Abstract—The geometry of the semico

Abstract—The geometry of the semiconductor pellets (i.e., the number of them and their height) within thermoelectric modules (TEMs) operating in generation mode is optimized in order to maximize either their performance (i.e., output power) or their conversion efficiency for a specified performance. This is accomplished for a specified resistive load on a TEM as a function of its effective footprint, i.e., sum of the cross-sectional areas of its pellets. The load resistances which maximize performance or efficiency when pellet geometry is specified are also provided. The analyses are performed in the absence and then presence of electrical contact resistance at the interconnects between pellets. They apply for a prescribed temperature difference across a TEM that is small enough for the properties of its pellets to

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นามธรรมแบบเรขาคณิตของขี้สารกึ่งตัวนำ (เช่น จำนวนของพวกเขาและความสูง) ภายในโมดูลแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ (TEMs) ทำงานในโหมดสร้างสุดเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพของพวกเขา (เช่น พลังงาน) หรือ efficiency แปลงของพวกเขาสำหรับการทำงาน specified สำเร็จสำหรับการโหลดหน้า specified บนการยการนี้เป็นฟังก์ชันของรอยเท้ามีประสิทธิภาพ เช่น ผลรวมของพื้นที่ของขี้เหลว นอกจากนี้ยังมีที่โหลดความต้านทานที่เพิ่มประสิทธิภาพหรือ efficiency เมื่อเม็ดเรขาคณิต specified วิเคราะห์การดำเนินการในการขาดงาน แล้วของความต้านทานไฟฟ้าที่ติดต่อในการเชื่อมต่อระหว่างเกล็ด พวกเขาใช้ความแตกต่างของอุณหภูมิที่กำหนดผ่านยการที่เล็กพอสำหรับคุณสมบัติของมันอัดเม็ดไป

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่อ-เรขาคณิตของเม็ดเซมิคอนดักเตอร์ (เช่นจำนวนของพวกเขาและความสูงของพวกเขา) ภายในโมดูลเทอร์โม (TEMS) ทำงานในโหมดรุ่นที่ได้รับการปรับปรุงเพื่อเพิ่มทั้งประสิทธิภาพการทำงานของพวกเขา (เช่นกำลังขับ) หรือ EF แปลง ciency Fi ของพวกเขาสำหรับ ประสิทธิภาพการทำงานของเอ็ดเฉพาะเจาะจง นี่คือความสำเร็จสำหรับโหลดตัวต้านทาน Fi เอ็ด speci ใน TEM เป็นหน้าที่ของรอยเท้าที่มีประสิทธิภาพของมันคือผลรวมของพื้นที่หน้าตัดของเม็ดของ ความต้านทานโหลดที่เพิ่มประสิทธิภาพการทำงานหรือ ciency Fi EF เรขาคณิตเม็ดเมื่อเป็น speci Fi เอ็ดยังมีให้ การวิเคราะห์จะดำเนินการในกรณีที่ไม่มีแล้วปรากฏตัวของความต้านทานการติดต่อไฟฟ้าที่เชื่อมต่อระหว่างเม็ด พวกเขาใช้สำหรับความแตกต่างของอุณหภูมิที่กำหนดไว้ทั่ว TEM ที่มีขนาดเล็กพอสำหรับคุณสมบัติของเม็ดในการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บทคัดย่อเรขาคณิตของสารกึ่งตัวนำแบบเม็ดใหญ่ ( เช่น จำนวนของพวกเขา และความสูงของพวกเขา ) ภายในโมดูล เทอร์โม ( tems ) ปฏิบัติการในโหมดรุ่นที่เหมาะเพื่อเพิ่มให้ประสิทธิภาพของพวกเขา ( เช่น พลังงาน ) หรือการแปลงหลักสูตรจึงเป็นวัดประสิทธิภาพจึงแสดงนี้ได้ สำหรับกาจึงเอ็ดโหลดตัวต้านทานใน TEM เป็นฟังก์ชันที่มีประสิทธิภาพรอยเท้าคือผลรวมของพื้นที่ภาคตัดขวางของเม็ด โหลดความต้านทานที่เพิ่มประสิทธิภาพหรือ EF จึงประสิทธิภาพเมื่อเม็ดรูปทรงเรขาคณิตเป็นวัดจึงยังมีการวิเคราะห์การขาดงานและการติดต่อไฟฟ้าต้านทานที่เชื่อมระหว่างเม็ด พวกเขาใช้เพื่อกำหนดความแตกต่างของอุณหภูมิในแบบที่มีขนาดเล็กพอสำหรับคุณสมบัติของขี้ไป