมิสะสมในต่อโครงสร้างจุลภาคและคุณสมบัติแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ของฟิล์มบางของโคบอลต์ antimonide ได้อย่างเป็นระบบตรวจสอบ พบว่า สัมประสิทธิ์ Seebeck ฟิล์มบางเพิ่มครั้งแรก และลดลงแล้วมีอุณหภูมิสะสมที่เพิ่มขึ้น สัมประสิทธิ์ Seebeck ของฝากที่ 250 C ตัวอย่างมีค่าสูงสุด และเพิ่ม stably เมื่อวัดอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นจาก roomtemperatureถึงคุณ 600 ค่าการนำไฟฟ้าของฟิล์มบางเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ 5.6 104ซม. S 1 เมื่ออุณหภูมิสะสม 450 C และลดลงอย่างมากเมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้น 500 C และ 550 c ลักษณะการทำงานของค่าการนำไฟฟ้าของตัวอย่างที่ฝากที่ 250 Cเปลี่ยนจากโลหะตัวไปหลังจากวัดอุณหภูมิเกิน 540 คุณ อำนาจปัจจัย antimonide โคบอลต์ฟิล์มบางฝากที่ 250 C มีค่าสูงสุดของ 4Wm 0.93 10 1 K 2ที่อุณหภูมิห้องและเพิ่มแล้วไป 4Wm 3.5 10 K 1 2 เมื่ออุณหภูมิวัดได้540 คุณ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

antimonide โคบอลต์ฟิล์มบางถูกวางลงบนพื้นผิวแก้ว BK7 ที่อุณหภูมิพื้นผิวต่าง ๆ
จากการทับถมสปัตเตอร์ไอออนบีมกับเป้าหมายพัดลมรูปร่าง อิทธิพลของอุณหภูมิในการสะสม
จุลภาคและคุณสมบัติของเทอร์โม antimonide โคบอลต์ฟิล์มบางระบบ
การตรวจสอบ นอกจากนี้ยังพบว่าค่าสัมประสิทธิ์ซีเบคของฟิล์มบางที่เพิ่มขึ้นเป็นครั้งแรกแล้วลด
อุณหภูมิการสะสมเพิ่มขึ้น ค่าสัมประสิทธิ์ซีเบคของกลุ่มตัวอย่างที่ฝากที่ 250 องศาเซลเซียส
มีค่าสูงสุดและเพิ่มเสถียรเมื่อวัดอุณหภูมิเพิ่มขึ้นจาก roomtemperature
ถึง 600 เคการนำไฟฟ้าของการเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญฟิล์มบาง 5.6? 104
S ซม. 1 เมื่ออุณหภูมิสะสมเป็น 450 องศาเซลเซียสและจากนั้นลดลงอย่างมากเมื่ออุณหภูมิ
เพิ่มขึ้นถึง 500 องศาเซลเซียสและ 550 องศาเซลเซียส พฤติกรรมของการนำไฟฟ้าของกลุ่มตัวอย่างที่นำไปฝากไว้ที่ 250 องศาเซลเซียส
การเปลี่ยนแปลงจากโลหะสารกึ่งตัวนำหลังจากการวัดอุณหภูมิเกิน 540 เคพลัง
ปัจจัย antimonide โคบอลต์ฟิล์มบางฝากที่ 250 องศาเซลเซียสมีค่าสูงสุดเท่ากับ 0.93? 10? 4Wm 1 K? 2
ที่อุณหภูมิห้องแล้วเพิ่มขึ้นถึง 3.5? 10? 4Wm 1 K? 2 เมื่ออุณหภูมิวัดได้
540 เค

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

antimonide โคบอลต์ ฟิล์มมีฝากบนพื้นผิวพื้นผิวกระจก BK7 ที่อุณหภูมิต่างๆ
โดยลำแสงไอออนสสะสมกับพัดลมรูปร่างเป้าหมาย อิทธิพลของอุณหภูมิสะสมบน
โครงสร้างจุลภาคและสมบัติของฟิล์มบางเป็นเทอร์โม antimonide โคบอลต์อย่างเป็นระบบ
สอบสวนพบว่า วัดค่าสัมประสิทธิ์ของฟิล์มเพิ่มขึ้นก่อนแล้วลด
มีการสะสมอุณหภูมิ ที่ วัดค่าสัมประสิทธิ์ของตัวอย่างฝากไว้ที่ 250  C
มีค่าสูงสุดและเพิ่มเสถียรเมื่อการวัดอุณหภูมิเพิ่มขึ้นจากอุณหภูมิห้อง
600 K . ค่าการนำไฟฟ้าของฟิล์มบาง เพิ่มขึ้นอย่างมากถึง 5.6  104
s ซม.  1 เมื่อสะสมอุณหภูมิ 450  C และจากนั้นลดลงอย่างมากเมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้นถึง 500 
c และ 550  C . พฤติกรรมของการนำไฟฟ้าของตัวอย่างฝากไว้ที่ 250  C
เปลี่ยนจากโลหะกึ่งตัวนำไปหลังจากการวัดอุณหภูมิเกิน 540 K พลัง
ปัจจัยของฟิล์มบาง antimonide โคบอลต์ ฝากที่ 250  C มีมูลค่าสูงสุด 093  10  4wm  2
1 k  ที่อุณหภูมิห้อง จากนั้นเพิ่มเป็น 3.5  10  4wm  1 K  2 เมื่อการวัดอุณหภูมิ
540 K